Патенты с меткой «излучения»

Номер патента: 1679213

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Белик, Зиновьев, Коротков, Симановская

МПК: G01J 3/10

Метки: вуф, генерации, диапазоне, излучения, линейчатого, спектра

...используемых энергиях элек тронов пучка сечения ионизации атомовНе и Аг значительно превышают сечения и возбуждения, можно определить Зппп как14 р - ,Тогда ограничения на конценти Йоп40 рацию(или давление Р) газа можно представить в виде где М = 110 9 ТорсмК - поСтоянная Больцмана;Т-температура вК, В данномслучае р 0,75 Тордля Не и р 0,1 Тордля Аг,С другой стороны, условие однократности неупругих столкновений означает, что образовавшийся ион не должен быть повторно ионизаван другим налетающим электроном, что приводит к ограничению на ток электронного пучка. Это ограничение представляется в виде условия, что средний временной интервал асср между неупругими столкновениями иона мишени с налетающими электронамифЯ 1+ - 1 Еср 1 пэл Оэл 01 оп...

Номер патента: 1679214

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Омаров, Эльдаров, Эфендиев

МПК: G01J 3/30

Метки: излучения, исследования, спектров

...с фотоприемника 9, прямо пропорционально величине светового потока,падающего на фотоприемник. А значениеЭДС индукции е, наводимой на катушкеиндуктивности мультсборника 10, пропорционально б 1 йт, Следовательно,ЗО сП дФ Й б 1(4)Подставляя в выражение(4) значе- Э 5 ние 4 Ъ иэ формулы (2) получают 40Из формулы (5) следует, что величина запускающего сигнала, идущего с мультсборника 10 с индуктивным каналом связи на прибор 7, прямо пропорциональна как крутизне фронта светового импульса 6 Ъ, так и 45 скорости изменения крутизны Фь . Следовательно, если произойдет рост крутизны исследуемого сигнала, то регистрирующий прибор 7 на него прореагирует и его запуск произойдет раньше. 50 К,=Ц,2 лгде Таким образом, сам световой сигнал...

Номер патента: 1679217

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Бондарчук, Сиботару, Ухлинов

МПК: G01J 5/12

Метки: излучения, инфракрасного, приемник

...состоящую из основного участка б ветви и участка 7 ветви длиной 1, поглощающего1679217 12; б1 зф = ки,50 излучение испытывает отражение. В результатеуоглощения излучения температура спая 2 повышается, а температура спая 3 остается прежней. Возникшая разность температур между спаями термобатареи приводит к появлению разности потенциалов на концах термобатареи. По величине измеренного напряжения определяют интенсивность излучения и температуру нагретого объекта.Для повышения чувствительности приемника участки 1 р- и и-ветвей в области горячих спаев выполнены таким образом, что их тепловое сопротивление больше, чем тепловое сопротивление участков основных ветвей. Это приводит к уменьшению отгока тепла из области горячего спая и...

Номер патента: 1679305

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Воропай, Казак, Лугина, Надененко, Павленко, Санников, Торпачев

МПК: G01N 21/63

Метки: вторичного, излучения, интенсивности, относительного, процесса, распределения, спектрального

...излучения.Для сравнения получают выражение отклика детектора вторичного процесса при отсутствии нормировки на энергию импуль) са зондирующего излучения за время взаимодействия со. средой.Если в МК введена интенсивность 1 л, то ее изменение со временем описывается выражениемф)-1 ле , (14) где с,; - время жизни фотона в МК, рав- ное%6 Д1, ЬсА А (15)В случае известного способа ЛЬ = -21 С В качестве единицы времени берется время прохода МК Ю = ОС, Считают, что в течение этого времени энергия излучения в МК постоянна, а импульс лазера имеет длительность Ьл.После первого прохода объектом излучения измеряется заряда =2 к 1 лтое 11 г" (16) Тогда общий заряд, измеренный датчиком вторичного процесса после и проходов, составляет Ое =23 суАаеф...

