Патенты с меткой «излучения»

Номер патента: 795191

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Васильев, Лабушкин, Саркисян

МПК: G01T 1/16

Метки: градуировки, излучения, преобразователя, фотонного, энергии

...элемент устанавливают под углом Вульфа-Брэгга к направлению излучения источника, а градуируемый преобразователь - соответственно под двойным (удвоенным) углом Вульфа-Брэгга и измеряют зависимость параметра выходного сигнала (например, его амплитуду) от величины уг. ла Вульфа-Брэгга, которая по известному "оотношению Брэгга пересчитывается в величину энергии излучения, Изменением угла отражения Вульфа-Брэгга достигается плавное изменение энергии регистрируемо 5 10 15 20 з зо 35 40 45 50 го излучения, причем возможна установка произвольного ряда значений энергии излучения с любым энергетическим интервалом между линиями. Этот интервал между линиями может быть выбран достаточно малым, чтобы уменьшить погрешность измерения...

Номер патента: 797320

Опубликовано: 07.01.1982

Автор: Загорский

МПК: G01J 1/44

Метки: излучения, калибровки, лазерного, преобразователей, стабилизатор

...содержащий основной полевой транзистор 4 и группу последовательно с 60 ним соединенных дополнительных полевых транзисторов 5 и 6. Параллельно регули руемому элементу 3 включена обмотка за мещения преобразователя 7. Устройство содержит также источник регулируемого 55 опорного напряжения 8. Затвор транзисто. ра 4 элемента 3 связан с выходом диффе.ренциального усилителя 9, один из входов которого связан с обмоткой замещения пре. образователя, а другой - с выходом источ 60 ника напряжения 8. Дополнительные поле вые транзисторы элемента 3 включены по следовательно друг с другом и с транзисто ром 4, Затвор каждого дополнительного полевого транзистора связан через допол 65 Поскольку полевые транзисторы элемента 3 работают в режиме управляемых...

Номер патента: 896676

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Боленок, Дроздов, Карпухин, Кротов, Оболенский

МПК: G09B 25/04

Метки: излучения, моделирования, небосвода, светового

...- расширение возможностей моделирования и исследования световой среды на макетах зданий, сооружений и кварталов городской застройки, повышение точности проводимых измерений, повышение яркости поверхности купола и получение распределения яркости по любому необходимому закону,Указанная цель достигается тем, что в устройстве для моделирования светового излучения небосвода, включающем полусферический купол, рабочую площадку, размещенную в центре основания купола, и источники света, полусферический купол выполнен с внутренней стороны со световыми ячейками, расположенными равномерно по поверхности полусферического купола, ппичем оптические оси источников света направлены на рабочую плошадку.Кроме того, в каждой световой ячейке расположено два...

Номер патента: 719282

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Лабушкин, Саркисян

МПК: G01T 1/36

Метки: излучения, моноэнергетического, фотонного, энергии

...и пика измеряемого источника, Измеряют значение угла ъ и из соотношения (1) определяют значение энергии излучения источника 1,Принципиальное отличие предлагаемого способа состоит в том, что, используя явление дифракции рентгеновского излучения с непрерывным энергетическим спектром, имитируют излучение, энергию которого необходимо измерить, что делает возможным определение энергии короткоживущих изотопов и существенно сокращает время измерения энергии слабоинтенсивных источников, т. к. интенсивность такого имитатора намного больше интенсивности излучения измеряемых источников.Суммарная погрешность определения энергии дается соотношением где ,=, М =дЕйс Ьддд2 дз 1 п о д погрешность, обусловленная ошибкой в определении величины д; дЕ Ь с...

Номер патента: 790933

Опубликовано: 07.01.1982

Авторы: Горюнова, Дворецкий, Сенашенко, Тимофеев, Шелемин

МПК: G01J 1/58

Метки: излучения, мощности, плотности, регистрации

...регистрацию по предлагаемому способу на экранах, изготовленных из"ристаллофосфора на основе ХпЬ - Сц, Сос концентрациями активаторов Сс=10- г/ги Ссо = 3 10 -гг, оптимальными к тушащему действию ИК лучей в диапазоне0,71, мкм, При изготовлении экра.нов порошковый люминофор (размер зерен10 мкм) заливают раствором органическо.го стекла в растворителе с добавкой пластификатора.УФ возбуждение осуществляют лампойПРК 4 с фильтрами УФС 6 и БС 7(Х = 365 нм). Эту же лампу используютдля дополнительного освещения кристаллофосфора после экспонирования ИК излутеля. Освещение УФ излучением вызывает возбуждение кристаллофосфора и его свечение в соответствии с законом Стокса. Возбуждение осуществляют в течение времени, достаточного для насыщения. Затем...

