Патенты с меткой «поля»

Номер патента: 842651

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Балашов, Левитас, Радауцан, Тон

МПК: G01R 33/02

Метки: градиента, датчик, магнитного, поля

...две полупроводниковые параллель но расположенные полоски, соединенные между собой проводящей перемычкой. Полупроводниковые полоски выполнены из магниторезистивного материала и вместе с проводящей перемычкой эакреплены 25 на керамической подложке. Выходнойсигнал является дифференциальным от двух сигналов, пропорциональных значениям сопротивлений полупроводниковых полосок, зависящих от величины магнит ом данного устройства являая точность измерения.-35, Раушская наб. 3 ТиражИ Государстлам иэобреМосква,илиал ППП Патент, г. Ужгород, ул . Проектна Датчик работает следующим образом,По полупроводниковым полоскам 1, перемычке 2 и проводящим упругим элементам 3 пропускается постоянный ток в случае переменного и переменный в случае постоянного...

Номер патента: 842653

Опубликовано: 30.06.1981

Автор: Баранов

МПК: G01R 33/02

Метки: напряженностимагнитного, поля

...в держателесвязанный валом 3 с шестерней 4,вращающейся в направлении 5, когдасателлит 6 ручного привода 7 поворачивают против хода часовой стрелки.При этом катушка 8 Гельмгольца, закрепленная в держателе 9 и связаннаяс шестерней 10 полым валом 11, сквозькоторый пропущен вал 3, вращается внаправлении 12, противоположном направлению 5 (фиг. 1) .Геркон 1 подключен к источнику 13постоянного тока через индикатор-лампочку 14. Катушка 8 через токостаби Олизирующий каскад 15 и кнопку 16 присоединена к источнику 17 напряженияпостоянного тока (фиг. 2),способ осуществляется следующимоаэом. 25Зафиксировав геркон 1 и катушку 8в указанном на фиг,1 положенииручнымприводом 7 вращают сателлит 6 противчасовой стрелки При этом шестерня 4выведена иэ...

Номер патента: 680567

Опубликовано: 07.07.1981

Автор: Климовская

МПК: H01L 43/06

Метки: датчик, магнитного, поля

...пробега по импульсу, длиной энергети.ческой релаксации, длиной внутридолинного пробега, длиной спиновой релаксации. Смысл этих длин состоит в том, что после соударения, например с дефектом кристалла,носитель на характерной длине не изменяет свой характерный парамет, т.е, импульсэнергию, номер длины и спин. Ограничивающие полупроводниковый образец поверхности являются тем дефектом, подходя к которому носители рассеиваются, т.е. изменяют все свои характерные параметры. Поэтому отражаясь от поверхности, в слое, равном соответствующей характерной длине, они двигаются без изменения характерного параметра, Сила Лоренца, являющаяся функцией характерного параметра, по разному отклоняет носители с разными характерными параметрами, в...

Номер патента: 845119

Опубликовано: 07.07.1981

Авторы: Брагин, Гусельников, Игнатенко, Кочеев, Машков, Пушкин, Тютин

МПК: G01R 29/12

Метки: датчик, поля, электростатического

...предусилитель расположен 15 непосредственно в электроде, то всхеме отсутствует кабель, их соединяющий, шунтировавший своей емкостьювыход электрода. В результате этогосущественно возрастает чувствительф ность датчика. Кроме того, исключаются шумы, обусловленные вибрацией кабеля. Это достигается тем, что затворполевого транзистора, используемогов качестве предусилителя, подключеннепосредственно к электроду.Выполнение корпуса и электродав виде конусов позволяет увеличитьнапряженность поля у поверхности электрода, а следовательно, также повыЗ 0 сить чувствительность устройства.845119 Формула изобретения 1 Составитель Н. МорозовРедактор Б. Федотов Техред С. Мигунова Корректор Н. Ивыдкая Тираж, 732 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета...

