Элемент с тремя состояниями

Номер патента: 1099791

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 29/78

Метки: n-канальный, интегральный, моп-транзистор

...эффекты, если и- канальный транзистор используется в КМОП структуре, а также более эффективно, т,е. с уменьшением потерь, передавать потенциал подложки между транзисторами в интегральных схемах.При этом, поскольку зона с повышенной концентрацией акцепторной примеси удалена от областей стоков, повышение концентрации в ней не приводит к ухудшению таких параметров, как токи утечки и пробивные напряжения, а также емкостей стоковых переходов, а это ведет к снижению потребляемой мощности, повышению надежности и быстродействия интегральных схем, использующих и-канальные транзисторы с заявляемой конструкцией.В соответствии с изобретением была изготовлена К-МОП ИС, включающая выполненные в кремниевой подложке КЭЭ 4,5 с ориентацией поверхности...

Номер патента: 1287231

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Свердлов, Соскин

МПК: G11C 11/40

Метки: варианты, его, записи, информации, канальном, моп-транзисторе, памяти, элемент

...электронов из объемной части истокового р-и перехода в объем подложки, В результате концентрация электронов в подложке транзистора возрастает.Эти электроны, попадая в ОПЗ, созданную затвором под каналом транзистора, увлекаются полем к поверхности, приобретая энергию, достаточную для преодоления барьера между крем,нием и окислом.Процесс инжекции из подложки происходит при меньших потенциалах ижектирующей области, чем инжекция иэ канала. Поэтому плавающий затвор при таком процессе получает больший заряд, что ведет к большему сдвигу порогового напряжения, т.е. более эффективной записи.Вторичный пробой стокового р-и пе рехода транзистора может быть вызван различными путями: увеличением стокового напряжения при записи; подачей на...

Номер патента: 1316073

Опубликовано: 07.06.1987

Авторы: Андреев, Гинзбург, Лебедев

МПК: H03F 3/45

Метки: мдп-транзисторах, операционный, усилитель

...транзистора 5 увеличилось на величину По51015 20 25 30 35 40 45 50 55 Таким образом, использование операционного усилителя на ИДП-транзисторах для области напряжений вблизи потенциала шины источника 7 питания позволяет повысить коэффициент усиления не менее, чем в 10 раз.Это достигается эа счет того, чтов качестве управляющих транзисторовдифференциального каскада используются п-канальные транзисторы, обладающие лучшими усилительными свойствами по сравнению с р-канальными,а также эа счет того, что управлениеэтими и-канальными транзисторами,находящимися в кармане, производится и по затвору, и по подложке(двойное управление),Формула изобретения Операционный усилитель на ИДП- транзисторах, содержащий первый делитель напряжения,...

Номер патента: 1062785

Опубликовано: 23.12.1983

Авторы: Баранов, Григорьев, Исаев, Поплевин, Савостьянов

МПК: G11C 11/4091, G11C 7/06

Метки: дополняющих, мдп-транзисторах, считывания, усилитель

...донапряжения переключения инверторов,которые открывают первый и второй разрядные транзисторы. При этом оба выхода усилителя обнуляются, причемэто состояние схемы сохраняется, что эквивалентно потере работоспособности запоминающего устройства.Поэтому известный усилитель неможет быть использован в случаепредъявления повышенных требований к разбросу пороговых напряжений-канальных транзисторов.1Цель изобретения - повышение надежности усилителя за счет устойчивости к изменению пороговых р-канальных транзисторов при сохранении высокого быстродействия.Поставленная цель достигается тем, что усилитель считывания для запоминающего устройства на дополняющих МДП-транзисторах, содержащий первый и второй переключающие р-канальные транзисторы,...

Номер патента: 1775853

Опубликовано: 15.11.1992

Автор: Каминский

МПК: H03K 19/0175

Метки: кмоп-транзисторах, логических, преобразования, сигналов, уровней

...выходного сигнала, а конденсатор включен между шинами входного и выходного сигналов. Дополнительные транзисторы и конденсаторы, а также связи между ними и транзисторами ограничительной части, описанные выше, не встречаются в известных авторам схемах аналогичного назначения, но в то же время в совокупности они обеспечивают выполнение функций известных устройств преобразования уровней логических сигналов с меньшим потреблением мощности (за счет исключения статических токов). Таким образом перечисленные признаки являются новыми и существенными,На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства преоб раэования уровней логических сигналов наКМОП-транзисторах.Схема содержит и-канальный транзистор 2, вход которого соединен с...