Номер патента: 1363938

Опубликовано: 23.09.1991

Автор: Смирнов

МПК: G01J 9/02

Метки: излучения, параметров, поля, пучке, электромагнитного

...щелями, стекловолоконныйблок 4 разводки оптического сигнала, фотоприемные устройстгде А - комплексная амплитуда источника;(ХХ ) - функция амплитудного пропускания элементарной ячейкитранспаранта;Б(Х,Х,) - функция источника, характеризующая его форму и раз.меры;Ь(ХХ ) - импульсный отклик транспа"ранта учитывающий его размеры и влияние свободногопространства как фильтранизких частот;С - комплексная амплитуда эле"гментарного изображения в условиях бесконечной апертурытранспаранта и точечных источников освещения с единичной амплитудой.Размеры источников и элементарных ячеек транспаранта таковы, что размноженные изображения не перекрываются, а расположение источников таково,что изображения от каждого нэ нихсмещены одно относительно другого...

Номер патента: 1680160

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Васильев, Воробьев, Краснов, Луговой, Мизин, Наумиди, Ярош

МПК: A61F 9/00, G02B 1/04

Метки: ввода, глаз, излучения, лазерного, оптических, элементов

...температуре 110 С. После охлаждения до температуры окружающей средц сборку разбирают и производят формовку полученного защитного слоя. С помощью прижимного винта поджимают сферическую поверхность формующего элемента с радиусом кривизны 8 мм к поверхности полимерного слоя, одновременно производя. подачу горячего воздуха и разогревая таким образом полимер до температуры 105 ОС, Постепенно поджимая формующий элемент с помощью прижимного винта, продолжают процесс формовки до тех пор, пока толщина полимерного слоя не достигнет 0,5 мм, и в этом положении формовку продолжают в течение 10 мин, после чего отключают подачу горячего воздуха и производят охлаждение. Облой с торцовой поверхности полимерного слоя удаляют путем механической обработки,П...

Номер патента: 1686350

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Кауричев, Платонов, Пупонин, Черников, Яшин

МПК: G01N 33/24

Метки: веществ, излучения, органических, почве, субстратов, трансформации

...ткани, органогенный субстрат в капроновом мешочке, слой кварцевсго песка 2-2,5 см, который покрывают слоем 3-4 см микропористого активированного угля. Сверху колонку заполняют влажным кварцевым песком и соединяют с приемником лизиметрических вод, Приготовленную таким образом колонку с исследуемым субстратом1686350 сформации органически субстрата бстрата, года органических ических веществ субстраанических веществ, иде продуктов, идентСостав диагностированных газов: О 2, СО 2, СН 4, Н 25, й Составитель В. Сальников ехред М,Моргентал Корректор М. Демч актор Н, Яцола Заказ 3594 ВНИИПТираж Подписноедарственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035 Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат...

Номер патента: 1689763

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Грунин, Кильвейн, Пономарева

МПК: G01J 1/44

Метки: датчик, излучения

...его сопротивление постоянному току. 1 ил. го усилителя, а анод - к источнику отрицательного смещения.Датчик работает следующим образом, После включения питания на выходе операционного усилителя устанавливается положительное напряжение, которое открывает диод 5 и осуществляет через него заряд барьерной емкости фотодиода б, После заряда барьерной емкости фотодиода б до положительного напряжения относительно корпусной шины напряжение на выходе операционного усилителя становится отрицательным, диод 5 запирается и процесс заряда барьерной емкости фотодиода прекращается. Падающий на фотодиод поток излучения вызывает появление тока че. рез фотодиод 6, который разряжает1689763 Составитель А,Ястребовактор А.Козориз Техред М.Моргентал...

Номер патента: 1689766

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Бабиченко, Дунаев

МПК: G01J 1/44

Метки: излучения, измеритель, потоков

...б частоты,. в качестве которого может испОльзоваться триггер,Таким образом, независимо от скважноСти Выходного Сигнала формирователя 5 синхроимпульсов, подве)женной изменениям 9 нестабильных по т 8 мг)вратуре услО" виях, скваж)ость сигнала на выходе делителя б частоты и, соответственно, управляющих сигналов на выходе формирователя 7 будет оставаться постоянной, Необходимый при этом фазовый сдвиг управляющих сиг- н ВЛОВ может ГОддерживатьсЯ л)обым изве" стным способом, а требуемьй в этом случае фазовращатель может располагаться как в формирователе 7 упрагляюцих сигналов, так и в формирователе 5 сихооимпульсов.ПОБышени 8 темпеиуры Окру)кающеб с реды Ведет к ум 8 ньше ни:4) светоВых пром 8- жутков по отношени)о к т.:Мновым в...