Номер патента: 849400

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Алексеев, Беседин, Иванов

МПК: H02P 5/06

Метки: pebepcom, поля, реверсивный, тиристорный, электропри-вод

...одного иэ реле направлений "Вперед" или "Назад" Вили Н) на входы регулятора 3 и нульоргана 36 поступает задающее напряжение, Кроме того, на вход узла останова двигателя 43 поступает сигнал,который воздействует через управляющий орган 19 на узел токоограниче.ния 12. При этом расшунтируется выходрегулятора 3 и разрешается перевод5 8494 управляющих импульсов в обоих узлах импульсно-фазового, управления 7 и 30 с максимального угла регулирования д гс 1. Полярность задающего сигнала определяет срабатывание блока логики 42 в направлениях "Вперед" или "Назад", блок логики замыкает ключ 5 или 6 на выходе регулятора 3, ключи 41 или 42 на выходе регулятора тока возбуждения и ключ 3.1 или 32, пода вая управляющие импульсы на один из комплектов...

Номер патента: 851291

Опубликовано: 30.07.1981

Авторы: Короткий, Муравицкий, Семенов

МПК: G01R 33/02

Метки: датчик, магнитного, поля

...контролируемым током, направлены встречно, поэтому ЭДС,наводимые в измерительных обмотках 4 и 5, суммируются вследствие их дифференциального включения и на выходе датчика появляется сигнал, содержащий информацию о контролируемом токе. При.наличии помехонесущего токо- провода 9 рядом с контролируемым в стержнях 2 и 3 сердечника наводятся магнитные потоки помех Ф) и Ф 2 соответственно. Благодаря наличию магнитопровода б поток помехи Ф возрастает вследствие уменьшения воздушного зазора, по которому замыкаются магнитные силовые линии помехи через стержень 2, С другой стороны, магнитный поток Ф 2 несколько уменьшается вследствие экранирующего действия магнитопровода б (некоторая часть магнитного потока Ф 2 теперь замыкается по более...

Номер патента: 851292

Опубликовано: 30.07.1981

Автор: Бобков

МПК: G01R 33/02

Метки: параметровмагнитного, поля

...контура и непересекающей" ся с ним, при этом обмотка возбуждения размещена на дополнительном кольцевом ферромагнитном сердечнике, а оба сердечника, разделенные электростатическим экраном, размещены в замкнутой полости витка связи соосно с осью, расположенной в плоскости контура и непересекающейся с ним. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент США У 3421074, кл. 32442, .1970,2. Гейгер В. Магнитометр с насыщенным тороидальным сердечником,Электроника:. М., Мир, 1962, т. 25,9 22, с, 29-35.:вязи соосно с осью, расположеннойв плоскости контура и непересекающейся с нимНа фиг 1 изображена конструкцияпредлагаемого устройства; на фиг. 2разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - разрез Б-Б на фиг. 1.5Устройство содержит кольцевой...

Номер патента: 852190

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Ван, Киньшаков

МПК: A01B 13/16

Метки: задержания, наповерхности, орудие, поля, снега

...лыжи-, , потнители 3, на которых смонтированы отПОВЕРХНОСТИ ПОЛЯ валы 4. На лыжах 3 перед рабочей поверх - ностью отвалов шарнирно закреплены штанги б, установленные перпендикулярно направлению движения, на которых закреплены 5 ножи-рассекатели 6. Лезвие А каждого ножа6 выполнено под углом а к вертикальной плоскости.Снежный монолит, обрабатываемыйложенным орудием, состоит из корк 10 мягкого подкоркового слоя В.После прохождения орудия поле состоитиз уплотнительных снежных полос Г и валиков Д, содержащих пласты снега Е,Орудие работает следующим образом.15 Посредством автосцепки 2 раму 1 соединяют с трактором. При движении орудия лыжи-уплотнители Зуплотняют находящийся под ним снег, создавая уплотненные полосы Г. Ножи 6, установленные на...

Номер патента: 853424

Опубликовано: 07.08.1981

Автор: Логвиненко

МПК: G01B 7/16, G01K 7/01, G01R 33/06 ...

