Патенты с меткой «состояниями»
Элемент с тремя состояниями
Номер патента: 1413721
Опубликовано: 30.07.1988
Авторы: Заболотный, Максимов, Петричкович
МПК: H03K 19/08
Метки: состояниями, тремя, элемент
...относится к импульсной технике и может быть использовано при построении цифровой аппаратуры с шинной организации обмена.5Целью изобретения является повышение надежности устройства путем минимизации числа используемых элементов.На чертеже представлена электри"ческая принципиальная схема элементас тремя состояниями.Устройство содержит информационную шину 1, соединенную с первым вхо"дом И-НЕ элемента 2, выход которогосоединен с затвором р-транзистора 3, 15исток которого соединен с шиной питания 4, а сток - со стоком первогои-транзистора 5 и выходной шиной 6,общую шину 7, шину управления 8, сое"диненную с вторым входом И-НЕ элемента 2, второй п-транзистор 9, затворкоторого соединен с шиной управления8, сток - с истоком первого...
Элемент с тремя состояниями
Номер патента: 1420664
Опубликовано: 30.08.1988
Авторы: Заболотный, Максимов, Петричкович
МПК: H03K 19/094
Метки: состояниями, тремя, элемент
...И-НЕ 2 и ИЛИ-НЕ 3,20 первые входы которых соединены с входной информационной шиной 4, а вторые подключены к прямой 5.и инверсной 6 соответственно шинам управления, первый 7 и второй 8 инвертирующие эле менгы задержки, включенные соответственно между выходом логического элемента И-НЕ 2 и ИЛИ-НЕ 3 и третьим входом логического элемента ИЛИ-НЕ 3 и И-НЕ 2, выходы логических элементов 30 И-НЕ 2 и ИЛИ-НЕ 3 соединены с входами первого 7 и второго 8 элементов за-держки соответственно, а первый 9 и второй 10 входы двухтактного инвертора 1 соединены соответственно с входами элементов 7 и 8, выходной двух тактный. инвертор 1 состоит из двух МДП-транзисторов разного типа проводимости 11 и 12 соответственно, объ" единенные истоки транзисторов...
Элемент с тремя состояниями на кмдп-транзисторах
Номер патента: 1492467
Опубликовано: 07.07.1989
Автор: Аскалепов
МПК: H03K 19/094
Метки: кмдп-транзисторах, состояниями, тремя, элемент
...уровнем напряжения с общей точки 13 транзисторов 5 и 6 п-типа, так как второй транзистор 5 и-типа открыт сигналом высокого уровня с дополнительного выхода 14 элемента ИНЕ 1. В этом состоянии выходная клемма 12 устройства отключена от шины 10 питания и общей шины 11 и находится в состоянии с высоким выходным сопротивлением - в третьем состоянии.Когда управляющий сигнал, подаваемый на вторую входную клемму 8 устройства, соответствует логической "1", на дополнительном выходе 14 элемента И-НЕ 1 устанавливается сигнал низкого уровня, вторые транзисторы 3 и 5 обоих типов закрываются, а третий транзистор 6 и-тииа ири этом открыт и обеспечивает передачу напряжения с выхода 9 элемента И-НЕ "1 в общую точку 13. Таким образом, на затворы первых...
Спектротрон-спусковое устройство с несколькими устойчивыми состояниями
Номер патента: 1508283
Опубликовано: 15.09.1989
Авторы: Вишневский, Сигорский, Ситников, Утяков
МПК: G11C 11/56
Метки: несколькими, состояниями, спектротрон-спусковое, устойчивыми
...диодный мостик Ю - Р 4Выпрямленный ток 1 выходно али мостика подается в обмотки агничивания Ь 1.+, управляя резо ой частотой контура СЬ,Ь.Величина управляющего тока 1 пределяется, в свою очередь, то ностью настройки контура на ту или иную составляющую спектра напряжен питания. Таким образом, устройстФормула изобретенияСпектротрон - спусковое устройство с несколькими устойчивыми состояниями, о т л и ч а ю щ е е с ятем, что, с целью упрощения устройства и увеличения его надежности,оно состоит из резонансного магнитного или диэлектрического усилителя,выход которого соединен с входом,а выход питания подключен к источнику с заданным линейчатым спектром,Составитель В.Ст Редактор М,Циткина Техред А.Кравчув Корректор Т.Кол 558 Заказ 5546/54 -...
Выходное устройство с тремя состояниями на кмдп транзисторах
Номер патента: 1539994
Опубликовано: 30.01.1990
МПК: H03K 19/094
Метки: выходное, кмдп, состояниями, транзисторах, тремя
...заряжаться от шины 10 питания, и на выходе 8 устройства Формируется сигнал "1". 6На первом этапе переключения бла" годаря наличию элемента 13 задержки сигналы на входах 15 и 17 стробируемого блока 16 сравнения не успевают измениться, что обеспечивает начало сраЬатывания логических элементов И-НЕ 5 и ИЛИ-НЕ 4. Величина задержки элемента 13 задержки выбирается примерно равной времени Формирования сигнала на выходе 8 устройства на заданном уровне напряжения, например на уровне порогового напряжения транзисторов. В дальнейшем сигналы на входах 15 и 17 стробируемого блока сравнения изменяются синфазно, что гарантирует завершение процесса переключения,При наличии единичных сигналов на этих входах состояние строЬируемого блока 16 сравнения не...
