Устройство для управления полупроводниковым вентилем

Номер патента: 902165

Авторы: Гиенко, Лохов

ZIP архив

Текст

(72) Авторы изобретения П. Лохо Гиенко лябинский политехнический институт им. Ленинского комсомола(54) УСТРОИСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ВЕНТИЛЕМпереход тиристора питатправляющи дним током Однако при этом необходимоотносительно большого запасажению, который теряется на тозирующем сопротивлении. введение о напря- стабилиИзобретение относится к преобр азова. тельной технике и может быть использовано в формирователях импульсов управления тиристорами.Известно устройство для управления полупроводниковым вентилем, в частности тиристором, в котором источник сигнала управления подключен к управляющему переходу тиристора через переход эмиттерколлектор транзистора 1,Недостатком известного устройства является отсутствие стабилизации тока управления тиристорами при колебаниях напряжения источника питания.Наиболее близким к предлагаемому является устройство для управления полупроводниковым вентилем, содержащее блок управления, связанный с базой основного биполярного транзистора и с источником постоянного напряжения, подключенным к выводам для подключения к управляющему переходу тиристора через переход коллектор-эмиттер биполярного транзистора и токостабилизирующее сопротивление, резисторы. В таком устройстве независимо от разброса входных характеристик можно Входные характеристики тиристоров имеют значительный разброс, что при работе устройства на разные тиристоры приводит к изменению напряжения между эмиттером и коллектором транзистора и модуляции тока базы коллекторным напряжением. Изменение тока базы влечет за собой изменение падения напряжения на переходе эмиттер-база транзистора и изменяется падение напряжения на токоста бил из ирующем сопротивлении, что влечет за собой изменение тока управления тиристора. Чтобы ослабить это возмущение, необходимо задавать достаточно большое падение напряжения на токостабилизирующем сопротивлении по сравнению с изменением напряжения эмиттербаза транзистора.Цель изобретения - уменьшение потерь напряжения.Поставленная цель достигается тем, чтоустройство для управления полупроводниковым вентилем снабжено дополнительнымтранзистором и делителем напряжения,причем блок управления подключен к базебиполярного транзистора через резистор, амежду базой этого транзистора и общимпроводом включен дополнительный транзистор с резистором в цепи эмиттера, база которого подключена к среднему выводу делителя напряжения, включенного между )Систочником постоянного напряжения и блоком управления.На чертеже представлена принципиальная схема устройства.Устройство содержит общий првод 1,блок 2 управлеция, источник 3 постоянно -го напряжения, подклк)ченцый к управляющему переходу тиристора 1 ерез основнойбиполярный транзистор 5 и токостабилизирую(цее сопротивление 6 в це;и эмиттера. Блок управления подключен к базе 16биполярного транзистора через резистор 7,а между базой этого транзистора и общимроводо вклк)ч(ь доно,нито,)нныйзистор 8 с резистором,1Н.1 э)иттера,база коп)рого подключена к делителю 1 Онапряжения.ф с т л О и с т в О 1) я О О т 1 е т с г(;1 1 0 1 ц 1 м О б р яЗОМ,",ри ц; евс),1 яц 1)янции ) пт)яв сци 5которое Н)с гуцает а )яз) тлязистора 5через резистор 7 о блок 1 2 1 равлси 51, здгрянзистор 5 закрыт и ток через него цепротекает При цоложгтельнох Напряженииъправсция тлянз стор Открываетс п)ко)через резистор 7. Коллекторное ца.;)5 Нс игТранзистор;1 5 Ерсз;1 ЕЛИТЕЛЬ0 Прц,ОжсОи , 3.К Э)ИТТЕРНО-ОЯЗОВОМУ ОРЕХИ ТРа НЗИСТО)я 8 и резистоом. Ток коллскто)а трянзис.тора 8 Яычи)Яетс 51 из тОка бЯзы тланзи(ОРЯ О. 111 аи ) не ичснии кол,(.(ТОРНО ( Ис 1 л)1жения транзистора 5, с одной стороы, (гоколлекторный ток возрясгяет из-за эффекта льхо мгяции толцины базы, с другой сторонь - у:, сньшястся 1 з-за оцсацных дсйсз вий э.ементов 8, 9 и 10. 1 хоэффициет деления делителя 10 устанавливается таким, чтобы обеспечивалась полная компенсация любых изменений тока коллектора транзистора 5 )ри изменениях его коллекторного напряжения.Введение компенсации позволяет уменьшить падение напряжения на токостабилизирующем сопротивлении 6 до 1,5 - 2 В, при этом ток управления тиристора практически остается постоянным. Без компенсации для получения удовлетворительной стабилизации тока управления падение напряжения на токостабилизирующем сопротивлении необходимо задавать 6 - 8 В.Фор 1 ула изобретенияУстройство для управления полупроводниковым вентилем, в частности тиристором, содержащее блок управления, связанный с оазой основного биполярного транзистора и с источником постоянного напряжения, подключенным к выводам для подключения к у;равляющему переходу тиристора через переход коллектор-эмиттер биполярного транзистора и токостабилизирующее сопротивление, общий провод, резисторы, отлинаоьеесл тем, что, с целью уменьшения потерь наряжения, оно снабжено дополнительцьм транзистором и делителем напряжения, причем блок управления подключен к баз биполярного транзистора через рез(т( я между базой этого транзистора и обц роводом включен дополнительный тряЗцстор с резистором в цепи эмиттера, ояза которого подключена к среднему вывод, делителя напряжения, включенного мскду источником постоянного напряжения и блоком управления.ИсОцик ицформации,цри ятые во внимание при экспертизе1. Патент Англии Ло 103950,Н 02 М 108, 1972.2. Патент СССР Ло 576083,К,;. Н 02 М 1108, 1974.Составитель О. Наказная Редактор М. Янович Техред А. Бойкас Корректор С. Щомак Заказ 12423/66 Тираж 7 8 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4

Смотреть

Заявка

2914901, 23.04.1980

ЧЕЛЯБИНСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. ЛЕНИНСКОГО КОМСОМОЛА

ГИЕНКО ДМИТРИЙ НИКОЛАЕВИЧ, ЛОХОВ СЕРГЕЙ ПРОКОПЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H02M 1/08

Метки: вентилем, полупроводниковым

Опубликовано: 30.01.1982

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-902165-ustrojjstvo-dlya-upravleniya-poluprovodnikovym-ventilem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для управления полупроводниковым вентилем</a>

Похожие патенты