Метки: магнитного, механи-ческих, напряжений, напряженности, поля, температуры

...образованный областями 2 и 4 пластины 1, контакт 10; контакт б, область 2 пластины 1, контакт 8, входное сопротивление измерителя напряжения, подключенного к контактам 8 и 10, контакт 10. Измеритель напряжения входит в состав измеритель. ной схемы. Соотношение между токами в указанных цепях будет определяться соотношением сопротивления р-и-перехода и входного сопротивления измерителя напряжения. Для эффективной совместной работы термодиода и измерителя напряженности магнитного поля это соотношение следует выбирать таким образом, чтобы ток первой цепи, т.е. ток термодиода, был в пределах (10-50)10А. Протекание тока от контакта б к контакту 8 через область 2 вйэывает инжекцию носителей тока в эту область, имеющую малую толщину (2-5 мкм)...

Номер патента: 853751

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Баранник, Ижеля, Камрат, Луцив, Мазур

МПК: G01R 31/34, G01R 33/02

Метки: бегущегомагнитного, короткозамкнутыхвитков, линейных, наличия, поля, проверки, электродвигателях

...9, 10 и подвижного контакта 11, из магнитного материала. Подвижный контакт выполнен в виде зубчатого сектора со стабилизирующим свинцовым грузиком 12 и посажен на ось 13, закрепленной на втулках 14. Электрические цепи узла 1 индикации, наборной штанги 6 и датчика соединяются шнеккерными разьемами 15.Устройство работает следующим образом.При подключении обмотки линейного электродвигателя на пониженное напряжение, датчик 7 помещается над первым пазом. Продольная ось датчика должна совпадать с направлением движения поля, а нижняя часть находится на поверхности индуктора.Бегущее магнитное поле пересекает чувствительный элемент - подвижный контакт 11, который имеет неподвижную магнитную проводимость вследствие своей зубчатости, что приводит...

Номер патента: 855553

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Барабаш, Литовченко, Трегуб

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, поля, релаксации, эффекта

...от генератора 3. От источника напряжения Г прикладывают к образцу 1 постоянное тянущее поле. Резисторы и конденсаторы образуют мостовую схему, в которую включают исследуемый образец 1. Сигнал, снимаемый с образца 1, после прохождения фазовращателя 4, усиливается дифференциальным усилителем 5 и регистрируется осциллографом 6 и вольтметром 7. 15На фиг. 2 изображена осциллограмма напряжения, снимаемого с образца при подаче на полевой электрод прямоугольного импульса модулирующего напряжения, по которой предварительно 20 определяют время релаксации эффекта поля на участке спада кривой) и измеряют величину О квазиравновесного значения напряжения.После предварительного определения параметра по осциллограмме напряжения, снимаемого с...

Номер патента: 855559

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Карпиловский, Раскин, Сахин

МПК: G01R 33/02

Метки: датчик, магнитного, поля

...ее проекции Нна найравление О, которое перпендикулярно плоскости диска 12, и следовательно, перпендикулярно току в нем.Аналогично, диск 13 может регистрировать величину проекции Й на направление О. Если рассмотреть другие диски Корбино, на которые разбита область, то можно придти к выводу,что каждый из них регистрирует величину проекций одного и того же вектора Й на различные направления. Если устремить число таких дисков к бесконечности и принять во внимание,что все они включены квазипараллельно (у них один общий электрод - центральный, а в качестве другого служит слой проводящего материала, нанесенный на боковую поверхность сферы),то в результате получают интегральный эффект, т.е. регистрацию величины вертикальной составляющей Й. Так...