Постоянное запоминающее устройство на элементах памяти с 2 логическими состояниями
Номер патента: 1552228
Опубликовано: 23.03.1990
Авторы: Лихацкий, Романов, Филатов, Шубин
МПК: G11C 11/00
Метки: запоминающее, логическими, памяти, постоянное, состояниями, элементах
...(т.е. на дополнительном выходе 15 устройства) формируется сигнал высокого уровня, кото 5 рый информирует пользователя о необходимости прекращения цикла программирования для данного ЭП 2, Этот же сигнал обеспечивает через элемент ИЛИ-НЕ 10 отключение усилителя 9 10 программирующих импульсов. Если схема 7 сравнения указывает на несовпадение кодов, то внешними средствами сигнал.на первом управляющем входе 16 переводится в состояние низкого уровня, блокируя в текущем состоянии все усилители 5 считывания и разрешая работу усилителя 9 программирующих импульсов. При этом число формируемых программирующих импульсов 20 должно быть таким, чтобы приращение заряда на плавающем затворе -транзистора ЭП 2 вызывало приращение 6 Б потенциала на...
Логический элемент с тремя состояниями на комплементарных мдп-транзисторах
Номер патента: 1562967
Опубликовано: 07.05.1990
Авторы: Габсалямов, Лашевский, Цветков, Шейдин
МПК: H03K 19/094
Метки: комплементарных, логический, мдп-транзисторах, состояниями, тремя, элемент
...р-типа первого инвертора открыт, а транзистор 8 и-типа закрыт, Транзистор 4 р-типа второго инвертора закрыт, а транзистор 5 п-типа открыт, транзистор 6 р-типа закрыт. На затвор транзистора 9 р-типа поступает1Лог. 1 через транзистор 7 р-типа, а на затвор транзистора О и-типа поступает "Лог. 0" от общей шины через транзистор 5 п-типа, Транзисторы 9 и 10 закрыты и на выходной шине 12 устанавливается "третье состояние" независимо от вида сигнала на информационной шине 1, Рабочее состояние элемента представляется двумя режимами: режим предзаряда и режим передачи.В режиме предзаряда на первую и вторую управляющие шины 14 и 15 подаются сигналы "Лог. 1", а на информационную шину 1 - сигнал "Лог. 0". Тогда транзисторы 2, 5 и 8 открыты,...
Элемент с тремя состояниями
Номер патента: 1599985
Опубликовано: 15.10.1990
Автор: Берлинков
МПК: H03K 19/094
Метки: состояниями, тремя, элемент
...Цель изобретения - повышение быстродействия, Элемент содержит Р-канальные МДП-транзисторы1, 2, 3 и И-канальные МДП транзисторы 4, 5, 6. Поставленная цель достигается за счет введения новых электрических связей между функциональными элементами. 1 ил. ных сигналов управления. Исзисторов 3 и 5 соединены синформационных сигналов.Элемент работает следующи Так как в исходном положении н затворе транзистора 1 установлен уровень напряжения питания, а на затворе транзистора 4 - уровень о1599985 10 Составитель А. ЦехановскийТехред М:Дидык Корректор А. Осауле РедакторИ. Каса ираж 66 Подписноеням прн ГКНТ СС/5 Заказ 3150 ННИИПИ Госу ственного комитета по изобретениям и открь 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.оиэводственно-издательский...
Элемент с тремя состояниями
Номер патента: 1631716
Опубликовано: 28.02.1991
Авторы: Габсалямов, Сегаль, Цветков, Шейдин
МПК: H03K 19/094
Метки: состояниями, тремя, элемент
...3 и 4 тора 5 соединены с и и-типа транзисто1631716 оставитель А.Цехаровскиехред Л,Олийнык А.Обручар Кор Горва ак Заказ 556 ВНИИПИ Го ельский комбинат "Патент", г род, ул. Гагарина,и оизводс Устройство работает следующим образом.Пусть на шину 2 подан управляющий сигнал нулевого уровня, При этом ключевой транзистор 3 и транзистор 7 закрыты. Ключевой транзистор 4 открыт и на затворы транзисторов 6 и 8 поступает сигнал единичного уровня, Транзистор 6 закрывается и на выходной шине 11 устанавливается третье состояние, независимо от вида сигнала на шине 1, Транзистор 8 открыт и емкость цепи его стока и истока транзистора 7 разряжается на общую шину 9, Пусть на шине 1 установлен сигнал нулевого уровня. При подаче на шину 2 сигнала...