Номер патента: 805931

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Кушнир, Мазманишвили

МПК: H05H 13/00

Метки: заряженных, излучения, изменения, плотности, синхротронного, спектральноц, частиц

...изображено устройство для реализации предлагаемого способа.Устройство состоит из генератора 1 сверхвысокочастотных (СВЧ) колебаний модулятора 2 этих колебаний, связанного с генератором 3 шум,а, СВЧ-устройства 4 с продольным электрическим полем, установленного в месте, где касательная 5 к равновесной траектории заряженных частиц направлена на приемник СИ 6. В качестве СВЧ-устройства с продольным электрическим полем используется отрезок круглого волновода с типом колебаний Е, либо замедляющей системы (диафрагиированный волновод, спираль), Модулятором СВЧ колебаний может служить модулятор на р - -д диодах. В связи с тем, что в качестве модулирующего сигнала используется шумовое напряжение с гауссовым распределением, в устройство 4 подаются...

Номер патента: 748603

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Трушин, Чураков

МПК: H01S 3/00

Метки: излучения, импульса, мощного

...( и,где п = 1,2, Частоты колебательновращательных линий полос 00 и - 10(п - 1),02 (и - 1)1,(и - 1) (,н с и = 2,3, заполняют промежутки между частотами соответствующихполос с п = 1.Используя известные методы, нетрудн)о 20получить импульс излучения длительностьют( нс, содержащий указанные выше частоты, Пропуская такой импульс излучениячерез молекулярный усилитель на СОг,можно извлекать энергию, запасенную не 25только на уровне 001, но и на уровнях 002003)Это обусловлено тем, что импульс излучения такого частотного состава непосредственно взаимодействует не только с ЗОвращательными подуровнями состояний001, 10 О, 020 т и 10 О, 0201 п, но и с вращательными йодуровнями состояний 00 п,10(и - 1), 0,2(и - 1)1( и 10 О (и - 1),0,2(п - 1)и, где п...

Номер патента: 901704

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Гиманов, Гоганов, Захарченко, Сиухин

МПК: F17C 3/00

Метки: детектора, излучения, криостат, полупроводникового

...в спектральных пиках к счету в Фоне Со Звременем это приводит к заметному снижению чувствительности анализа,в особенности для легких элементов.Цель изобретения - увеличение срока службы при стабильной работе охлаждаемого детектора излучения засчет предотвращения загрязнения детектора,Поставленная цель достигается тем,что в криостате для полупроводникового детектора излучения конец хладопровода, соединенныи с детектором, выполнен с винтовой канавкой, в которой размещен слой сорбента,На фиг. 1 изображен криостат, общий вид; на фиг. 2 " узел 1 на фиг. 1Криостат содержит наружный вакуум"ный кожух 1 с рабочей камерой 2, ва"куумный объем 3, сообщающийся с объемом рабочей камеры 2, радиационный рзэкран 4, криоадсорбционный насос 5,служащий...

Номер патента: 810027

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Каценеленбаум, Коршунова, Пангонис, Сивов

МПК: H01Q 11/00

Метки: антенны, диаграмме, заданной, излучения, синтеза

...всем пространстве стоячее вещественное поле (собственное для данной диаграммы), которое имеет видС/(г,р) =( - -1)" С 1 Л Ь) -/- Л 1(йг 1 соэ и;.,где С - коэффициенты Фурье разложения Ф. (ср);1 - любое вещественное число;1(Ь) и У(йг) - цилиндрические функции (соответственно Бесселя и Неймана).Находят замкнутые линии уровня 5, скалярного поля У(г,р), на которых У/з;=О, т, е. поверхности 5 52, 5, Поверхностные плотности токов 1 12, 1, будут, равными диди(д - нормаль к поверхности 5 ) на соответствующей поверхности 5 52, 5 з, Каждый ток 1; на 5; реализует одну и ту же заданную диаграмму излучения, т. е,РГ дУ1(р) =- фз.(р) ==д -" Ч 5 (2)Огде р (0) - уравнение выбранного,контура,Для реализации заданной диаграммы излучения достаточно,на любой...

