Устройство для управления полупроводниковым вентилем

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(23) Приоритет Опубликовано 28.02. 83. Бтоллетень Ре 8Дата опубликования описания 28.02.83 вв деааи кзвбретвей и вткрытнй(5 Й) УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМВЕНТИЛЕМ 1Изобретение относится к устройствам преобразовательной техники и может быть использовано в формирователях импульсов управления тиристорами,Известно устройство для запускауправляемого полупроводникового вентиля, в котором источник постоянного напряжения подключен через переход коллектор-эмиттер транзистора куправляющему переходу полупроводникового вентиля 11.тоК недостаткам данного устройстваотносится зависимость тока управления от величины сопротивления управляющего перехода тиристора, что вызыва-,ет необходимость увеличения тока управления для надежного включения тиристоров и ведет. к возрастанию потерьв устройстве,Наиболее близким к предлагаемомупо технической сущности является устройство для управления полупроводниковым вентилем, например тиристором,которое содержит источник постоянно 2го напряжения, связанный через нелинейное сопротивление, например транзистор, с управляющим переходом вентиля и последовательную цепочку,: из стабилитрона и стабилизирующего резистора, подключенную.параллельно переходу эмиттер-база укаэанного транзистора, причем общая точка этой це,: почки связана с цепью. управления ( Ц,Недостатком указанного устройства является то, что оно не обеспечивает необходимую надежность работы вентиля, поскольку при отрицательном напряжении на его аноде и положительном управляющем сигнале резко увеличивается обратный ток,вентиля и потери в нем, цто ведет к его перегреву и сни жает надежность его работы .Цель изобретения " повышение надежности работы вентиля.Укаэанная цель достигается тем, что устройство снабжено дополнительным транзистором и резистором, причем дополнительный транзистор после з 100довательно включен в цепь базы основного транзистора, а его вход черездополнительный резистор подключен квыводам для подключения к аноду тиристора, 5На Фиг. 1 показан вариант предлагаемого устройства с транзисторомтипа и-р-и в цепи управляющего электрода тиристора, на Фиг. 2 - то же,с транзистором типа р-п-р, 16В цепи управляющего электрода полупроводникового вентиля 1 (фиг. 1),в частности тиристора, включен транзистор 2 типа п-р-п, параллельно переходу эмиттар-база которого подключена последовательная цепочка из стабилитрона 3 и стабилизирующего резистора 4, коллектор транзистора 2 подключен к источнику 5 постоянного напряжения, В цепь базы транзистора 2последовательно включен полевой транзистор б, затвор которого через резистор 7 подключен к аноду вентиля 1.Если применить полевой транзистор 6с изолированным затвором, то для его дзащиты от пробоя следует включить стабилитрон 8, в остальных случаях онне нужен,В цепи управляющего электрода вентиля 1 (фиг. 2) включен транзистор 9типа р-п-р, параллельно его переходубаза-эмиттер вклюцена цепочка из стабилитрона 3 и резистора , средняяточка этой цепочки подключена к источнику 1 О импульсов управления (в от.- 35личие от фиг, 1 где применен источник 5 постоянного напряжения) . Вцепь базы транзистора 9 последовательно включены транзистор 6 и резистор11. Затвор транзистора б через резис 40тор"7 подключен к аноду вентиляСтабилитрон 8 необходим только в томслучае, если применен полевой транзистор 6 с изолированным затвором длязащиты его от пробоя. Ограничиваю 45щий резистор 11 не нужен, если невелик разброс тока стока транзистораб при нулевом напряжении на его затворе.Устройство (Фиг. 1)работает следующим образом,Напряжение с анода тиристора 1 поступает на вход транзистора б. Пустьоно отрицательно, тогда транзистор бзапирается и не пропускает импульсыуправления на базу транзистора 2, врезультате чего он не может открыться и не пропускает напряжение источника 5 питания на управляющий элек 1355 4трод вентиля 1 и тот не может вклю"читься. Пусть напряжение на аноде тиристора 1 положительно или равно нулю, тогда транзистор 6 открыт, импульс управления проходит на базутранзистора 2, усиливается им и открывает вентиль 1. Источник 5 может бытьисключен, если коллектор транзистора2 подключить к генератору импульсовуправления.Устройство (Фиг, 2)работает следующим образом,Напряжение с анода вентиля 1 поступает на затвор транзистора 6 черезрезистор . Пусть оно отрицательно,тогда транзистор б запирается, запрещая прохождение импульса от генератора 10 импульсов через переходколлектор-эмиттер транзистора 9, поэтому ток через транзистор 9 не протекает и вентиль 1 не включается. Пустьнапряжение на аноде вентиля 1 положительно или равно нулю, тогда транзистор 6 открыт и импульс управления отгенератора 10, пройдя через транзис"тор 9, включает вентиль 1.Изобретение позволяет снизить мощность, потребляемую в цепи управления,а также ток утечки тиристора при отрицательном .анодном напряжении нанем, что уменьшает потери мощностив тиристоре и, следовательно, повышает- его надежность,Формула изобретенияУстройство для управления полу" проводниковым вентилем, в частности тиристором, содержащее источник постоянного напряжения, связанный че" рез нелинейное сопротивление, например, через переход эмиттер-коллектор транзистора, с управляющим переходом тиристора, последовательную цепочку из стабилитрона и стабилизирующего сопротивления, например, ре= зистора, подключенную параллельно переходу база-эмиттер указанного транзистора, причем общая точка этой цепочки связана с цепью управления тиристора, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности работы вентиля, оно снабжено дополнительным транзистором и резистором, причем дополнительный транзистор последовательно .включен в цепь базы основного транзистора, а.его вход через дополнительный резистор1001355 Составитель О. Наказнаедактор Ю.Ковач Техред А.Бабинец Корректор Е.Рош Заказ 438 ал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектн 5 подключен к выводам для подключения к аноду тиристора. Источники информации,принятые ео внимание при экспертизеТираж 685 НИИПИ Государстве по делам изобрет 3035, Москва, Ж41, Патент ФРГ Мф 1538099, кл. 21 д 21/04, 1964,2. Патент СССР И 576033, кл, Н 02 М 1/08, 1974,Подписноеного .комитета СССРний и открытий