Устройство управления полупроводниковыми фазовращателями

ОЛ ИСАИИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскнкСоцналнстнческнкРеслублнн 1111 750586(22) Заявлено 26,12,77 (21) 2562599/18.21 с присоединением заявки Лф Всудерстееииый комитет(23) Приоритет во делам изобретений и открытийДата опубликования описания 25 07 80(54) УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ ФАЗОВРАШАТЕЛЯМИИзобретение относится к области радиосвязи и может быть использовано в устройствах управления антенными решетками. Известно устройство управления полупроводниковыми фаэовращателями, содер жвщее источники прямого и обратного смешения, в котором с целью зашиты элементов в цепях переключения источника обратного смешения от коротких замыканий р 1 й -диода или линии связи с фазо О врашателем, коллектор транзистора переключения источника обратного смещения через сопротивление, ограничивающее ток в аварийном режиме, подключен к источ 15 нику обратного напряжения, при атом мощный импульс тока для рассасывания объемного заряда Р 10 -диода в момент переключения создается включением в цепь коллектора укаэанного транзистора катуш 20 ки индуктивности )1),Недостатком такого устройства является потеря мощности и невозможность микромини атюрного исполнения. Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является устройство, содержащее транзистор переключения источника прямого смещения, транзистор переключения источника обратного смешения, коллектор которого подключен к источнику обратного смешения непоорюственно или через токоограничивающий резистор, а эмиттер или коллектор транзистора переключения источника прямого смещения подключен к источнику прямого с мещения непосредственно или также через токоограничиваюший резистор 23. Отсутствие защиты элементов схемыпереключения источника обратного смещения от коротких замыканий линии илиР 1 т 1 - диода снижает надежность этогоустройства,Белью изобретения является повышение надежности.Поставленная цель достигается тем,что в устройство управления полупровод никовыми фазоврашателями, содержащее3 750источники прямого и обратного смешения,транзисторы прямого и обратного смещенпя, которые соединены с инвертируюшимусилителем, с источником напряженияпрямого смешения и полупроводниковымифазовращателями, введены последовательно включенные формирователь импульсови коммутирующий транзистор, коллекторкоторого через резистор подключен к коллектору транзистора переключения обратного смещения, а эмиттер соединен с источником напряжения обратного смещения .и через ограничительный резистор - сиквертирующим усилителем и с базойтранзистора обратного смешения.На чертеже показана схема описываемого устройства управления полупроводниковыми фазовращателями.Устройство содержит транзистор переключения источника прямого смещения 1,транзистор переключения источника обратного смещения 2, транзистор 3 инвертирующего усилителя, токоограничивающийрезистор 4, коммутирующий транзистор 8,база которого подключена к устройствуформирования комму 1 ирующих импульсов6, согласующие резисторы 7 и 8, )1 Ьдиоды 9 и 10 (полупроводниковые фазовращатели),Устройство управления полупроводниковыми фазовращателями является частьюустройства управления фазированной антенной решеткой, Сигнал управления, действующий на одном из управляющих входов обеспечивает установку режима прямого или обратного смещения пары фп-дйодов 9 и 10 одного разряда фазоврашателя. Количество управляющих входов управления равно произведению количествафазовращателей на разрядность одногофаэоврашателя. Устройство работает следующим образом.На базу транзистора переключения источника прямого смещения 1 и транзистора 3 инвертируюшего усилителя от регистра памяти разового распределения антенной решетки (на чертеже не показан) поступают сигналы управления Р 1 И -диодами 9 и 10 в виде "высокого" и "низкого" уровней напряжения, "Низкому уровню напряжения соответствует режим прямого смешения Рщ- диодов 9 и 10 (диоды 9 и 10 открыты и через них течет ток от источника прямого смешения + Е). "Высокому уровню напряжения на входе соответствует режим обратного смешения 1( 1 О - диоды 9 и 10 закрыты напряжением источника обратного смещения 1В режиме прямого смещения транзистор переключения источника прямого смещения 1 находится в состоянии насьпцения, а транзистор переключения источника обратного смешения 2 - в состоянииотсечки, при этом к ф О - диодам 9 и10 через переход коллектор-эмиттер10 транзистора переключения источника прямого смещения 1 и согласующие резисторы 7 и 8 подключается источник прямого смещения,Независимо от режима прямого или15 обратного смешения цФ- диодов 9 и 10коллектор транзистора переключения источника обратного смешения 2 периодически подключается к источнику обратного смещения через переход коллекторэмиттер коммутирующего транзистора 5на время действия на.его базе коммутирующих импульсов,В режиме обратного смешения рщдиодов 8 и 10 транзистор переключения25источника прямого смешения 1 и транзистор 3 инвертируюшего усилителя закрыты, и на базе транзистора переключенияисточника обратного смещения 2 относительно эмиттера устанавливается отрипа 30тельный потенциал, а переход база-эмиттер открыт, и р 1 й-диоды 9 и 10 находятся под запирающим напряжением источника обратного смещения,Для ускорения рассасывания обьемно 35го заряда фо-диодов 9 и 10 при переходе от режима прямого к режиму обратного смещения коллектор транзисторапереключения источника обратного смешения 2 на время, равное длительности ком 40мутирующих импульсов, подключается кисточнику обратного смешения,Коммутирующие импульсы формируются с помощью устройства формированиякоммутирующих импульсов 6.45В случае короткого замыкания рЮдиодов 9 или 10 или линии связи, эавремя длительности коммутирующего импульса через токоограничивающий резистор 4, транзистор переключения источни 50ка обратного смешения 2 и согласующиерезисторы 7 и. 8 течет ток, по величинеблизкий максимальному значению рассасывающего тока, а при отсутствии коммутирующего импульса течет ток от источникаобратного смещения через коллекторнуюСоставитель Ю, Васильев Кор Редактор р И. Муска ова Техред И. Астап аз 4659/40 Тираж 844ЦНИИПИ Государственного комитетапо делам изобретений и открыт113035, Москва, Ж, Раушская ПодписноСР/5 роектная илиал ППП Патент", г. Ужгород 5 7505 смещения 2, согласуюцие резисторы 7 и 8. Эти токи незначительны по величине и не опасны для алементов схемы.Изобретение позволит повысить надежность устройства,5 Формула изобретения Устройство управления полупроводни ковыми фазоврашателями, содержащее источники прямого и обратного смещения, транзисторы прямого и обратного смещения, которые соединены с инвертирующим усилителем, с источником напряжения прямого смешения и полупроводниковыми фазоврашателями, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью повышения надеж 86 6ности, дополнительно введены последовательно включенные формирователь импульсов и коммутирующий транзистор, коллектор которого через резистор подключенк коллектору транзистора переключенияобратного смещения, а емиттер соединенс источником напряжения обратного смещения и через ограничительный реэистор -с инвертирующим усилителем и с базойтранзистора обратного смещения,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент США М 3708697,кл. 343-854, 1973,2, Георгопулос Х."Проектированиемодуляторов для управления фп" диодами,пер, с англ., 1972 (П, рис, 2