Элемент с тремя состояниями
Номер патента: 1653151
Опубликовано: 30.05.1991
Авторы: Беленький, Берлинков, Каминский
МПК: H03K 19/094
Метки: состояниями, тремя, элемент
...питания. р-Канальныйтранзистор 4 остается закрытым, не смотря на высокий потенциал его истока, так как одновременно повышается потенциал его затвора через емкостную связь, осуществляемую конденсатором 18.Транзисторы 1 и 2 необходимы дляобеспечения в режиме восстановленияполного напряжения питания в соответствующих узлах. Без этих транзисторов напряжение на затворахтранзисторов 3 и 7, 4 и б.составилобы Еп - Ч-, где Еп - напряжениеисточника питания, а Ч - пороговое .напряжение транзисторов 13 и 14.Пониженное исходное напряжение назатворах транзисторов, 3 и 7, 4 и 8привело бы к необходимости увеличения емкости конденсаторов 17 и 18для обеспечения надежного запираниятранзисторов 3 или 4 в рабочемрежиме.В случаях же использования...
Элемент с тремя состояниями
Номер патента: 1698982
Опубликовано: 15.12.1991
Авторы: Бантюков, Ершов, Яковенко
МПК: H03K 19/08
Метки: состояниями, тремя, элемент
...13. Так как закрыт транзистор 13, то отсутствует ток в цепи: шина 24 - параллельно соединенные резистор 14-змиттер-база транзистора 17 - резистор 15 - коллекторэмиттер транзистора 13 - общая шина 25, и поэтому закрыт транзистор 17, Таким образам, в этом случае ат выходной шины отключены и шина,24 и общая шина 25 источника питания, т.е. элемент с тремя состояниями находится в "третьем" - высакаимпедансном состоянии.Допустим, что на шине 23 В исходном состоянии имеется нулевой сигнал, тогда в момент появления на шине 22 нулевого сигнала появляется единичный сигнал на выходе эл 81, нта НЕ-И 2 (на выходе элемента НЕ-И 3 сохраняется нулевой сигнал) и, вследствие этага, открывается транзистор 6 и начинает протекать ток па цепи, шина...
Пружина с двумя устойчивыми состояниями равновесия
Номер патента: 1745136
Опубликовано: 30.06.1992
Автор: Хенрик
МПК: F16F 1/18
Метки: двумя, пружина, равновесия, состояниями, устойчивыми
...4, торцами закрепленныхв частях 2 и 3 симметрично и с зазором относительно продольной оси пружины. Соединительные элементы 1 могут быть выполненыупругими. Части 2 и 3 могут быть соединенымежду собой под углом у(фиг.1 и 2), под,углами уи-у(фиг,4 и 5) или у=180(фиг,7 45и 8), Кромки частей 2 и 3 выполнены с угломр.пластины 4 закрепляются в частях 2 и 3либо недеформированными (фиг,1 и 2), либопредварительно сдеформированными(фиг.4, 5, 7, 8), 50Пружина работает следующим образ.ом.Пример исполнения по фиг,1 из положения равновесия.Пружину деформируют, прикладывая 55моменты М и -М, при этом деформация определяется углом а (фиг.З), При1а =- а 1;а = а 2; и = а 2 моменты равны нулю, причем при а =а 1 и а =а 2 пружина находится в состоянии...
Упругий элемент с двумя устойчивыми состояниями
Номер патента: 1798560
Опубликовано: 28.02.1993
Автор: Машуков
МПК: F16F 1/10
Метки: двумя, состояниями, упругий, устойчивыми, элемент
...он постепенно уменьшает свою кривизну, а края его свободно раздвигаются на опоре, До достижения критической нагрузки упругий элемент 1 работает как пластинчатая цилиндрическая пружина со свободным перемещением кра 2(57) Изобретение относится к машиностроению, а именно к упругим йластинчатым чув-. ствительнымэлементам. Сущность: упругий . элемент выполнен из пластины пружинистой стали, прошедшей следующую обработку: изгиб вокруг оси Х до образования наклепа на лицевой поверхности пластины, а затем изгиб вокруг оси У в обратную сторону до образования наклепа на обратной поверхности, при этом угол между осями Х и У выбран равным 900. 2 ил. ев, При достижении плоского состояния упругий элемент 1 мгновенно выщелкивает, переходят во второе...
Способ лечения больных с гнойно-септическими состояниями
Номер патента: 1806758
Опубликовано: 07.04.1993
Авторы: Неймарк, Рогачевский
МПК: A61M 1/34
Метки: больных, гнойно-септическими, лечения, состояниями
...риск возможных осложнений и используется только одна вена больного. При необходимости процедуру можно повторить.С целью сравнения клинического эффекта способа-прототипа и предлагаемого были обследованы две группы больных (по 30 в каждой) с различным гнойным перитонитом,У больных.1-й группы проводили перфузию крови через ксеноселезенку по способу-прототипу, У больных 2-й группы перфузию крови осуществляли самотеком. При этом исследовали лейкоцитарный индекс интоксикации, гематологический показатель интоксикации, уровень средних молекул, мочевину, креатинин крови, клеточное и гуморальное звенья иммунитета и оценивали клиническое состояние больных.Установлено, что в обеих руппах детоксикационный и иммуномодулирующий эффект перфузии крови...