Устройство для управления полупроводниковым вентилем
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 522540
Авторы: Феоктистов, Чаусов
Текст
) М Кл НО 2 Р 1 21) 2054596/О ооудврствонньй номнт Оовотв Мнннстроо ССС оо долом нэобрвтоейн отнрытнй(43) Опубликовано 25.07.76 Бюллетень(45) Дата опубликовании описания 20.10.76) Заявите РОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВЕНТИЛЕМ ИКОВЫМ теризуются су.итами какго преобраэо. Однако известные устройства харакщьственно увеличенными весом и габарполупроводникового вентиля, так и всевателя,Целью изобретения является улучшение равноь 1 ерности деления тока по параллельно соединенным ти.рнсторам и упрощение конструкции полупроводни.;кового вентиля.Для этого насьпцающийся дроссель и импульсныйуправляющий трансформатор каждого тнристора полу:проводннкового вентиля выполнены на общем магии.топроводе, причем в каждом из них магнитнь)е потоки от управляющего импульса и силового тока соот.ветСтвующего тиристора направлены встречно,На чертеже приведена структурно принципиальнаяэлектрическая схема устройства.Устройство для управления полупроводниковымвентилем с параллельно соединенными тирисгорамни индивидуальными насыщающимися дросселями.содержит две параллельные ветви 1 и 2 последователь.но соединенных тиристоров 3 и 4 и 5 и 6. Устройствосодержит генератор управляющих импульсов 7, на.груженный на последовательно включенные Импульс.ные трансформаторы 8 - 11 с первичными обмотками12, вторичные обмотки трансформаторовчерез вы-техро. телей ства для уменьшения неравя тока по параллельно соеди цжащие индуктивные илна ГгД,олупроводниковый вентильми тирнсторами и индиви.дросселями, включенными рОтиристором вентиля Г 31,ю которых выполняют ине дроссели, обеспечиваюте тока но параллельным Известны также устрой номерности распределени пенным тнристорам, содер резистнвные делители токКроме того, известен и с параллельно соединенны , дуальными насьпценными последовательно с каждымДелители тока, функци дивндуальные насыщенны равномерное распределенн тири сторам,Изобретение относится к преобразовательнойнике и может быть использовано в мощных п олупводниковых вентилях статических преобразоваъ сдс параллельно соединенными тиристорами.Известны устройства для управления нескольки. вми тиристорами, содержащие общий генератор управ.ляющих импульсов и индивидуальные, по числу ти.ристоров, импульсные трансформаторы, первичныеобмотки которых соединены последовательно и нод.ключены Й выходу генератора управляющих импуль 10сов, а вторичные обмотки подключены к управляю.щим электродам тиристоров 11 1, 522540,щимн электролами тнристопов 3 - 6.Магнитопроводы импульсных трансформаторов8-11 охватываютсоедннительныесиловые шинытирнсторов 3-6 таким образом, что в каждом нзши магнитные патоки, создаваемые управляющимсигналом и силовым током тиристоров, направленывстречно,Устройстьо раюаутаат следующим образом.Генератор одищелярных унршляющнх импуль 1 Есов 7 генерирует чправляющий импульс тока, котоалый проходит по первичным обмоткам 12 импульсНых трансформазауов 8 - 11, трансформируется вох вторичные Обьазтки и поступает на уп 1 авляюпшемектроды тнристоров 3-6, прн этом магнитопроводы 1 аимпульсных трансформаторов 8 - 11 намагничиваютсяВ ОднОм из двух возможных направлениях.После включения тнристоров 3 - 6 силовой ток,проходя по силовым шинам, охваченным магннтопро.,воивми ими упьснмх ьрвпсформвворов 8 - 11, пврвмргВрЮнчивает магнитонроводы в противоположном направДЕННнв аСЙМН ШННЫв ОХВаЧЕННЫЕ МаГНнтОПРОВОДаынв (выполняют функции насыщающнхся дросселей иосуществляют деленйе тока но параллельным ветвямчиристоров 3 - 6, ВУменьшение веса н габаритов вентиля достигаетая за счет уменьшения количества магнитных сердечников и более полного использования индукциимагннтопроводов без применения дополнительныхнеремагннчивающнх обмоток. Кроме того, отпадает Э 1необходимость формирования двуполярных управ.ляющнх импульсов с одинаковыми вольт-секунднымн площадями частей разной полярности.Таким образом, использование предложенногоустройства позволяет уменьшить вес и габариты по. 31 лупроводннкового вентиля, обеспечивая при этол.равномерное распределение тока по последователь.ным тнрнсторам.Формула изобретенияУстройство для управления полупроводниковымвентилем с параллельно соединенными зиристорами 1и индивидуальными насыщающимися дросселямивсодержащее икдивидуальнью импульсные управляю.,щие;трансформаторы, первичные обмотки которыхсоединены последовательно и подключены к генератору управляющих импульсов, а вторичные обмоткичерез выпрямительные диоды подключены к управляющим электродам тиристоров, о т л н ч а ю щ е ес я тем, что, с целью улучшения равномерности деления тока по параллельно соединенным тиристорами упрощения конструкции полупроводникового вещи.ля, насыщающийся щюссель н импульсный управляю.щий трансформатор каждого тиристора полупровод.пикового вентиля выполнены на общем магнитопроводе, причем в каждом из иих магнитные потоки отуправляющего импульса и силового тока соозпежвующего тиристора напрзвваны встречно.Источники информации, принятые во вниманиепри экспертизе:1. Авт, св, СССР ИР 259998, МКИ Н 02 Р Ц/16 ь1970,24.ЕВ - йасЬпсптеп 1971, ЮР 6, с, 15-25, 3. Булетов Р И, н Шепелнн В, Ф. Паралледьйое соединение тирнсторов в выпрямитсльно.ннверторныхпреобразователях. "Преобразовательная техшг. ка", 1972, У 3 (прототип),52240 ставнтель И, Бешметовхред, И, Ковач Корре Тираж ЗЭ 2 енного ко Подан мое митета Совета Мнннстров СССР зобретеннй н откръпнй шскан ниб д. 4/5ИИПИ Го суна но делаю я035, Москва, %. 35,л ППП "Патент", г. Уптород, ун. П
СмотретьЗаявка
2054596, 26.08.1974
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-7368
ЧАУСОВ ОЛЕГ ГЕОРГИЕВИЧ, ФЕОКТИСТОВ ВАЛЕРИЙ ПАВЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H02P 13/16
Метки: вентилем, полупроводниковым
Опубликовано: 25.07.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-522540-ustrojjstvo-dlya-upravleniya-poluprovodnikovym-ventilem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для управления полупроводниковым вентилем</a>
Предыдущий патент: Одноканальное устройство для управления шестифазным тиристорным преобразователем
Следующий патент: Цифровой двухчастотный детектор
Случайный патент: Способ изготовления вч-транзисторных структур