Способ обработки молибденовых электродов для термоэмиссионного преобразователя

ZIP архив

Текст

(54)ЭЛЕКОБР И. Гусеорюкин,вод тел ов ек ТФ, 48, 18 он р 1 пгегзо 1 ег ЯазМпрго т днь бо ч иво ит к остагг родные пленки,. что пр дработы выхода исходной моногрис галлической грани 1110 .Примером реализации способа является обработка молибденового образцас гранью на поверхности 11101 ионамикислорода Оф дозой 3 10" ион/см при ускоряющем напряжении 90 кВ. Разориентация грани 1101 от поверхности нег более 1 . Температура образца при обО работке ионами кислорода 30 С. 11 аксимальноеувеличение работы выхода исследуемой грани с 5.0 эв до Д,35 эв.Формула изобр ет енпСпособ обработки молибденовыхэлектродов для термоэмиссионного и 1 ивобразователя, включающий насыщениерабочей поверхности электрола кислоОСУДАРСТВЕННЫИ НОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМРИ ГКНТ СССР 1(56) Менабде Н.Э. и д1978.1 нП.1 лее, Ргос. 12Епегяу Сопо. Епдр Соп1977, р. 1555,Изобретение относится к производству термоэмиссионных преобразовате-, лей (ТЭП) и может быть использовано для улучшения эмиссионных характеристик электродов ТЭП.Целью изобретения является повы" шение эФфективности ТЭП путем повышения работы .выхода его электродов.Для достижения указанной цели грань моноарнсталла но 1110 с рааориентацией от плоскости поверхности не более 2 обрабатывают ионамикислорода дозой 1 10 - 5 10 ион/см1 Ч "гт при ускоряющем напряжении 80-100 кВо и температуре образца,20-50 С. За счет этого получают приповерхностный слой, насыщенный растворенным в молибдене кислородом, который при рабочих температурах электрсдов ТЭП выходит на поверхность, образуя кисло 801375 О 32 СПОСОБ ОБРАБОТКИ Г 10 ЛИБДЕ 11 ОБ 1 К ТРОДОВ ДЛЯ ТЕРГ 10 ЭМИССИОННОГО ПРЕАЗОВАТЕЛЯИзобретение относится к произтву термоэмиссионных преобразовай и служит для повышения их эфивности. Грань монокристалла Мо 1 с разориентацией от плоскости рхности не более 2 обрабатывают ми 0 дозой 1 10510 ион/ смускоряющем напряжении 8010 С кВ мпературе образца 2050 С. В ессе работы устройства 0 выхона пЬверхность, образуя кислоте пленки, что приводит к росту ты выхода исходной монокристалской грани 1 1101Составитель В.ПсаломщиковРедактор В,Фельдман Техред М.Ходанич Корректор Л.Бескид Заказ 4902 Тираж 694 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям прн ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 3 1375032 родом, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения эфФективности преобразователя за счет увеличения работы выхода электродов на ра"Э5 бочую поверхность электрода выводят грань 1101 сразориентацией от плос 4кости поверхности не более 2, а насыщение рабочей поверхности осуществляют бомбардировкой ионами кислорода дозой 110 - 5 10 1/см при ус 7ф,коряющем напряжении 80-100 кВ и температуре электрода 20-50 С.

Смотреть

Заявка

3706924, 01.03.1984

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1758

ГЕРАЩЕНКО С. С, ГУСЕВА М. И, КАРЕТНИКОВ Д. В, КОРЮКИН В. А, НИКОЛЬСКИЙ Ю. В, ОБРЕЗУМОВ В. П, СТЕПАНЧИКОВ В. А

МПК / Метки

МПК: H01J 45/00

Метки: молибденовых, преобразователя, термоэмиссионного, электродов

Опубликовано: 23.07.1989

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1375032-sposob-obrabotki-molibdenovykh-ehlektrodov-dlya-termoehmissionnogo-preobrazovatelya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ обработки молибденовых электродов для термоэмиссионного преобразователя</a>

Похожие патенты