Патенты с меткой «полупроводниковым»

Номер патента: 1288854

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Маренич, Сидоренко

МПК: H02M 5/27, H02M 7/00

Метки: коммутатором, полупроводниковым, силовым, трехфазным

...в полуволнах обеих полярностей выходных фазных напряжений(1)д ; 1) , 13 с ) должно составлять в этом случае половину периода Т напряжения промышленной частоты входа коммутатора (фиг.3). При этом выполняется равенство параметров средних35 отрезков синусоид (11 , 1)в1)с,) полуволнах напряжений (1), 0 в, ,), а значит и равенство между собой параметров всех первых (1)др Бв Ус,) 40 и всех третьих (13 д , 1) , Ь) отЗ реэков синусоид в полуволнах этих выходных напряжений, поскольку параметры этих отрезков синусоид взаимосвязаны. 45Более низкую частоту выходных на 1 1пряжений 1); 1); 1) коммутатораефдостигают путем увеличения длительности интервалов включения тиристоров на величину целого числа периодов Т напряжения сети источника питания...

Номер патента: 1288856

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Люсый, Маренич, Сидоренко

МПК: H02M 7/00

Метки: квазисинусоидального, коммутатором, полупроводниковым, трехфазным

...импульсы(Н , Фиг. 2) с выхода формирователя 9, Их частота в шесть раз вышечастоты напряжения сети, С д-го выхода делителя 10 импульсы Н подаютсяона тактирующий вход шестиканальногокольцевого распределителя 11 импульсов. С выходов последнего снимают -ся импульсы Б -Б, длительностьч чскоторых равна трем периодам работыделителя 10 (половине периода модуляции выходного квазисинусоидального напряжения коммутатора), а поменьшей мере может быть равна двумпериодам,С (ь)-го выхода делителя 10импульсы Б, подаются на вход 12синхронизации фазосмещающего блока13, На вход 14 управления фазой импульса блока 13 с выхода задатчика15 подается управляющее напряжениеБ фазосмещающий блок 13 вырабатывает последовательность пилообразных напряжений Б, ,...

Номер патента: 1307357

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Девликамов, Дорофеева, Комов, Растегаев, Рафаевич

МПК: G01R 19/00

Метки: диодом, полупроводниковым, постоянного, цепи

...тока в цепях выпрямителей или в цепях с защитными диодами.Цель изобретения - упрощение и повышение чуствительности устройства.На чертеже приведена электрическая схема устройства для измерений постоянного тока, на которой показана структура полупроводникового диода,Устройство содержит полупроводниковый диод 1, р-п-переход которого разделен кольцевой канавкой 2 на рабочий р-и-переход 3 и измерительный р-и-переход 4. Глубина кольцевой канавки 2 превышает толщину слоя, который она разделяет. Внутренний (рабочий) р-и-переход 3 подключен к токовым выводам, а между слоями наружного (измерительного перехода) включены соединенные последовательно измерительный прибор 5 и источник 6 смещения, полярность включения которого обратна по отношению...

Номер патента: 1334301

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Жуловян, Калужский, Корогодский, Кутузов, Панарин, Русаков, Толстиков

МПК: H02K 29/06

Метки: коммутатором, полупроводниковым, редукторная

...полюсными выступами, под которыми момент, действовал бы в обратную сторону, МДС не создается, так как в соответствующих катушках ток не протека ет. Таким образом, диоды 45, 47, 49, 51, 53 и 55 защищают управляемые ключи от перенапряжений и одновременно обеспечивают форсированное спадание тока в отключаемых группах катушек. 50В генераторном режиме машина работает следующим образом.Индуктивные сопротивления катушек являются переменными, причем сопротивления катушек, под полюсными выступами которых разность сдвига зубцов ротора и статора равна 1/2 зубцового деления ротора, меняются в противофазе. Через катушки протекают однополярные токи (фиг,З), основная доля в гармоническом составе которых приходится на постоянную составляющую,...