Номер патента: 855560

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Пугачев

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, поля

...6 и 7.Верромагнитный экран й окружает ре .вонансный звукопровод 5,отсчетный855560 Формула изобретения 15 Составитель Е.ДанилинаРедактор Л.Повхан Техред Ж. Кастелевич Корректор Н. С О/64 Тираж 732 ВНИИПИ Государственногопо делам изобретений и 035, Москва, Б, Раушск ПодписноССР ака комитета С открытий ая наб , д. 4/5Патент", г. Ужгород, ул. Проектная илиал прибор 9 подключен к усилителям 6 и 7.Устройство работает следующим образом.При включении усилителей 6 и 7 между пьезопластинами 1 и 2 в звукопроводах 4 и 5, заполненных электропроводящей жидкостью, например ртутью, возникает акустический резонанс. Частота этого резонанса определяется собственными резонансными частотами пьезопластин, расстоянием между ними и акустическими...

Номер патента: 855562

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Пугачев

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, поля

...содержит пьезопластину1, резонаторы 2.и 3, немагнитныйкорпус 4, ферромагнитный стержень 5.2 Пьезопластина 1 с симметричными ре-,зонаторами 2 и 3 на поверхностныхакустических волнах закреплена внутри немагнитного корпуса 4 между егооснованиями. Ферромагнитный стержень30 5 закреплен к краям пьезопластины 1855562 формула изобретения Составитель Г.ЗмиевскаяТехред Ж, Кастелевич Коррект Коста дактор Л.Пов Тираж 73 дарственного изобретений Ж, РаушсЗаказ 6900 Подписноекомитета СССРоткрытийая наб д. 4/5 ВНИИПИ Го по дела 113035, Москвилиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 в ее средней части и к нижнему основанию корпуса 4.Устройство работает следующим образом.В начальный момент, когда отсутствует магнитное поле, резонансные...

Номер патента: 855563

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Пугачев

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, поля

...8, заполненного жидкостью 9. Отсчетное устройство 10 подключено к усилителям 11 и 12, в цепи положительных обратных связей которых включены пьезопластины 1 и 2.Устройство работает следующим образом.При включении усилителей 11 и 12 между пьезопластинами 1 (дополнительными) и пьезопластинами 2 в резонансных камерах 3 и 4, заполненных жидкостью 9, диаметр которых 5-50 мм, а длина 0,1-100 мм, возникает акустический резонанс. Частота этого резонанса определяется собст 1 венными резонансными частотами пьезопластин, расстоянием между ними и акустическими параметрами жидкости. При внесении устройства в магнитное, поле, которое беспрепятственно проходит через стенки немагнитного цилиндра 8, изменяется длина ферромагнитного стержня 5 и...

Номер патента: 855564

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Горбунов, Ижиков

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, поля

...датчик 1 магнитного поля (фиг.1), разделительный конденсатор 2, балансный усилитель 3 тока, емкостной фильтр 4 балансного усилителя, ограничительныйциод 5, дифференцирующий усилитель6, емкостной фильтр 7,Устройство работает следукщим образом.Датчик магнитного поля выполненв виде двойного Т-образногС пермаллоевого сердечника с двумя последовательно соединенными обмоткамиТакая форма сердечника необходима дляболее широкого и равномерного эахвата линий магнитного поля, если источник магнитного поля сместитсявдоль датчика 1. При изменении магнитного поля в обмотках датчика 1наводится ЭДС, На концах обмоток появляется также наведенная посторонняя синфазная помеха. Эта наведеннаясинфазная помеха не проходит на выход балансного усилителя 3...

Номер патента: 855565

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Калиниченко

МПК: G01R 33/02

Метки: значения, индукции, магнитного, поля, постоянного, среднего

...вытянуто последуемое поле. Длина каждого проводника Е. Конструкция,обеспечивающая системе проводников возможность занимать необходимое положение в измеряемом полЕ, должна обеспечивать системе проводников одну.степень свободы вдоль оси Х и одночетко выраженное положение устойчивого равновесия,Полагают,что через первый проводник пропускают эталонный ток 3 , направленный вдоль оси У., а через второй проводник в противоположном направлении пропускают регулируемый ток 3 . В общем случае направление вектора магнитной индукции В может не совпадать с направлением оси 2 и полное поле может быть представлено тремя компонентами В, В и В. КомпоненТа В вызывает силы, действующие на проводники в направлении оси 2 , ти силы уравновешиваются...