Номер патента: 1689808

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Ауслендер, Бебенин, Лошкарева, Самохвалов, Сухоруков, Трофимов

МПК: G01N 21/59

Метки: азимута, излучения, линейно, поляризованного

...- а) =р +а - 115 и л - р= 65 и относительная интенсивность 0,12, Таким образом, в случае, когда второе магнитное поле направлено противчасовой стрелки по отношению к первому магнитному полю, если смотреть по направлению распространения излучения, при относительной интенсивности 0,59, искомым азимутом является 70, а при относительной интенсивности 0,12 искомым азимутом является 110.Способ основан на следующих физических закономерностях,При приложении к пластине из магнитной полупроводниковой шпинели р-типа, например р-Н 9 Сг 23 е 4, магнитного поля вдоль плоскости пластины перпендикулярно падающему линейно поляризованному излучению интенсивность на выходе из пластины сильно зависит от угла между направлением поляризации падающего...

Номер патента: 1689818

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Дудчик, Комаров, Соловьев, Тишков

МПК: G01N 23/20

Метки: излучения, источник, коллимированного, рентгеновского

...излучения. Расстояние между пластинами б,Толщина пластины 2 не меньше, чем величина ф 6, где 1 ф = 1/В, В - показательослабления излучения с энергией Еа материалом мишени; О - критический угол полного внешнего отражения фотонов отстенок канала, Генерация излучения происходит в приповерхнастном слое стенок канала. Число квантов с энергией Еа,образующихся в этом слое, элемент объемакоторого равен Ьх 1 убг, где 1 хя.у попереч 10 ный и продольный размеры пластины 2; бг- олщина слоя, равно:бИ = ф Иа % (Е ) 1 у 1 хбг (1) где Йд - концентрация атомов в мишени,Е - энергия электрона на глубине 2 от верхней поверхности пластинь 1 2;о(Е ) - сечение выхода рентгеновского излучения.Если угол скольжения квантов меньше критического 9, = Ь вр/Еа,...

Номер патента: 1689880

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Комаров, Мицмахер, Христич, Черепанов

МПК: G01R 29/10

Метки: антенны, бокового, излучения, уровня

...с вспомогательной антенной 2,приемник 3, вход которого предназначен 15для подключения испытуемой антенны 4,блок 5 поворота с воэможностью закрепления испытуемой антенны 4, кронштейн б сподвижной кареткой 7, на которой установлен отражатель 8, 2 Способ реализуется следующим образом,Ориентируют испытуемую антенну 4 максимумом диаграммы направленности на 25 вспомогательную антенну 2 и с помощью блока 5 разворачивают кронштейн б с закрепленной на нем кареткой 7 с установленным на ней отражателем 8 так, чтобь на отражатель 8 был направлен измеряемый 30 лепесток диаграммы направленности. Перемещая отражатель 8 в направлении на испытуемую антенну 4, с помощью каретки 7 фиксируют по индикатору приемника 3 максимальное 01 макс и минимальное 01...

Номер патента: 450513

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Шепель, Щетинин

МПК: G01T 1/28

Метки: излучения, интенсивности, ионизирующего

...камеры выходит на плато,пе,И п 4505 1 3 А 1 жения, усилитель и измерйтельный прибор переменного тока, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью обеспечения линейной зависимости между величиной выходного сигнала устройства и интенсивностью излучения, в качестве детектора излучения используется вакуумный радиационный элемент, на электроды которого подано переменное напряжение с амплитудой, превышающей величину напряжения насыщения детектора,Недостатком известного устройства является зависимость напряжения насыщения ионизационной камеры от интенсивности падающего излучения, вследстви чего при заданной амплитуд. и частоте напряжения на электродах ионизационной камеры форма сигнала на выходе камеры и, следовательно его гармонический состав...

Номер патента: 1448835

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Темирбулатов

МПК: G01J 5/02

Метки: излучения, измеритель, оптического, пространственных, проходного, типа, характеристик, энергетических

...характеристик направленного оптического излучения, Цель - повышение точности измерений, В измерителе, содержащем корпус с входным и выходным окнами и размещенные внутри корпуса цилиндрический ответвитель излучения, установленный с возможностью вращения вокруг оси, параллельной оси ответвителя, и два приемника излучения, эти приемники установлены под определенным углом к оптической оси измерителя. Этот угол определяется геометрическими параметрами ответвителя, радиусом его вращения, высотой входного окна измерителя и положением приемников излучения, Такое расположение приемников излучения позволяет свести до минимума погрешности, связанные с ответвлением оптической мощности и увеличить точность измерений. 1 ил. на оптической оси...

Номер патента: 1691812

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Королев, Меснянкин

МПК: G02B 27/48

Метки: излучения, изоляции, импульса, лазерного, мощного, оптическое

...с )пав,;,:Г(а(; ( ПТИЧЕСКЗЙ Ос( (С ус;р(р 11,.1г С 1,. ":1 ) ,ТЕвс.з Лзлу.ение отрахае . .и;,:,;. -.- лИЕНт, . СЛИ В Ка Ч З, т В З,(;1, 1-.,:ИСП(РЛЬЗ(ЕТС. ЯЧЕИ(д,В (,Г(,1 Ра В т Г г;:ф гП Р О ХОД а П 10К а С -, г((-, Г " И .1 а,:В гчивается на 45, Р, с.ту,.:;, (;с(ч, - , че-Втьзолкаваяизлуч 8 ние из Г 1 лс скоп: 111 из " 3(-, . Зг(Рвится1 аля 1 Ризва , ( : (с, о,1: ,(рИЗУЧЕН(Л(Р ПОПВГ(ат 1 "ИсггД(я рабочеГО сиг.13,3; ГВ а с(мом ", обрат нол( на (113 1(:1(ля.;. рт Фг(81.и".Зто игнал бесг(ре,( (т,р,;1 .ЗВГВОР, Па 1 адаЕТ .(Б)1.(: " ЗР8(.1, .3х(14 т 880 тГ)а)кается сг(1 а;,; - , -1велении а( репрОходит )иниюадзр(, 4 : -т,. р тс 18 п(рахада элем зна3 аб );- , ь:-,;,:-(л-нии плоскость гсл.; 1:;.)(л .:;(с.,;1 0И,".ЛУЧ 8 НИЯ ПОВЕР 1 УГЗ (.,...

Номер патента: 1691903

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Варфоломеев

МПК: H01J 25/00, H01S 3/00

Метки: генерации, излучения, когеретного, усиления, электромагнитного

...для рябо.ы со слабьли интенсивнос: ями поля, деляк)т однородными, с одинаковой постоянной во всей секции. Последние по ходу импульса секции Одуляор;1 могут быть профилрОвакньми,т.а. с лзменяющейся пос.оянной по дллке сек ции. В случае интенсивных полей (в последних секциях ондулятора) эти изменения могут быть настолько существенкьми, что без соответствующего профиллрования ондулятора пространственный синхронизм будет нарушаться. приводя к уменьшению взаимодействия потока с колебанием,Длины ондулячорных секций или числа периодов в секции определяют из условия максимальной передачл энергии от электронных сгустков генерируемому импульсу в ках(ДОЙ из секций, В червьх секциях это условие свсдится к обеспечению максимального усиления в...

Номер патента: 1691979

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Безбатченко, Бограчев, Войтюк, Машкович

МПК: G12B 9/02, H05K 5/06

Метки: взрывонепроницаемая, излучения, источника, оболочка, оптического, размещения

...и горнорудной промышленности при конструировании взрывобеэапасных источников оптического излучения,Цель изобретенияповышение надеж - ности и удобства эксплуатации.На чертеже представлена взрывонепроницаемая оболочка с размещенным в нел источником оптического излучения, общий вид,Взрывонепроницаемая оболочка содержит цилиндрический корпус 1, внутри которого размещен источник 2 оптического излучения, например лазер, На одном торце цилиндрического корпуса 1 размещена крышка 3 с прозрачным стеклом, Снаружи цилиндрического корпуса 1 размещены элементы питания, трансформатор 4 и выпрямитель 5.Оболочка снабжена опорным узлом 6: отверстием 7, установленным в средней части цилиндрического корпуса 1 так, что цилиндрический корпус проходит...

Номер патента: 1693395

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Бубличенко

МПК: G01J 1/44

Метки: излучения, импульсно, малых, оптических, периодического, потерь

...разбаланс интенсивностей излучения в каналах устройства, который приводит к появлению светового сигнала на частоте прерывания.На опорный фотоприемник 8 поступает световой сигнал кепосредственно от источника 1, не содержащий информации о поглощении.Включенные в режим накопления фотоприемники 7 и 8 обеспечивают низкочастотную фильтрацию фотоэлектрического сигнала. Величина неинформэтивной модуляционной составляющей снижается пропорционально отношению частоты следования импульсов к частоте переключения каналов, Выходные сигналы с фотоприемников 7 и 8 вычитаются в блоке 9 с широкой полосой пропускания, причем сигкалы уравкиваются по величине в положении, когда открыт канал, свободный от оптических потерь, После дифференциатора 10 подавления...

Номер патента: 1693399

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Дивин

МПК: G01J 5/50

Метки: излучения, интенсивности, пространственного, распределения, электромагнитного

...изменения критического тока Ас от магнитного поля, можно получить четную часть изменения распределения плотности критического тока перехода, что в случае четного пространственного распределения интенсивности Ячеку(ХУ), как это бывает, например, в лазерных пучках, в резонаторах и в световодах, дает искомое распределение И/(Х,У). В случае произвольного распределения О/(Х,У) излучение с искомым распределением можно подать лишь на одну половину переходаи тогда произвольное распределение ЛЦХ,У), вызванное Ю(Х,У), можно восстановить по формуле,ю(Х,У) 1-Л).(х,у) = х р чьт20 К: - Ну, Ку = Нх Фо =2,07 10 Гс см ъ б б, - у г х Фо " " Фо- квант магнитного потока;Нх, Ну - компоненты напряженностимагнитного поля;б - глубина проникновения...

Номер патента: 1693400

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Коханов, Шишигин

МПК: G01J 5/50

Метки: излучения, лазерного, потерь, пучка, энергии

...5 и участком трассы, содержащим плазменные очаги пробоя, а с помощью реИзобретение относится к лазерной тех-.нике и может быть использовано для измерения потерь энергии лазерного излученияв атмосфере,Целью изобретения является обеспечение возможности измерения потерь энергии пучка лазерного излучения наплазменных очагах пробоя,На чертеже изображена схема реализации способа,Схема содержит лазер 1, фокусирующееустройство 2, ответвитель 3, измеритель 4энергии импульсов лазерного излучения,приемник 5 теплового излучения, ЭВМ 6,регистратор 7 метеорологической дальности видности.Способ реализуется следующим образом. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР 16934 ОО А 11693400 гистратора 7 измеряют коэффициент...

Номер патента: 1695125

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Гусев, Милинкис, Петров

МПК: G01B 11/02

Метки: излучения, измеритель, мощности

...элемента 1 измерительный 1 и опорный 2 чувствительные элементы имеют одинаковую температуру, равную температуре окружающей среды. Емкости С параэлектрических конденсаторов измерительного 1 и опорного 2 чувствительных элементов, определяют по формуле 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 С -Т - О=а(Т - О)ВС где а - эффективный коэффициент тепло- передачи;а - константа, зависящая от размеров и свойств материала чувствительных элементов 1 и 2;ЯС - постоянная времени времязадающей цепочки управляемых генераторов 3 и 4.Поэтому в. исходном состоянии на выходе смесителя 5 сигнал, определяемый по формулеЬ=-а(Т - Т 2) =-а ЛТ, г 3) равен нулю. При этом ключ 6 в течение калиброванного промежутка времени, определяемого таймером 7, закрыт, т.е. на...

Номер патента: 1695144

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Карамушко, Шамраев, Яременко

МПК: G01J 3/10

Метки: вакуумного, излучения, источник, ультрафиолетового

...корпусесопла и герметично соединенного сильфоном 8 с внутренней поверхностью конденсационного насоса,Устройство работает следующим образом,Рабочий газ через сверхзвуковое сопла2 вытекает в виде ограниченной в пространстве направленной сверхзвуковой струи ввакуумную камеру 1 источника и проходитчерез патрубок 6 в низковакуумную камеру5. При этом часть газа выморакивается наповерхности криогенного насоса, часть откачивается вспомогательными откачнымисредствами, присоединенными к камере 5,Электронная пушка создает электронныйпучок, пересекающий сверхзвуковуюструю в зазоре между соплом и патрубком,Возбужденный электронами газ излучает, иЭто излучение распространяется в вакуумебез поглощения, Окно для выхода излучения не показано)...

Номер патента: 1473491

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Косоротов, Кременчугский, Леваш, Щедрина

МПК: G01J 5/26

Метки: излучения, интенсивного, приемник

...напряжения одного знака и что в соседних квадрантах знаки поенциалов противоположные, Н связи с этим полный потенциал на основании цилиндра равен нулю, и для органиэации приемника излучения и рл данном способе облуцения необходимо, чтобы электроды покрывали части поверхности с потенциалами одного знака.Анализ выражения (1) применительно к каждому классу материалов приводит к следующему результату. Отличный от нуля третичный пироэффект наблюдается только в определенных классах и в определенных срезах кристаллов. Это, во-первых, все три среза кристаллов, принадлежащих к кристаллографическим классам 43 в, 23, 42 и, 222, во-вторых, Х и У - срезы классов 46, 422, б 22, в-третьих, Х-срез класса 2 и, в-четвертых, Е-срез класса 4,...

Номер патента: 1697033

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Зельцер, Легкун, Мойсеенко, Смирнов

МПК: G02B 6/00

Метки: излучения, немонохроматического, передачи, полый, световод

...способности этой среды,Полый световод (фиг. 2) работает аналогичным образам в составе имитатора солнечного излучения.Излучение от источника 10, подобраного в соответствии с требованиями по спектральному составу (распределение энергии излучения в интервалах: О,З - 0,4 мкм - 1.4%, 0,4 - 0,7 мкм 35,53%, 0,7 - 1,0 мкм - 2137%, 1,0 - 3,0 мкм - 1434%)формируется оптической системой 9 в пучок, который направляется через световод иа испытуемый объект (гелиоколлектор) 12. Работа источника 10, расположенного внутри оптической системы, сопровождается выделением теплоты, вызывающим нагрев наружных поверхностей оптической системы, включая лицевую поверхность 11, Нагретая до равновесной температуры (150 - 200 С) лицевая поверхность 11...

Номер патента: 1698870

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Конойко, Пилипович, Поляков

МПК: G02F 1/05

Метки: излучения, модуляции

...быть не симметричнаотноситеЛьно температуры фазового35перехода (точки Кюри), В этом случае участкам температурной зависимости, в пределах которых измененияэлектрооптического коэфФициента равны по абсолютной величине и противоположны по з на ку, соот ветс т вуют ра з.ные начальные температурные значенияэлементов (То и То ) и разные элекрооптические коэффициенты (например 45для кристаллов группы КДР соответственно г, и гбао), Поэтому начальные температуры элементов выбираютсяна уцастках температурных зависимостей их электрооптических коэффициен 50, тов, где изменения последних идентичны по абсолютной величине. В принципе, могут применяться в двухэлементной оптической схеме и элементы, относящиеся к различным группам, нонаходящиеся в...

Номер патента: 1042464

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Чукляев, Щетинин

МПК: G01T 1/28

Метки: излучения, регистрации

...чувствительность к искажениям формы питающего напряжения и помехам, имеющим частоты большие, чем частота среза фильтра. 10Цель изобретения - .повышение отношения сигнал-шум устройства.Цель достигается.феи, что устройство для регистрации излучения, содержащее чувствительный к излучению 15 эмиттер медленных электронов и отделенный от него вакуумным промежутком коллектор электронов, соединенный с усилителем и измерительным прибором переменного тока, а также )О источник переменного напряжения, снабжено вторым чувствительным к излучению эмиттером медленных электрснов расположенным симметрично первому относительно колле ктора и соединен ныи с ним, расположенными между кол" лектором и каждым эмиттером двумя управляющими электродами например, в...