Номер патента: 811968

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Беловинцев, Бобашев, Калинин

МПК: G01J 5/36

Метки: излучения, плотности, потока, синхротронного, спектральной

...кратности,а по току электронов - спектральнуюплотность потока СИ,Точность определения значения тока излучающих электронов юпраничена в основном погрешностью нахаждения сечен)ия о,и в настоящее:время может быть сделанане хуже 3 - 4%. Фо)р)мула (1) есть следствиезакона Бугера-Лам)берта-Вера для инертных газов: где У(Л) и М,(Л) в ,соответственно спектральные )плотнюст)и,выходящего и входящего в иониза)циовную камеру с длинойэлектродов Ь потока )фотонов;и - плотность ,газа в ионизационнойкамере;с(Л) - сечение фотоионизации газа.Тогда числю )поглощенных )фотонов составит величину10ЛИ= Но - И=НО(1 - е-Разлагая экспоненты в,ряд и отбрасы,вая все членыкромке нулевото )и первого порядка, )получим: ХИ 1)1 опЬ (Л).Известно, что для фотонов 1 с...

Номер патента: 905660

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Кременчугский, Строкач, Чепилко, Шульга

МПК: G01J 5/10

Метки: излучения, пироэлектрический, приемник

...показан пироэлектрический приемник излучения.Приемник состоит из ч-х одинаковых пластин 1 - 1, две из которых 1 и 2 образуют двугранный угол, а две лежат на плоскости боковых ребер пер905660 Формула изобретения ВНИИПИ Заказ 351/ Тираж 882 Подписн 3вых и закреплены на этих ребрах, Электроды 5 - 7 нанесены на грани пластин на противоположные ребра, а электрод 8 - на ребра пластин с облучаемой стороны. На внутреннюю поверхность пластин нанесено диэлектрическое покрытие 9 с удельнын сопротивлением, большим чем у пироактивного материала, например, 10 " - 10 Ом,м,Диэлектрическое покрытие трансформирует плотность энергии излучения с понижением к поверхности пиромате" риала, при этом, поскольку электроды нанесены на торцы пластин, слой диэ;...

Номер патента: 905996

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Авраменко, Андреев, Будагян, Климов, Мировицкий, Николаева, Прозоровский, Титов

МПК: H03K 5/159

Метки: вибраторов, высокочастотных, генератора, излучения, импульсных, искрового, колебаний, синхронизации

...из оптического35квантового генератора синхроимпульсов 1, коммутатора 2, узла 3 разводки и искровых промежутков вибраторов 4,Оптический квантовый генератор40синхроимпульсов 1 формирует световыеоимпульсы длительностью порядка единиц наносекунд с возможно болеекрутыми фронтами. Импульсы попадаютна вход коммутатора 2, выполненного45электрооптическим, который осуществляет соединение оптического кванто -вого генератора синхроимпульсов 1с искровыми промежутками вибраторов4 искрового генератора через узелразводки 3, состоящий из й-многока 50нальных разветвителей. Каждый многоканальный разветвитель имеет расчетные оптические длины каналов 11(где 1 - порядковый номер многоканального разветвителя; 1 - порядковый номер канала, совпадающий с...

Номер патента: 824767

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Кирьянов, Кузнецов, Нестеров, Рябов

МПК: G01T 1/16

Метки: блок, детектирования, излучения, ионизирующего

...имгульсов от излученияконтрольного источника и регистрируемогоизлучения, а также положение порогов дискриминации селектора, входящего в составимпульсного фильтра,В блок детектирования (фиг. 1) входят:сцинтилляционный детектор, состоягций изсцинтиллятора 1 и фотоумножителя 2; импульсный фильтр, включающий в себя усилитель импульсов 3 и дифференциальныйдискриминатор (селектор) 4, и узел 5 изменения параметров импульсного фильтра,имеющий входную клемму 6. Перед сцинтиллятором установлен источник ионизирующего излучения 7; энергия которого нижеэнергии излучения, регистрируемого блокомдетектирования,Работа блока детектирования происходит следующим образом.При попадании гамма-квантов в сцинтиллятор (1) в нем образуются свегсвысвспышки,...