Номер патента: 855646

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Клименко, Поляков, Стеценко, Тихомиров

МПК: G05F 7/00

Метки: магнитного, напряженности, поля, стабилизации, токопроводов, электрооборудования

...подключен первичный индукционный преобразователь, выход усилителя включен в разрыв вторичной цепи трансформатора тока.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема устройства,Первичная обмотка 1 трансформато ра тока включена в главную цепь 2 электрооборудования, Вторичная обмотка 3 трансформатора тока подключена к компенсационной катушке 4. В разрыв вторичной цепи в точках 5"6 20 включен выход усилителя 7. Первичный йндукционный преобразователь 8 представляет собой измерительную обмотку, которая преобразует индуктируемый в ней раэностный сигналФН между исходным полем щита НФ н полем Нк компенсационного устройства в ток, поступающий на вход усилителя 7. Первичный преобразователь 8 осуществляет гибкую отрицательную обратную...

Номер патента: 859830

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Матецкий, Шевцов

МПК: G01H 3/10

Метки: звука, параметров, поля, скорости

...в исследуемой среде, Пройдя плоскопараллельную пластину 6 колебания попада ют на приемник 4 акустических колебаний. Если поле скорости звука всреде обладает пространственной изменчивостью с некоторым градиентом,то пучок ультразвукового излученияотклоняется от своего первоначальногонаправления на угол, величина которого пропорциональна проекции градиента, перпендикулярной к направлениюизлучения. Так как коэффициент передачи плоскопараллельной пластины 6 нафиксированной частоте зависит отугла прихода ультразвуковых колебаний, то следовательно, амплитудапрошедшего через нее сигнала зависитот величины градиента скорости звука в среде, В приемнике 4 ультразвуковой сигнал преобразуется в электри...

Номер патента: 862086

Опубликовано: 07.09.1981

Автор: Чаусовский

МПК: G01R 33/00

Метки: датчик, магнитного, напряженности, поля

...магнитного поля. Это позволяет оградуировать шкалу электроизмерительного прибора 7 непосредственно в нь- единицах напряженности магнитного поля.Предложение использовать известныймеханотрон квк датчик для измерения напряженности магнитного поля имеет преимущества, так как этот датчик позволяет получить мощный выходной электрический сигнал и без дополнительных преобразователей производить высокоточное ивысокочувствительное регистрирование изменения величин напряженности внешнихмагнитных полей. Одновременно присущаямехапотрону миниатюрность конструктивного оформления и возможность вести непрерывную автоматическую регистрациюего выходного сигнала обеспечивает возможность автоматической регистрации изменений...

Номер патента: 864187

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Зимин, Кочанов

МПК: G01R 29/12

Метки: датчик, переменного, поля, проводимости, токов, электрического

...внешнего помехонесущего поля, а сгуститель выполнен в виде сплошного проводящего 2 О тела с расположенными симметрично относительно его оси двумя одинаковыми полостями, внутри которых размещены указанные катушки.На фиг. 1 представлено схематическое изображение конструкции датчика; на фиг. 2 - разрез сгустителя 1 по мидель-шпангоутному сечению.В центре цилиндрических полостей 2 сгустителя 1 помещены измерительные индукционныекатушки 3, вклю- ЗО ченные встречно-последовательно и подключенные к усилителю 4, выход которого соединен с регистратором 5.Принцип работы датчика поясняется на примере датчика .со сфероидальным 35 сгустителем длиной 26 и диаметром в мидель-шпангоутном сечении 2 В.При помещении укаэанного датчика (фиг.1 и...

