Патенты с меткой «легированного»
Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом
Номер патента: 1294032
Опубликовано: 27.05.2002
Авторы: Емельянов, Севастьянов, Соболева, Хапаева, Чиркин
МПК: C30B 11/00, C30B 29/28
Метки: выращивания, граната, иттрий-алюминиевого, легированного, монокристаллов, неодимом
Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом, из расплава исходных компонентов, содержащих Y2O3, Al2O3, Nd2O3, с заданной скоростью, отличающийся тем, что, с целью получения концентрации неодима в монокристалле до 2,6 мас.% при обеспечении его стехиометрического состава и удешевления процесса, исходные компоненты берут в следующем соотношении, мас.%:Al2O3 - 41,82 - 42,64Nd2O3 - 7,89 - 2,17Y2O3 - Остальноеи выращивание ведут со скоростью 0,6 - 1,0 мм/ч.
Способ получения кристаллов антимонида индия insb, легированного висмутом
Номер патента: 1279279
Опубликовано: 20.11.2002
Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Ковалев, Стоян
МПК: C30B 13/10, C30B 29/40
Метки: insb, антимонида, висмутом, индия, кристаллов, легированного
Способ получения кристаллов антимонида индия InSb, легированного висмутом путем направленной кристаллизации из раствора - раствора исходных InSb и In2Bi, отличающийся тем, что, с целью получения высокоомного антимонида индия, исходный InSb берут с содержанием не более 4,6 1015 см-3 фоновой примеси, раствор-расплав содержит 2,6-22,5 мол.% In2Bi и кристаллизацию ведут со скоростью 0,8-3,2 мм/ч.