Номер патента: 1372518

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Абрамова, Охотников, Плешко

МПК: H02M 1/08

Метки: переключающим, полупроводниковым, элементом

...питания непосредственно определяется величиной тока, протекающего от положительного выводаисточника питания через сопротивление 3 нагрузки, переключающий элемент1 к отрицательному выводу источника питания,После подачи команды на выключение переключающего элемента начинает падать ток, протекающий через него, в результате чего меняется знак напряжения на обмотке трансформатора тока, и потенциал в точке соединения переключающего элемента (ПЭ) 1 нагрузки 3 и катода анода 4 становится ниже уровня минусового питающего напряжения и будет оставаться таким до окончания этапа рассасывания неосновных носителей, накопленных в базе диода 4 при протекании прямого тока и восстановлении обратного сопротивления.На фиг. 2 показано, что при...

Номер патента: 1399869

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Иванов, Уржумсков, Шалагинов

МПК: H02M 7/155

Метки: полупроводниковым, преобразователем, частоты

...выборки"хранения воздействует на частоту задающего генератора 5, и можно осуществлять дальнейшее увеличение частоты работы инвертора 1 или повьппать эквивалентное сопротивление его нагрузки.Как только напряжение на выходефильтра 10 низкой частоты превыситопорное Ц(что способствует режиму,когда время паузы между импульсамиП уменьшается до критического эна"чення, вследствие увеличения частотыили вследствие изменения параметровнагрузки), на выходе компаратора 7устанавливается единичный уровеньнапряжения. Перепад 0-1 на входе синхронизации 0-триггера 11 вызывает переключение последнего в нулевое состояние поскольку 0-вход эаэемЭ 5 лен. Напряжение на управлюющем входе устройства 12 выборки-хранения становится равным 1, что вызывает...

Номер патента: 1432482

Опубликовано: 23.10.1988

Автор: Сазонов

МПК: G05F 1/56

Метки: полупроводниковым, постоянного, преобразователем

.... , Поскольку п=1, .а мо,.мент времени г. принадлежит первомуинтервалу (.=1), то, согласно формуле, запирание производят так, чтобыпервая и единственная переменная состояния 1 в конце такта управленияприняла заданное значение,1(огда сумма Б, +Б, становится равна опорному сигналу Б , производят переключение, т,е. отпирание силовогоключа 1. Первый интервал такта управления длительностью , сформирован,Далее в каждый момент времени.7 продолжают Формирование сигналов Б, и Б Значение Б при этом вычисляют при условии, что в моментпроизводится запирание силового клю 1432482ча, Поскольку момент 1 принадлежитвторому интервалу и последующие переключения в такте управления отсутствуют, заданное значение тока1(Т) не учитывается,Когда...

Номер патента: 1444107

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Гужавин, Логинов, Текутьев, Юркевич, Юхин

МПК: B23K 9/00, B23K 9/10

Метки: источник, питания, полупроводниковым, преобразователем, силовым

...по сигналу с выхода компаратора 8. Таким образом, величина преобразуемого в электрический сигнал временного интервала пропорциональна величине проводимости нагрузки, так1 Д(107 с:гнует макс ссссальной величине пронодимос:ти цаг рузки, т. е, короткому замыкаснсю ца ныкоде источцика питания. 20 ,с 1 альссейиие цреобра сонания и определение неличц(пс временного интервала проводимос гц ключевых элементов н следую(се:с такте работы источника питания будут происходить с учетом этого. В устройстве 9 преобразования в случае ре;слизации его на базе генератора линейно-изменяющегося напряжения осушестнляется интегрирование постоянного эталонного напряжения, 30 причем вели псца временного интервала интегриронация пропорциональна величине...

Номер патента: 1448313

Опубликовано: 30.12.1988

Авторы: Антюхин, Лаужа, Узарс, Феоктистов, Храмцов, Чаусов

МПК: G01R 31/04, G01R 31/26, G01R 31/28 ...

