Устройство для измерения азимутальной неоднородности магнитного поля
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистических РеспубликОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕЛЬСТВУ(51)М. Кл.з 6 01 й 33 0 присоединением заявки23) Приоритет Опубликовано 15,0%8 Дата опубликования о осударстаенный аомите СССР но дедам изобретений я открытий(71) Заявите тинский политехнический инсти СТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ АЗИМУТАЛЬНОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯИзобретение относится к электро- измерительной технике и может быть использовано как для измерения всех видов неоднородностей магнитных пол так и для измерения созе.По основному авт.св. 9 464860 известно устройство для измерения ази мутальной неоднородности магнитного поля, состояшее из измерительного датчика, подключенного к последовательно соединенным Формирователю ос роконечных импульсов, блоку задержФки импульса, формирователю стробимпульсов и ключу, выход которого сое динен с индикаУЬром,контрольного чика, подключенного к одному вхо блока вычитания сигнала, к друго1входу которого подключен измерит ный датчик, а его выход соедине вторым входом ключа 13 .Недостатком этого устройства являются ограниченные функциональные возможности и диапазон измеряемых фаэ. дат ду му ельн со я расши араметрен дров.цель дство длянородност устройой неоодерстигается тем, чт змерения аэимуталмагнитного поля,ний,целью изобретения являе ие иапаэона измеряемых жашее измерительный датчик, соединен.ный с блоком измерения неоднородностей магнитных полей и блоком вычитлния сигнала, выход которого подключен к первому входу первого ключа,второй вход блока вычитания сигналасвязан с выходом контрольного датчика, причем блок измерения неоднородностей выполнен в виде последовательно соединенных формирователя остроконечных импульсов, блока задержки и формирователя стробимпульсов,первый выход блока измерения неоднородностей через последовательносоединенные первый ключ и переключатель с двумя клеммами соединен синдикатором, снабжено последовательно соединенными вторым ключом, сумматором, блоком отношений, а также 20 дополнительно третьей клеммой переключателя, включенными между измерительным датчиком и индикатором,.второи вход второго ключа соединен свыходом блока измерения неоднородностей, а выход первого ключа соединен со вторым входом сумматора явторой клеммой переключателя, выход контрольного датчика соединенсо вторым входом блока отношеНа чертеже приведена Функциональная схема устройства.Устройство содержит измерительный датчик 1, блок измерения неоднородностей магнитных полей 2,.бдок. измерения неоднородностеймагнитных, долей 2 блок вычитания 3, формиро-ватель сстроконечных импульсов 4, блок задержки импульса 5, формирователь стробимпульсов 6, ключ 7 и индикатор 8, а также второй ключ 9, сумматор 10, блок отношений 11, переключатель 12 и контрольный датчик 13, опорный по амплитудеф.Если переключатель установлен в положение Н, то получаем полную схему известного устройства. При переводе его в положение н получаем прибор, позволяющий измерить величину С 05 Ч , что обычно необходимо знать при подключении многих нагрузок,т.е. определять, индуктивный или емкостной характер имеет нагрузка.Принцип действия прибора основывается на следующем.Разностное напряжение с блока вычитания 3 в общем случае (для произвольных фаз ) можно записатьОР =О, -О Ощ сО 5 Ч БпЫО 5пЧСО-ЫОо д, ( ) В момент времени, соответствующий 4,=Л/ что достигается с помощью блока задержки 5, величина импульса напряжения на выходе ключа 7 имеет видОР=О дсоьЧ+ 0 -О 1 п. (2) С помощью Формирователя стробимпульсов 6 и ключа 9 "вырежем" в этот же момент импульс из напряжения О, который равен ОЛ 1 а =Ою. (3) Сложив с помощью сумматора 10 сигналы (2) и (3), получаемЪ Р ф 1+ О Л/ О соьЧ(4)1Отсюда следует, что с помощью блокаотношений 11 можно получитьОБЛ(2СО уф (5)Оя т. е. получаем измеритель Со Ч, который может работать в широком диапазоне измерений фазы Ч между сигналами и одновременно как .в известном уст.ройстве получать информацию .о знаке Фазы по полярности импульса, вырезанного из разностного сигнала, что позволяет судить о том, каков вид нагрузки имеет место - индуктивная или емкостная, и принять соответствуюо щТаким образом, если прибор используется при измерении магнитного поля бетатрона (измерение неоднородностей) он может быть применен и для слежения за настройкой контура питания в резо нанс. Устройство может быть применено и на любых предприятиях, где необходимо контролировать характер нагрузки.Формула изобретенияУстройство для измерения аэимутальной неоднородности магнитного поляпо авт.св. Р 464860, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью расширения диапазона измеряемых параметровоно снабжено последовательно соединенными вторым ключом, сумматором,блоком отношений, а также дополнительно третьей клеммой переключателя, включенными между измеритель-,ным датчиком и индикатором, второйвход второго ключа соединен с выходомблока измерения неоднородностей, авыход первого ключа соединен со вторым входом сумматора и второй клеммой переключателя, выход контрольного датчика соединен со вторым вхо 40 дом блока отношений,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР 9 464860, кл. 6 01 й 33/02, 1973.864202 Сос Тех дактор Е.Дорошенк каз илиал ППП "Патент", г.увгород, ул.Проектная 78/68 Тираа ВНИИПИ Государственног по делам изобретений 113035, Москва, Ж, тель Г,ЗмиевскаяИ. Табакович Корректор.У.Пономаренк 35комиотушск Подписноетета СССРрытийая наб., д.4/5
СмотретьЗаявка
2845116, 29.11.1979
ЧИТИНСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ГРИГОРЬЕВ АЛЕКСАНДР ПАВЛОВИЧ, ЛИМБЕРОВ ВАДИМ НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 33/02
Метки: азимутальной, магнитного, неоднородности, поля
Опубликовано: 15.09.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-864202-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-azimutalnojj-neodnorodnosti-magnitnogo-polya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения азимутальной неоднородности магнитного поля</a>
Предыдущий патент: Микровеберметр
Следующий патент: Устройство для измерения намагниченности ферромагнитных изделий
Случайный патент: Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку