Саможенков

Номер патента: 780823

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Панасюк, Саможенков, Саночкин

МПК: H05H 13/00

Метки: ускоритель, циклический, электронов

...плазму, ца.расположенном состоронй внешнего источника входе диэлектрической камеры установлена соосно с .резонатором диафрагма с изменяющейся площадью окна, а внешний источник является оптическим.На чертеже изображена конструктивная схема предлагаемого циклическогоускорителя электронов,Она содержит соленоид-резонатор 1,диэлектрическую вакуумную камеру 2,диафрагму 3, оптический источник 4и вакуумный насос 5.Устройство работает следующим образом.Вакуумный насос 5 откачивает внутреннюю полость диэлектрической вакуумной камеры 2 до рабочего давления.Включается оптический источник 4,.,и поток фотонов Ь), площадь сечениякоторого определяется площадью изменякцегося окна диафрагмы 3, распространяется в приосевой области соленоида-резонатора...

Номер патента: 726026

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Герзон, Дыкин, Саможенков, Соколов, Толкачев, Чернов

МПК: C02F 1/66, G05D 27/00

Метки: воды, подкисления, природной, процесса

...заданное значение щелочности подкисленной воды.При дозировании кислоты в природную щелочную воду, которая является буферным раствором, щелочность воды уменьшается, при этомс изменением щелочности от 3,5 мг-зкв/л и более до 0,5-0,25 мг-экв/л значение рН водыпонижается, а величина электропроводности во.ды практически не изменяется. При продолжениидозирования кислоты и уменьшения щелочностиот 0,3 мг-экв/л до нуля значение рН резкоуменьшается, злектропроводность начинает незначительно увеличиваться, далее при повышениикислотности воды значение рН еще несколькоснижается (при кислотности 0-0,5 мг-экв/л), азатем практически изменяется очень мало,электропроводность же, наоборот, начинает резко и линеино возрастать. Эти закономерностиповторяются...

Номер патента: 582482

Опубликовано: 30.11.1977

Авторы: Герзон, Гульман, Диденко, Саможенков

МПК: G01N 27/00

Метки: анионитных, кислоты, концентрации, кремниевой, фильтрате, фильтров

...д С целью упрощени цию кремниевой кисл личине изменения пленки, образующейсятх спосо троля, п ефицитньконтро огы опре потенциа на ципко На участках 2 - 4 напря ко возрастает, это объясн 25 мере увеличения концентр рате (в различных формах ная ЯО) происходит изм го потенциала путем адсо кислоты на поверхности 30 да (образование силикатнНа фиг,во, реализу фиг. 2 изоб потенциало концентрац рате.схематически показано ощее предлагаемый сп ажена кривая изменени на электродах в завис и кремнивой кислоты устроистсоб; на разности тмости от в фильтИзобретение относится к химической обработке воды для тепловых электростанций, промышленных и коммунальных предприятий и может быть использовано для контроля степени истощения и сигнализации...