Метки: качества, модуля, полупроводниковым, прибором, сборки, силовым

...генерируется в моментзапуская счетно-решающий блок 9, который вычисляет величину2Эта величина является показателем качества сборки модуля 1, Ее сравнивают с допусковым значением ЭА при Э З,модуль бракуют, а при Э ЭА,и, считают прошедшим испытания.Для обоснования представительности величины Э на Фиг. 3 рассмотрен процесс нагрева структуры импульсом тока 1 и ее последующее остывание, На Фиг.3 с показан импульс Е длительностью , а на Фиг. 3 - процесс изменения температуры О структуры при действии этого импульса и после него для "хорошего" и "плохого"модулей, В хорошем модуле полупроводник имеет низкое тепловое сопротивление "корпус-охладитель" и хорошие тепловые контакты внутри полупроводникового прибора. Поэтому из-за хорошей отдачи...

Номер патента: 1510040

Опубликовано: 23.09.1989

Авторы: Кононенко, Леонтьев, Филатов

МПК: H02H 3/17

Метки: защиты, полупроводниковым, преобразователем, сети, токов, утечки

...ток, протекающийчерез сопротивление 15 утечки (человека) и обусловленный ЭДС отключенных двигателей до преобразователя,снижается до безопасной величины засчет компенсации емкостной составляющей тока утечки дросселем 9, присоединенным между сетью и землей замыкающей частью контакта 10,Отключение источника 2 измерительного напряжения от сети также снижает дополнительно кратковременный токчерез человека, прикоснувшегося к фазе сети.При прикосновении человека послепреобразователя 14 кратковременныйток резко снижается в результате запирания преобразователя и отключенияемкости сети до преобразователя.В сети с преобразователем, установленным в непосредственной близости к двигателю 19, после отключенияпреобразователя...

Номер патента: 1550593

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Бай, Фельдман, Фомичев

МПК: H02M 1/08

Метки: вентильным, импульсов, полупроводниковым, преобразователем, формирователь

...выходом к базе транзистора 5.Формирователь импульсов тока управления работает следующим образом.В исходном состоянии источник 8 подает стабилизированное напряжение на резистор 4 и ключи 7. Генератор 9 импульсов формирует импульсы управления высокой частоты, поступающие на базу транзистора 5. Ключи 7 разомкнуты, ток в первичной обмотке импульсных трансформаторов 6 отсутствует. Потребления от источника 8 питания нет. При включении схемы 3 управления" 55 ключи 7 замыкаются в соответствии с заданным алгоритмом, подключая первичные обмотки импульсных трансформаторов 6 через резистор ч и переход эмиттер - коллектор транзистора 5 к источнику 8 питания на время, определяемое генератором 9 импульсовПри отсутствии управляющего сигнала на базе...

Номер патента: 1567995

Опубликовано: 30.05.1990

Авторы: Голубев, Китаев, Павлов, Якунин, Ярцев

МПК: G01R 27/08

Метки: контактов, переходного, полупроводниковым, слоям, сопротивления

...тока через контакт направлены параллельно,Из уравнений (1)-(4) следует, что в в К 1 ггм-К ггэ 1 г гв -г эРешая уравнения (5) - (7) относительно переходного сопротивления К находимК(8) Наличие на поверхности полупроводникового слоя других низкоомных контактов не может привести к возникновеник в полупроводниковом слое дополнительного холловского поля, что позволяет использовать выражение (8) при произвольном числе контактов для проведения измерений, из которых выбирают четыре,1567995 а переходное сопротивление исследуемого контакта определяют иэ соотношенияв в в еК,+31-К)ТД - (КД+К -К УдЦг -г ) Поскольку отношение удельных со-противлений Рв /Р : 1, относительноеизменение сопротивлений К и г вмагнитном поле составляет 8м-г ва гм г= В...