Номер патента: 814034

Опубликовано: 23.02.1982

Авторы: Васильев, Гладцын, Гуров, Мочалова, Шарихин

МПК: G01J 5/12

Метки: излучения, измеритель, мощности, оптического

...Коэффициент поглощенияизлучения определяется с точностью не хуже 0,05/о. Коэффициент поглощения излуче.ния кремнием очень слабо зависит от окружающих условий, чистоты исходного материала и практически не меняется с течением времени в результате естественногоокисления кремния. Поэтому достаточнопровести однократные тщательные измерения коэффициента отражения кремния и затем с высокой степенью надежности считатькоэффициент поглощения излучения одинаковым для всех приемников.При использовании кремниевой пластины в качестве поглотителя излучения необходимо учитывать, что коэффициент отражения света пластиной зависит от длиныволны излучения. Коэффициент отраженияизлучения увеличивается с уменьшениемдлины волны, Наиболее сильная...

Номер патента: 533164

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Гоганов, Комяк, Шульц, Элькинд

МПК: H01J 47/00

Метки: газоразрядный, детектор, излучения, ионизирующего, электролюминесцентный

...иметь размеры, большне по сравнению с,выходным окном. Для увеличения эффективиоспи оветосбора внутренняя поверхность корпуса и входного окна может быть покрыта свето- отражателем (например, окисью мапния), Вкутрь корпуса детектора в зону 5 поглощения ионизирующего излучения помещена электронно-отклоняющая система 6, выполненнаянапример, в виде ислеобразучощего тонкого металлического цилиндра. Отклоняющая система может быть выполнена также в виде кольцевого магнита, расположенного снаружи ксрпуса детектс. ра, Г 1 лоский электрод 7 совместно с входным окном 2 (электродом) и электронно. отклоняющей системой 6 образуют электронно-фокусирующую систему детектора. Электрод 7 выполнен из материала с больжим коэффициентом,прапускания электронов...

Номер патента: 911178

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Давлетшин, Садыков, Шарипов

МПК: G01J 3/42

Метки: анализатора, аналитический, вакуумного, излучения, оптического, разрядник, спектрального

...нагрев, испарение, ионизация вещества частички и возбуждаются атомные и ионные спектры излучения анализируемой пробы. В общем случае. частичка может колебаться между электродами до полного . испарения илн вылета за пределы раэрядкика. Скользящая .искра по внутренней доверхности и торцу диэлектрической трубки стабилизирует величину напряже.ния пробоя и процесс расходования пробы, а также обеспечивает дополнительное возбуждение атомных и .ионных спект-. 78 4ров иэпучения анализируемого вещества,попадающего в плазму скользящей искры.По второму варианту (фиг. 2) электроды 1 .и 4 выступают над срезом диэлектрической трубки 3. В образовавшийся зазор плотно набита непроводящаяпорошковая проба 2, При подаче на электроды 1 и 4 питающего...

Номер патента: 917191

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Иванов, Керножицкий, Малявкин

МПК: G09B 23/06

Метки: демонстрации, излучения, прибор, теплового

...спираль, тепловой поток полностьюперекрывается, все пластинки 7 имеют одинаковую температуру, равную температуре окружающей среды, В этом случае диафрагма5 на регистрирующем устройстве индикатораизображается в виде поверхности, имеющейодинаковую окраску на всей площади.Для демонстрации теплового излучения иего свойства, экран 3 перемещают в верхнее положение на кронштейне 4 В результате этого тепловой поток, электромагнитнаяэнергия от электронагревательной спирали 2.попадает на поверхности пластинок 7 диафрагмы 5. Поскольку пластинки 7 расположе.ны на одинаковом удалении от электронагревательной спирали, имеют одинаковые размеры и чистоту обработки поверхностей, то ско.рость их нагрева (лучепоглотительная способность)...

Номер патента: 917239

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Гребеньков, Лавров, Тютчев

МПК: H01J 61/10

Метки: газовом, излучения, разряде

...которым предъявляются требования устойчивости горения разряда. Сопротивле.5 91723 9 6ионный ток. При уменьшении Цг ионный ток в цепи ПЭ увеличивается .При некотором предельном значении величины Оэ весь анодный ток начинает течь по цепи ПЭ, т.е. возникает переброс тока с катода на .ПЭ. Вблизи "точки переброса наблюдается нестабильность горения разряда, Как ранее ука"зывалось, необходимое рабочее значение Уэ достигается выбором соотношения сопротивлений йи ВПри непосредственном замыкании ПЭ6 катодом, когда К0 и, следовательно, Овщ О, выигрыщ в яркостисоставляет 253. При дальнейшем увеличении гю абсолютной величине 1 -Ц 51 .яркость продолжает расти и при К == О,И составляет 137 от яркостилампы при Опз= 0. Под КПД понимается отношение...