Номер патента: 864199

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Афанасьев, Порфиров, Смирнов

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, неоднородности, параметров, поля

...расстоя нии от точки пересечения базовых осей,На чертеже изображена структурнаясхема устройства для измерения параметров неоднородности магнитногополя.щ Устройство содержит три блокаградиентометрических датчиков 1,2и 3, каждый из которых состоит издвух однокомпонентных магнитометрических преобразователей 4 и 5, 6 и7, 8 и 9, три синхронных детектора10, 11 и 12, генератор тока 13, выходы которого подключены ко входампреобразователей 4, 5, 6, 7, 8 и 9и входам коммутации синхронных детекторов 10, 11 и 12, регистрирующий 30 прибор 14, входы которого подключены к выходам детекторов 10, 11 и 12,и жесткое немагнитное основание 15,на котором расположены блоки градиентометрических датчиков 1,2 и 3.35 Оси преобразователей 4 и 5 параллельны между...

Номер патента: 864202

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Григорьев, Лимберов

МПК: G01R 33/02

Метки: азимутальной, магнитного, неоднородности, поля

...Функциональная схема устройства.Устройство содержит измерительный датчик 1, блок измерения неоднородностей магнитных полей 2,.бдок. измерения неоднородностеймагнитных, долей 2 блок вычитания 3, формиро-ватель сстроконечных импульсов 4, блок задержки импульса 5, формирователь стробимпульсов 6, ключ 7 и индикатор 8, а также второй ключ 9, сумматор 10, блок отношений 11, переключатель 12 и контрольный датчик 13, опорный по амплитудеф.Если переключатель установлен в положение Н, то получаем полную схему известного устройства. При переводе его в положение н получаем прибор, позволяющий измерить величину С 05 Ч , что обычно необходимо знать при подключении многих нагрузок,т.е. определять, индуктивный или емкостной характер имеет...

Номер патента: 864205

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Агаджанян, Адонц, Мурадян, Оганесян, Папазян, Хачатрян

МПК: G01R 33/032

Метки: величины, магнитного, поля

...часть излучения (зондирующий сигнал), проходя через полупрозрачное зеркало 3, направляется в среду 4. Направление распространения зондирующего сигнала совпадает с направлением силовых линий магнитного поля, в котором находится среда 4. В магнитном поле происходит фарадеевс-, кое вращение плоскости поляризации зондирующего сигнала, в результате864205 Формула изобретения Составитель Ф.Тарнопольскактор С.Лыжова Техред А. Савка ректор Е.Рошписное раж 735комитета СССРоткрытийшская наб д/б 8ВНИИПИ Государпо делам изо13035, Москва,илиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 чего появляется перпендикулярная (к исходной) компонента поляризации, Для регистрации перпендикулярной поляризации зондирующее излучение на выходе из среды 4...

Номер патента: 864207

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Азимов, Мирзабаев, Потаенко, Рубинов

МПК: G01R 33/06

Метки: магнитного, поля, топографии

...блок-схема предложенного устройства.Устройство содержит многоэлементный датчик 1 магнитного поля, выполненный в виде двумерной решетки изэлементарных датчиков 2, образующихи строк и в столбцов, систему электродов 3, каждый из которых объединяет омические холлонские контакты щдатчиков одной строки, систему электродов 4, каждый из которых объединяетвыпрямляющие контакты датчиков одногостолбца, а также системы электродон5 и 6, аналогичным образом объединяющих соответственно выпрямляющие иомические токовые контакты датчиковстрок и столбцов. Электроды 3 соединены с и коммутируемыми входами первого строчного кольцевого сдвиговогорегистра 7, а электроды 4 соединеныс в коммутируемыми входами первогокольцевого сднигового регистра столбцов 8,...

Номер патента: 866511

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Бобков, Смирнов

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, параметров, поля

...и третьемувыходам детектора 7, выход которого подключен ко входу усилителя 5,Устройство работает следующим образом,При перемагничивании ферромодулицонного преобразователя 1, возбуждающимсигналом воспроизводимым источником 3переменного тока и при наличии магнитного поля, и выходной ЭДС упомянутогопреобразователя 1 возникают кратные нечетные и четные гармонические составляющие. В ферромодуляционном преобразователе 1 в качестве полезного сигнала, пропорционального измеряемым параметраммагнитного поля, используется вторая гармоника. Однако в выходном сигнале ферромодуляцконного преобразователя 1 содержится не только синфазная, но и квадратурная составляющая ЭДС второй гармоники. Выход ферромодуляционного пре-.образователя 1 подключен к...