Номер патента: 1580504

Опубликовано: 23.07.1990

Автор: Богачев

МПК: H02M 5/27

Метки: дискретным, непосредственным, полупроводниковым, преобразователем, регулированием, частоты

...10, в котором частота увеличивается в 1(=.1,4,7 раз. Значение коэффициентаумножения 1( задается узлом 11. Сравнениеполярности сетевого напряжения с напряжением модуляции Ии, подаваемь)м с выхода блока умножителей 10, производится 25элементами 12. Совпадение знаков этих напряжений в течение не менее полупериоданапряжения сети фиксируется в блоке 13. Вследующем цикле формирования выходнойкривой соответствующий элемент блока 13 30подает сигнал разрешения на элементы 12,И отпирающие импульсы проходят к ключам2 преобразователя 1.Использование способа расширяет диапазон Выходных частот преобразователя, 35улучшает его энергетику и упрощает силаВу)а часть, что повышает надежность рабаты преобразователя,Существенным преимуществом предлаГаемОГО...

Номер патента: 1590254

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Логинов, Маринин, Селищ, Текутьев, Юхин

МПК: B23K 9/00, B23K 9/10

Метки: источник, питания, полупроводниковым, преобразователем, силовым

...быть реализовано, например, на оазе набора потенциометров с электронными коммутаторами,Источник питания работает следующим образом.Начало очередного такта работы источника питания и конец предыдущего такта определяется приходом импульса "Сброс" с блока 13 синхронизации на синхронизирующие входы устройств 5 и 6 измерения, устройства 9 преобразования, устройства 10,5 10 ды счетчиков 14 и 15 импульсов. Устройствами 5 и 6 измерения начинается измерение сварочного тоха и напряжения, продолжающееся до прихода с блока 13 синхронизации импульсной команды "Деление". По этой ко 20 манде информация из устройства измерения через коммутатор 7 и согласующее устройство 4 передается на вход устройства 5 измерения, где осуществляется операция 25...

Номер патента: 1601734

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Гамм, Князева, Тонышев

МПК: H02P 1/46, H02P 9/10

Метки: возбудителем, возбуждения, двигателя, минимального, ограничения, полупроводниковым, синхронного

...содержит операционнь 1 е усилители 8 - 10, задатчики 11 и 12 точек перегиба (потенциометры) и формирует требуемый вид зависимости 1 = =Цд ). Потенциометр 13 задает уровень тока возбуждения, а блок 14 формирует выходной сигнал. Устройство работает следующим образом,Датчик 1 внутреннего угла полупроводникового возбудителя при работе двигателя формирует сигнал, пропорциональный внутреннему углу нагрузки д. Сигнал д с выхода датчика 1 внутреннего угла нагрузки поступает на входы квадратора 5 блока 2 нелинейности. В квадраторе 5 формируется сигнал, пропорциональный квадратору внутреннего угла д, С выхода квадратора 5 сигнал, пропорциональный квадрату внутреннего угла, поступает на первый вход сумматора 7, На второй вход сумматора 7...

Номер патента: 1651777

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Токухару, Тосио

МПК: A61B 17/36

Метки: блоке, излучающее, лазерное, лазером, лечения, полупроводниковым

...схема 13 питания изащиты полупроводникового лазера б,Механизм.юстировки линзового держателя 8 (фиг,9) может быть выполнен .в виде линзы 7, расположенной в сферическом шарнире 14, Фиксируемом вкорпусе 15 линзового держателя 8 фиксаторами 16, В состав устройства40входят также защитный наконечник7и задняя крышка 18. Оси пучков 19лазерного излучения лазерных модулей4 параллельны оптической оси фокусирующего объектива 2. 45Лазерное излучающее устройство: работает следущцим образом.Лазерные модули 4 предварительноюстируются на специальном стенке.(Фнг,6-8), На Фиг,б 8 Р - излучающийр-и-переход полупроводникового лазера 6, Р - положение точки Фокуса коллимирующего объектива 7, Я - ось пучка 19 излучения полупроводникового лазера 6, Ь -...

