Патенты с меткой «фазовращателями»

Номер патента: 562914

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Любчанский, Пиотровский

МПК: H03K 5/01

Метки: диодными, импульсов, фазовращателями, формирователь

...ной вхолного сигнала. Вторые вхслы логических элементов 2 управления ооъелцецы иподключены к первому выходу логическогоэлемента 4 1 прзвлгнця ззпцрянцгм лислныхфяЗОЗр 2 щаТЕЛЕЙ, ВХОЛ ЛОГИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТЗ4 соелинен с дополнительной шиной упразления. 1(оллекторные цепи ключевых каскалов3 подсоединены через резисторы 5 к цсточику б обратного смещения диодов фазсвращатгля. Разделительные диоды 7 олнимц элек 20 троламп полключгны к коллекторным цепямключевых каскадов 3, Вторые электролы лцодов 7 объединены и подключены к ксллгкторной цепи дополнительного ключевого каскада 8, например, на транзисторе типа25 и - р - и. Базовая цепь ключевого каскала 8полклочена ко второму выхслу логическогоэлемента 4 управления запиранием лцолнь 1...

Номер патента: 750586

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Виноградов, Слуцкий

МПК: H03H 7/18

Метки: полупроводниковыми, фазовращателями

...смещения пары фп-дйодов 9 и 10 одного разряда фазоврашателя. Количество управляющих входов управления равно произведению количествафазовращателей на разрядность одногофаэоврашателя. Устройство работает следующим образом.На базу транзистора переключения источника прямого смещения 1 и транзистора 3 инвертируюшего усилителя от регистра памяти разового распределения антенной решетки (на чертеже не показан) поступают сигналы управления Р 1 И -диодами 9 и 10 в виде "высокого" и "низкого" уровней напряжения, "Низкому уровню напряжения соответствует режим прямого смешения Рщ- диодов 9 и 10 (диоды 9 и 10 открыты и через них течет ток от источника прямого смешения + Е). "Высокому уровню напряжения на входе соответствует режим обратного смешения...

Номер патента: 884104

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Голубков, Любчанский, Пиотровский

МПК: H03K 5/01

Метки: диодными, импульсов, фазовращателями, формирователь

...2 управления ключевымикаскадами 3, например; на транзисторах, соединенный с соответствующей шиной входного сигнала. Вторые входы логических элементов 2 управления объединены и под ключены к первому ходу лоическоо элемента 4 управления запиранием диодных фазовращателей, Вход логического элемента 4 соединен с шиной управления. Кодлекторные цепи ключевых каскадов 3 подсоединены через резисторы 5 к источнику 6 4 о обратного смещения диодов фазовращателей. Разделительные диоды 7 одними электродами подключены к коллекторным цепям ключевых каскадов 3. Вторые электроды диодов 7 объединены и подключены к кол, . лекторной цепи дополнительного ключевого 45 каскада 8. Базовая цепь ключевого каскада8 подключена ко второму выходу логичес.кого...

Номер патента: 1377771

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Антипин, Полухин, Серяков, Шубов

МПК: G01R 29/10

Метки: антенной, волны, коэффициента, отражательной, отражения, раскрыва, решетки, управляемыми, фазированной, фазовращателями, электрически, электромагнитной

...Для равномерного возбуждения области фазированной антенной решетки Я, = 51 1 /Ь, где /1длина волны. При выборе д а 2 6(положение нуля между первыми и вторыми боковыми лепестками и более,/11/Г) достигается уменьшениеошибки определ ния коэффициента от" ражения, обусловленной влиянием боковых лепестков диаграммы направленности области фазированной антеннойрешетки. Диаграмма направленностиимеет максимумы напряженности поля излучения, величина которых определяется коэффициентом отражения от излучателей фазированной антенной решетки для ряда угловых положений".для зеркального отражения падающейволны - / Г( Ц )/, а для отраженныхволн, соответствующих первому и второму прохождению волн через фаэовраг (в,+д ) / 4-/г(в,)/ и Ы/1-/Г ( О, + 2 д) /,...

Номер патента: 1506391

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Антипин, Полухин, Серяков, Шубов

МПК: G01R 29/10

Метки: антенной, волны, коэффициента, отражательной, отражения, раскрыва, решетки, управляемыми, фазированной, фазовращателями, электромагнитной

...рупор. 10 ЗО ного уровня, соответствующих г: авному и зеркальному:гучдм (кривые 4 и5), величина которых определяетсякоэффиц 11 ентом отражении: для зеркального отражения падаюей долныг = К 1 Г(9 ),дпя отраженных волн, соответствующиходнократному прохождению волн черезфязоврсс 1 а,) .Д:1 гГа,+ь)1 =,: К (1-Г(Я.И,40 гд а - амплдтудцый коэффициент передачи по напряжению фазовращателей трджательного типа; К - коэффициент пр"порциоцальцости. При фаэировании излучателей области ОФАР по линейному или кцазилицейному закону (в соотвс.тствии с типом облучдющей антенны) ОФАР формирует 15 главный (кривая 4) и зеркальный (кривая 5) лучи. Зеркальный луч (кривая 5) расцоложен под углом 9 по нормали апертуры согласно законам зеркального отражения....

Номер патента: 1659914

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Кориневский, Пинский

МПК: G01R 29/10

Метки: pin-диодах, антенной, работоспособности, решетки, фазированной, фазовращателями

...фиг.2,б, участок 2), При этом на ри-диоде накапливается довольно значительный электрический заряд Ори, составляющий величину порядка десятков-сотен нэнокулон.Время переключения ри-диода иэ открытого состояния в закрытое определяется временем рассасывания накопленного заряда Ори. При выключении проверяемого ри-диода фазовращателя напряжение отрицательной полярности от блока 12 рассасывающего напряжения через первичную обмотку трансформатора 4 тока подается на соответствующий ри-диод (временная диаграмма О 2(т) на фиг.2,б, участки 1 и 3), обеспечивая ускоренное рассасывание заряда Ори. При этом по шине рассасывающего напряжения (первичной обмотке трансформатора 4 тока) от положительного электрода рп-диода к блоку рассасывающего...

Номер патента: 1781641

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Голик, Клейменов, Мороз, Шишов

МПК: G01R 29/10

Метки: антенной, встроенного, диодными, дискретно, коммутационной, решетки, строчно-столбцевым, фазированием, фазовращателями

...столбца; ри-диод 2-го разряда фазовращателя, расположенного в 1-й строке 1-го столбца, ри-диод о-го разряда фазовращателя (ц - число разрядов ридиодного фазовращателя), расположенного в 1-й строке 1-го столбца; ри-диод 1-го разряда фазовращателя, расположенного в 1-й строке 2-го столбца; ри-диод 2-го разряда фазовращателя, расположенного в 1-й строке 2 -го столбца, ри-диод ц-го разряда фазовращателя, расположенного в 1-й строке 2-го столбца, ., ри-диод 1-го разряда фазовращателя, расположенного в 1-й строке М-го столбца; ри-диод 2-го разряда фазовращателя, расположенного в 1-й строке М-го столбца, , ри-диод ц-го разряда фазовращателя, расположенного в 1-й строке М-го столбца; далее осуществляется аналогичная проверка состояний ри-диодов...