Патенты с меткой «материале»

Номер патента: 1371287

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Андреев, Груз, Карнаухов, Карташева, Леонова, Мерзляков

МПК: G03C 7/00

Метки: амплитудно-фазовой, галогенсеребряном, информации, материале, регистрации, фотографическом

Способ регистрации амплитудно-фазовой информации на галогенсерябрянном фотографическом материале, состоящем из прозрачной подложки, красночувствительного и синечувствительного эмульссионных слоев, включающий последовательное экспонирование материала, когерентным излучением в синей и красной областях спектра, обработку в цветном проявителе, содержащем гидроксиламинсульфат, п-аминоэтиланилинсульфат, сульфат натрия, карбонат калия, бромид калия, динатриевую соль этилендиамин-N, N, N1, N1-тетрауксусной кислоты и воду, кислом фиксаже и отбеливателе, содержащем окислитель серебра и воду, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени фазовой модуляции в синечувствительном...

Номер патента: 1443628

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Брежнева, Желиговская, Орешкина, Перльмуттер, Стрельникова, Шеметова

МПК: G03C 5/50

Метки: галогенсеребряном, изображений, материале, фотографическом, цветном

Способ получения изображений на цветном галогенсеребряном фотографическом материале путем экспонирования материала, черно-белого проявления, первого фиксирования, обработки в усиливающем растворе, включающем этилендиаминтетрауксусную кислоту, гидроксиламинсульфат, цветное проявляющее вещество, сернистокислый натрий, углекислый натрий, соль кобальта и воду, отбеливания и повторного фиксирования, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, обработку в усиливающем растворе проводят при температуре раствора 25-40oC в течение 5-30 мин, в качестве соли кобальта в усиливающем растворе используют соединения кобальта (III), выбранное из ряда: [Co(NH3)5Cl]...

Номер патента: 1336772

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Вакушина, Микаэлян, Орешкина, Пучкова, Стрельникова, Шеметова

МПК: G03C 11/00

Метки: галогенсеребряном, изображения, композиция, материале, усиления, фотографическом, цветном

Композиция для усиления изображения на цветном галогенсеребряном фотографическом материале, содержащая цветное проявляющееся вещество, гидроксиламинсульфат, натрий сернистокислый, гексаамминкобальтнитрат, соль угольной кислоты и воду, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности раствора при хранении композиции, она в качестве соли угольной кислоты содержит углекислый натрий и дополнительно содержит этилендиаминтетрауксусную кислоту при следующем соотношении компонентов, г/л:Этилендиаминтетрауксусная кислота - 2 - 5Гидроксиламинсульфат - 1,5 - 6Цветное проявляющееся вещество - 0,5 - 2Сернистокислый натрий - 1,5 - 3Углекислый натрий - 20 - 40

Номер патента: 736664

Опубликовано: 10.09.1999

Автор: Худяков

МПК: C22F 3/00

Метки: кристаллическом, материале, пористости, создания

1. Способ создания пористости в кристаллическом материале, включающий облучение поверхности материала атомами гелия и отжиг, отличающийся тем, что, с целью управления характером пористости, в кристаллическом материале при температуре равной 0,01 - 0,3 температуры плавления, создают напряженное состояние, поверхность материала облучают атомами гелия энергией 50 - 1000 эв и электронами энергией (1 - 50) 106 эВ или нейтронами энергией 102 - 5 103 эВ, далее облучают нейтронами энергией 105 - 1014 эВ или ионами...

Номер патента: 1598302

Опубликовано: 10.01.2000

Авторы: Иголкин, Козий, Мануйлов, Хромов

МПК: B21D 28/26, B21D 35/00, B21J 5/06 ...

Метки: листовом, материале, отверстия

1. Способ получения отверстий в листовом материале, при котором получают предварительное отверстие, устанавливают в него с одной стороны на части высоты отверстия стержень, с другой стороны материала к кольцевому участку, охватывающему отверстие, прилагают осевую нагрузку и путем пластического деформирования в части отверстия, расположенной между плоскостью материала и торцом стержня, образуют цилиндрическое углубление с глухим упрочненным дном и затем прилагают осевую нагрузку и удаляют по меньшей мере часть упрочненного дна, отличающийся тем, что, с целью получения ступенчатого отверстия с упрочненным пояском в ступени меньшего диаметра, предварительное отверстие получают чистовым с...

Номер патента: 1471871

Опубликовано: 27.02.2000

Авторы: Добриков, Шишкин

МПК: G03C 1/695

Метки: изображения, материале, основе, ферментном, фосфатазы, фотографическом, щелочной

Способ получения изображения на ферментном фотографическом материале на основе щелочной фосфатазы, нанесенной на светочувствительное n-азидобензольное производное целлюлозы, путем экспонирования УФ-светом, обработки материала в закрепляющем растворе, содержащем буферно-солевой раствор и октилфениловый эфир полиэтиленгликоля, с последующей промывкой в буферно-солевом растворе, имеющем pH 7,5 - 9,8, и проявлением в буферно-солевом растворе, содержащем субстрат - -нафтилфосфат натрия и проявляющее вещество - 4-бензоиламино-2,5-диметоксифенилдиазонийборфторид, промывкой в воде и сушкой, отличающийся тем, что, с целью увеличения...

Номер патента: 1584225

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Козий, Мануйлов

МПК: B21D 19/00, B21D 28/26

Метки: листовом, материале, отверстий

1. Способ получения отверстий в листовом материале по авт.св. N 1269889, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей за счет получения в отверстиях фасок с чистовой поверхностью, в чистом отверстии устанавливают втулку с наружным диаметром, равным диаметру чистового отверстия, торец втулки размещают на расстоянии от плоскости материала, со стороны которой образуют фаску, и производят выдавливание фаски с одновременным осевым перемещением втулки, а затем к втулке прилагают усилия подпора и ее останавливают, а выдавливание продолжают.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что втулку в исходном положении устанавливают на расстоянии от плоскости материала Z =

Номер патента: 677597

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Газуко, Коршунов, Лукашова, Миркин, Постников, Шпирт

МПК: H01L 21/268

Метки: материале, полупроводниковом, структур, электронно-дырочных

1. Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале путем воздействия импульсного лазерного излучения в режиме свободной генерации, отличающийся тем, что, с целью получения структур с вытянутой в глубину образца, по крайней мере, одной из областей с повышенной по отношению к исходной концентрацией свободных носителей заряда, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от величины, вызывающей образование кратера, до величины, меньшей образования сквозного отверстия в обрабатываемом материале.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения n+-p-n+-структур в антимониде индия, лазерное воздействие осуществляют с...

Номер патента: 631015

Опубликовано: 10.11.2001

Авторы: Коршунов, Постников, Тихонов

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, материале, полупроводниковом, электронов

Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале по сдвигу края полосы собственного поглощения вырожденного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью возможности измерений в приповерхностных слоях толщиной порядка нескольких микрон и ускорения измерений, измеряют минимальное значение эллипсометрического параметра ( min) соответствующую ему длину волны кр, отвечающую энергетическому положению красной границы полосы собственного поглощения...