Номер патента: 1700499

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Бобров, Квиникидзе, Пятигорский, Федоров

МПК: G01R 29/08

Метки: датчик, излучения, электромагнитного

...и его величиной(частотой и напряженностью электромагнитного излучения в области расположения антенны датчика), 40Вывод 7 цепей баланса и коррекции является входом для подключения антенны 6. Ка ОУ подают питание и после его входа в режим регулировкой баланса в цепи 2 добиваются заданной величины потенциала на 45 выходе микросхемы, Затем на антенну 6 подают электромагнитное излучение в.дециметровом диапазоне воли и вновь измеряют потенциал на выходе микросхемы 10 индикатором 11. Разность потенциалов до и после подачи электромагнитного излуче ния (разность показаний индикатора) - есть реакция датчика на воздействие этого излучения.На фиг. 2 (кривые а и б) в качестве приема приведены амплитудно-частотные 55 характеристики двух датчиков...

Номер патента: 1700593

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Слесарев, Юдаев

МПК: G11B 7/125

Метки: излучения, лазерного, мощности, стабилизации

...меньше оптимального уровня для данного но. сителя информации, из чего следует, что переходные процессы также будут невелики.Следовательно, в процессе воспроизведения управление излучаемой мощностью лазера 1 осуществляется посредством цепи, содержащей детектор 12 огибающей и блок 14 генерации тока воспроизведения, год воздействием сигнала обратной связи поступающего с выхода суммирующего усилителя 6 через аналоговый мультиплексор 11, при этом детектор2 огибающей служит для выделения из отраженного от носителя информации сигнала соответствующего уровню мощности сигнала воспроизведения. Блок 4 генерации тока воспроизведения служит для возбуждения полупроводникового лазерана уровне воспроизведения.В режиме записи под воздействием сигнала 5...

Номер патента: 1589733

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Беляков, Горячев, Сресели

МПК: G01J 4/04

Метки: излучения, импульсного, монохроматического, поляризационных, характеристик

...которых зависит от поляризационных характеристик излучения, 251 риемная поверхность Фотоэлектрического узла выполнена в виде трехразлично ориентированных дифракционных решеток для возбуждения трех различных по интенсивности ПЭВ и, какследствие этого, трех различныхпо величине сигналов Фотоответа.Металлический слой на каждой решетке изолирован от слоев па другихрешетках для сохранения указанныхразличий,Штрихи второй решетки ориентированы под углом Г/4 к штрихам первойрешетки, а штрихи третьей решеткиперпендикулярны штрихам первой решетки.Фотоответ структуры металл-полупроводник с дифракционной решеткойна поверхности характеризуется двумяпараметрами: чувствительностью с/СВсм /Вт) к интенсивности падающего линейно-.поляризационного...

Номер патента: 1702192

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Кушнир, Латышев, Расхожев, Сергиенко

МПК: G01J 1/04

Метки: излучения, корригировки, приемников, спектральной

...и и тлассивом спектральнь 1 к)эссф 11 ц)ес)тов с )ектрэтт) - НОй КООрЕКц)с 1 таКжЕ ПрвдВарИтЕЛЬНО ПрЕдСтаВЛЕНЬ,Л. В цИЬРОВГтл ВИЛЕ, )1 О)туЧЕНРегулирование степени изменения гпектральнсго состава излучения проиэголят пу-ем изменлия типа и эффектлттнай тО" щИНЬ) СВЕгМяэтрОВ. В рвэулЬтЭ Е ВЫ- пссс)вен)ля укаэанных лест)1 гро)сходи) кгспт:сс)с)вэнсле и;)сс-м лкэ излучения, При(00115),1 И Г(051( О(; (.,4 ; Г (,-;14.5КР(1)Л)В.1, (Ь -, 1Г(0 Л1 "(01 З(ЛЕ =;,:,ДГ ,Лко)э(4 в(.л 1: Г,(л".)Вл ( и(лГ(;,0;,и,;(ПОЛУ".Е(. -:.0,(Н(5 Р(л-, .,Г-;таэоиЬ 1;т(л,;Гкп, ,;о(; О ,:5(, д", 0001(С)(,;"т Г(1 П 1;(ЕЕ 115:5 РН(ЛР;1,С(,(.гВ(Г 45 Л1 П)111(15МЭССИВ К( (1(. .М 1100( "Г 15:3(РГ 1(, Г(.,ЛОг110 0 И 31545 .Н 1 .(1Э П:-Г ПЛА(,ГЭ 115 -,Л(1((,(Рт (Р; . "Р;Ор с...