Номер патента: 866513

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Проскурякова, Чебурков, Ягола

МПК: G01R 33/02

Метки: значений, импульсного, индукции, магнитного, максимальных, поля

...14 прямоугольных импульсов. Затем изменяют значениесопротивления резистора 12 фотодетектора 10 и тем самым изменяют максимальное значение переменного сигнала импульсов прямоугольной формы, поступающегона вход 18 дифференциального усилителя1 7, до тех пор, пока на экране осциллографа зафиксируют нулевой уровень (отсутствие прямоугольнЫ импульсов напряжения при максимальной чувствительности осциллографа). Включают источник 6постоянного токе и устанавливают некоторое значение индукции В постоянного магънитного поля меры 5 индукции и тем самым поворачивают плоскость поляризациисветового луча и в датчике 7 фарадея постоянного магнитного поля длиной 80 наугол с 1, который описывается выражениемО О(1)где М 0 постоянная Верде материаладатчика...

Номер патента: 866515

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Козлов, Персиянов, Рекалова, Санникова, Таирова, Шахов

МПК: G01R 33/022

Метки: градиента, датчик, магнитного, поля

...датчик градиента магнитного поля, общий вид.На поверхности полупроводниковой пластины 1, например кремниевой и типа, по планарной технологии изготовлено пять ,областей противоположного типа проводимостей 2,3,4,5,6 и два омических контакта 7 и 8, которые являются базовыми электродами.Общая для двух полученных магнитотранзисторов область 4 является эмиттером.Каждый магнитотранзистор имеет по два коллектора, соответственно области 2,3,4 и 5.Внешней схемой питания (не показа - нд) на электронно-дырочный переход-область 4, выполняющую функцию эмиттера, подается прямое смешение, а на электронно-дырочные переходы - облас и 2,3,4,5 25 и 6, выполняющие функцию коллекторов - обратное смещение. Омические контакты 7 и 8 служат базовыми...

Номер патента: 868653

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Бровяков, Галдина, Полухин

МПК: G01R 33/00

Метки: поля, структуры, электромагнитного

...зависимот коордионаты перецния (1 . ределясти эщео где Яс присоединением заявки йо(23) Приоритет -Изобретение относится к технике измерения на СВЧ и может быть .использовано для определения структуры электромагнитных полей в устройствах СВЧ с помощью гиромагнитного резонатора(ГР). Такая задача частот встречается при разработке элементов тракта СВЧ.Известен способ измерения структу О ры электромагнитного поля, заключающийся в перемещении гироМагнитного резонатора по выбранной координате, индикации резонансной кривой прошедшего сигнала, регулировке коэффици- ентов отражейия входной Г и выход-. 15 ной Г неоднородностей для получения режима бегущей волны в исследуемом устройстве, т.е. до получения нуле- вык значений Г и Г 1. Индикацию...

Номер патента: 868656

Опубликовано: 30.09.1981

Автор: Остапенко

МПК: G01R 33/02

Метки: глубины, металл, поля, проникновения, электромагнитного

...щ прилегаЮщей к ббратной стороне экрана, создают участок с отличными от среды электромагнитными свойствами, а излучатель перемещают возвратно- поступательно над поверхностью экрана с пересечением упомянутого участка.На Фиг. 1 представлена одна из возможных схем реализации способа, на фиг. 2 - диаграмма записи сигнала во времени для различных случаев проникновения электромагнитного поля в экран (а - при глубине проникновения электромагнитного полн значительно превышающей толщину экрана 3, бглубине проникновения поля примерно равной толщине экрана, в - при глубине - меньше толщины экрана),На схеме показан металлический образец 1, участок 2 с отличными от образца 1 электромагнитными свойст О вами (например трещина), экран 3, излучатель...