Номер патента: 1716409

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Анатычук, Витрюк, Костин, Мельник, Туткевич

МПК: G01N 23/22

Метки: анализатора, датчик, детектором, полупроводниковым, рентгенорадиометрического

...откачки, а следовательно, и уменьшениеэксплуатационных расходов.Применение мембраны из низкотеплопроводного материала позволяет уменьшить теплопритоки со стенок корпуса на крышку капсулы и сдемпфировать механические напряжения, возникающие при охлаждении элементов конструкции и обусловленные разницей в температурных коэффициентах расширения конструктивных материалов, и тем самым уберечь ТЭО от разрушения.На чертеже представлен датчик, общийвид,Датчик содержит вакуумированнуюкапсулу 1 с входным бериллиевым окном 2, смонтированным на крышке 3, через которую осуществляется откачка и герметизация внутреннего объема капсулы 1, Внутри капсулы 1 расположен термоэлектрическийхолодильник 4, на теплопоглощающих спаях которого расположены...

Номер патента: 1720131

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Варвянская, Дрейслер, Чикотило, Шипилло

МПК: H02M 7/48

Метки: полупроводниковым, преобразователем

...выходного напряжения переходных процессов конечной длительности.Поставленная цель достигается тем, что в устройство для управления полупроводниковым преобразователем, содержащее датчик обратной связи по напряжению нагрузки, выходом соединенный с одним из входов первого сумматора, к другому входу которого подключен выход задатчика и вход функционального преобразователя, а к выходу первого сумматора подключен вход ПИ-регулятора, .введены датчик тока, нагрузки, пропорциональный регулятор (П-регулятор) с переменным коэффициентом усиления и второй сумматор, первым входом подключенный к выходу датчика тока нагрузки, вторым входом - .к выходу ПИ-регулятора, а выходом - к первому входу П-регулятора с переменным коэффициентом...

Номер патента: 1737670

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Балашов, Прасолов, Суханов

МПК: H02M 7/12

Метки: полупроводниковым, преобразователем

...к питающей сети, кнопку 15 "Пуск" с замыкающим контактом и кнопку 16 "Стоп" с двумя размыка10 15 ющими контактами. В этом устройстве в цепь управления магнитным пускателем 14 включены одним контактом кнопка 15, зашунтированная блок-контактом 17 магнитного пускателя 14, и кнопка 16, через другой размыкающий контакт которой выход источника 13 питания подключен к разрешающе-блокировочному входу блока 9 импульсно-фазового регулирования, Для управления электромагнитным приводом 4 его управляющие выводы 5 и 8 подключены к питающей сети, выводы 5 и 6 - к размыкающему блок-контакту 18 коммутирующего аппарата 14, а выводы 6 и 7 - к замыкающему блок-контакту 19 того же пускателя. В указанном устройстве электромагнитный привод 4 содержит два...

Номер патента: 1742964

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Кипенская, Кипенский

МПК: H02M 7/12

Метки: полупроводниковым, постоянного, преобразователем

...работы полупроводникового преобразователя 2 в атом случае будет определяться выражениемТ 2 = В/18 (2)В исходном состоянии напряжение на выходе триггера 13 соответствует уровню логического нуля и силовой ключ полупроводникового преобразователя разомкнут,Для включения полупроводникового преобразователя 2 на Р 2-вход программируемого таймера 12 подают напряжение, соответствующее уровню логической единицы, При этом во втором канале программируемого таймера 12 начинается отсчет ранее записаннсго числа В. С поиходом на Ти 2-вход каждого импульса от генератора синхронизации регулятора 8 на40 45 50 5 Г 04 = к 101 (3) чальное содержимое второго канала уменьшается на единицу. Диаграммы, поясняющие принцип работы программируемого таймера 12,...

Номер патента: 1589926

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Брянцева, Винценц, Любченко, Юневич

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, омических, полупроводниковым, приборам

...при малых на- пряжениях дает несколько большее, чем в примере 1, общее сопротивление В = 25 Ом.Выход за пределы рекомендуемого.оинтервала значений Е в сторону11уменьшения атой величины приводит к тому, что в области контакта остается модифицированный потенциальный барьер, Например, при Г= 1,4 10 Дж (Е = 0,28 Дж/см) вольт-амперные ха 8рактеристики диодных структур - кривая 4 на Фиг. 1 - носят асимметричный характер, относительно нулевого напряжения. Это свидетельствует о сохранении остаточного барьера в структуре металл-полупроводник,Наклон ВАХ при малых напряжениях дает н этом случай высокое общее сопротивление - 65 Ом. Дальнейший выход,из рекомендуемого интервала значений Е (Е,=1,0510 вДж, Е= 0,21 Дж/см 2) приводит к тому что ВАХ...

