Способ измерения структуры электромагнитного поля

Номер патента: 620922

Опубликовано: 25.08.1978

Автор: Корнеев

МПК: G01T 1/32

Метки: ведущего, магнитного, нейтрона, относительно, поля, реверса, спина, электромагнитное

...сама плоскость рамок перпендикулярна к оси нейтронного пучка, пересекающего плоскость рамок посередине расстояния между ними,На фиг. 1 изображен спинфлиппер, общий вид; на фиг. 2 - схемы токов, протекающих по виткам в режиме переворота 15 спина; на фиг. 3 - схема токов, протекающих но виткам в режиме пррведения спина нейрона; на фиг. 4 - график зависимости величины Н - компоненты магнитного поля спинфлиппсра В заВисимости от значения координаты х в плоскости хг (режим переворота); на фиг, 5 - график зависимости 11 хкомпоненты магнитного поля в зависичости от х а плоскости (режим проведения спина).Устройство содержит две идентичные нро водящие рамки 1 и 2, размещенные в одной плоскости на некотором расстоянии друг от друга. Направление...

Номер патента: 165918

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: G01J 5/28

Метки: значений, интенсивности, кривой, локальных, распределения

...локальных значений интенсивности излучения получается следующим образом. С помощью пирометра получают распределение осредненных значений интенсивности излучения вдоль хорд поперечного сечения исследуемого объекта, строят соответствующую кривую и по ее контуру вырезают, например, цз непрозрачной бумаги профилированный вкладыш. Этот вкладыш вместес одной (из пары) диафрагмой, имеющей одну прозрачную полосу, расположенную соответственно той точке па радиусе поперечного сечения исследуемого источника излуче. ния, в которой производится измерение ин. тенсивности излучения, помещают в кассету 1, расположенную между объективами 2 и 8, направляющими параллельный пучок света от лампы накаливания 4 на фотоэлемент б с микроамперметром б....

Номер патента: 518207

Опубликовано: 25.06.1976

Авторы: Гагарин, Губиев, Красников, Рыжов

МПК: A23Z 3/32

Метки: жидких, нагрева, поле, продуктов, свч

...поглощенияэнергии СВЧ-поля по всему его объему.Кроме того, интенсивность процессаттевысокая.С целью улучшения качества продуктаи интенсификации процесса предлагаетсяпродукт нагревать в многомодовом полестоячих волн, спектр частот которого близок к спектру аномальной дисперсии воды.Способ осуществляют следующим образом.Обрабатываемую жидкость, напримербродильную смесь (купаж сухих виноматериалов), под давлением подают в змеевикнагреватель из кварцевого стекла, пронизываемый многомодовым полем стоячих волн нагревается по вс у объему змеев нагревателя. При этом уровень подводимой мощи электромагнитных волн определяют по ности температур входящего и выходя потоков жидкости и ее расходу, а для чения поверхностных напоров температ поток...

Номер патента: 22314

Опубликовано: 31.08.1931

Автор: Мозжухин

МПК: G01J 1/42

Метки: записи, кривых, распределения, света

...Гальванометр д может быть К авторскому свидетельству Н 1931 года О выдаче авторского свидетеДля определения световой отдачи источника направленного . света (светофорные железнодорожные фонари, автомобильные фары, малые прожекторы и проч.) необходимо измерять интенсивность освещения в данном месте светового пучка для различных углов отклонения его оси, т.-е. необходимо составлять кривые 1=(т), где 7 в интенсивность освещения и а в уг поворота источника свата от начального положения. Получение точной кривой требует большого числа фотометрируемых точек, при чем на снятие каждой такой кривой существующими методами приходится тратить много времени и притом ие одному. лицу, а двум, так как расстояние между источником света и...

Номер патента: 244733

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Куликов, Кусакин, Торчинский

МПК: G06G 7/48

Метки: воспроизведения, кривых, намагничивания, ферромагнитных

...устройства представлена на чертеже,Оно состоит из резистора 1 и диодных яче. ек 2, количество котооых определяется требуемой точностью аппроксимации. Каждая диодная ячейка содержит резисторы 3 и 4, диоды 5 и б и источник 7 опорного напряжения.Для того чтобы вольт-амперная характери стика схемы получилась по возможности сим метричной относительно начала координат резисторы 3 и 4 должны быть равны, а киоды б и б - одного типа.Устройство работает следующим образом.Если У,= О, в нем протекают лишь ток внугренних контуров. Падения напряжения о этих токов на резисторах 3 и 4 равны по величине и противоположны по направлению опорному напряжению, при этом У,т = О.Если же к входным зажимам 8 и 9 устройства приложить напряжение У,т, то в цегш...