Номер патента: 1757047

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Калиниченко, Макаренко, Святненко, Сенько

МПК: H02M 1/08

Метки: ключом, полупроводниковым, силовым

...ключи с двусторонней проводимостью 7 и 8, первые выводы которых подключены к выводамвторичной обмотки основноготрансформатора 5, а вторичные выводы обьединены и образуют вторую выходную клемму 9 устройства, дополнительный трансформатор 10, первичная обмотка которого подключена к выходам О-триггера 4, а две вторичные. об мотки 11 и 12 соединены с управляющими входами ключей с двусторонней проводимостью 7 и 8 соответственно. предстэвлейы выходной сигнал 13 генератора 1 импульсов, сигнал 14 на прямом выходе счетного триггера 2, выходной сигнал 15 фазосдвигающего устройства 3, сигнал 16 на прямом выходе О-триггера 4, форма 17 напряжения на вторичной обмотке основного трансформатора 5, напряжение 18 на вторичной обмотке 11 дополнительного...

Номер патента: 1785051

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Помендюков, Рабинович, Славин

МПК: H01L 21/66

Метки: выводов, полупроводниковым, приборам, присоединения

...на время. необходимое для остывания ный.кристалла до температуры рабочего элект Технико-экономические преимущества рода 4 и подвижного диска 1. После выдер- изобретения: устанОвка предназначена не жки времени включается узел 9 измерения только для приварки проволочных выводов электрических параметров полупроводни- к полупроводвиковыщ приборам, но и для ковых приборови с его помощьюпо цепи: контроля электрических параметров 5 тих рабочий электрод 4 -кристалл с выводами 20 приборов, при этом, рабочий электродкро - подвижный, диск 1 - подпружиненный ме сваркивыполняет функцию первого изстержень 10 определяется полярностью мерительного электрода, функцию другого включения и электрицеские параметры кри- измерительного электрода выполняет...

Номер патента: 1321313

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Минеева, Миронов

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, омических, п-типа, полупроводниковым, соединениям

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СОЕДИНЕНИЯМ A3B5 P-ТИПА, включающий химическую обработку полупроводника, его нагрев, напыление слоя ванадия и основного контактного металла, отличающийся тем, что, с целью экономии драгоценных металлов при сохранении качества омических контактов, в качестве основного контактного металла используют никель или алюминий и нагревают полупроводник от 150 до 250oС.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве основного контактного металла используют двухслойную композицию из никеля и алюминия.

Номер патента: 865065

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Минеева, Миронов, Филипченко

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, омических, полупроводниковым, приборам

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПРИБОРАМ на основе соединений AIIIBV, включающий химическую обработку, нагрев подложки, напыление металла и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества приборов, после химической обработки на подложку дополнительно осаждают слой палладия толщиной 150 - 200 и проводят термообработку при температуре 450 - 500oС в течение 0,5 - 20 мин.

Номер патента: 757048

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Золотухин, Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/28

Метки: балочных, выводов, контактов, металлических, омических, покрытий, полупроводниковым, структурам

Способ изготовления металлических покрытий, балочных выводов и омических контактов в полупроводниковым структурам, включающий нанесение расплавленного контактного металла на поверхность полупроводниковых структур и последующее вплавление, отличающийся тем, что, с целью увеличения однородности покрытий, структуры собирают в пакет с зазором 0,2 - 1 мм, который заполняют расплавом контактного металла при температуре на 10 - 20oC меньше температуры вплавления, после вплавления охлаждают до температуры не ниже температуры плавления контактного металла и удаляют излишний металл из зазора.