Номер патента: 837209

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Глаголев, Радзиевский

МПК: G01T 1/16

Метки: излучения, плотности, потока, спектра

...отверстия угловой зависимостью лропускания экрана будет обладать изотропной чувствительностью. Ясно, что,компенсация анизотропии лропускания отверстия 3 не может быть полной - нельзя обеспечить бесконечно высокую эффективБость регистрации при О - ; однако не представляет труда обеспечить ее вплоть до углов 6, достигающих 80 - 85.45Моделирование изотролной эффективности регистрации в телесном угле 4 л. Рассмотрим еще одну функцию, которую должна выполнять диафрагма 2. Представим себе, что верхняя (со стороны источника излучения) ловерхн 1 ость,диафрагмы обла дает свойствами идеального зеркала дляизлучения. Это означает следующее: вопервых, каждая частица, лопавшая на поверхность, отражается, иначе говоря, числовой коэффициент обратного...

Номер патента: 843560

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Калмыков, Кандель

МПК: G01T 1/11

Метки: вещество, дозиметрии, излучения, мышечной, термолюминесцентной, ткани, фотонного

...1.1 Р 60 11 С Оз 40 (11 состав)На чертеже приведены расчетные данные для оценки доз)иметрической эквивалентности предлагаемопо вещества,и прототипа относительно мышечной ткани для различных энергий фотонов (Е), Величина Ае; является показателем мышечноэквивалонтности и .равна отношению реп р данной среды к р /р,мьгшечной ткани для энергии фотонного излучения Ег. Кривая 1 соответствует термолюминофору 1.1 Р, кривые 2,и 3 - лредлагаемому веществу с составом соответственно 1 и 11, Мышечноэк,вивалентность имеет место в облюсти эиерпий, где А в=1.Для предлагаемого,вещвства А -=1 при энергиях 1,6 - 10 ФДж (с логрешностью меньше + 10%), т. е.,в этом диапазоне энерпий фотонов предлагаемое вещество мьгшечноэквивалентно (смкривые 2, 3). У...

Номер патента: 918798

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Алексеев, Гельман, Котюк, Тихомиров

МПК: G01J 1/44

Метки: излучения, импульсной, мощности, оптического

...импульса соответствующим стробимпульсом переключается триггер 19 и запускается только один из АЦП 16 и 17.Одновременно стробимпульсом блокируется ключевой элемент 20, что исключает дальнейшую передачу стробимпульсов в цепь запуска АЦП до тех 55пор, пока из блока 27 не придет сигнал деблокировки этого ключевогоэлемента. Такой асинхронный (стартстопный) режим работы при использовании цифрового ГСН с длительным запоминанием установленного уровня позволяет использовать в устройстве аппаратуру любого быстродействия.АЦП кодирует расширенное текущее дискретное значение на аналоговом выходе стробоскопического преобразователя, и по сигналу конца измерения, переданному через элемент ИЛИ 18 в блок 27, производится передача кода в этот блок После...

Номер патента: 847781

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Виноградов, Голованов

МПК: G01J 5/50

Метки: излучения, приемник, регистрации, электромагнитного

...мощности поглощенной доли падающего излучения и выделенной на тест-объекте будет соответствовать одинаковая яркость свечения люминофораа.Для увеличения динамического диапазона,.калиброванного теплового воздействия источник электрического питания имеет изменяемые величины напряжения и тока. Для получения непрерывной 1 шкалы плотности мощности в некотором интервале значений в пределах размера площадки тест-объекта последняя изготавливается с переменным профилем сечения металлического слоя по его ширине или толщине, что вызывает изменение сопротивления тест- объекта в пределах площадки. Тест-объект может быть расположен с любой стороны термоизолирующей подложки, в частности, с той же стороны, что и поглощающее покрытие, изолирован...

Номер патента: 854190

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Воробьев, Каплин, Розум, Савельев

МПК: G21K 1/06

Метки: излучения, источник, электромагнитного

...электромагнитцого излучсция, включающем источник реля пьчс Гских здряженцых частиц, изопутый моцокр(1- сталл, закреплеццый ца держателе с окнами для пропускация пучка заря)кециых частиц и электромагцитцого излучеция, моно- кристалл изогнут с перемеицым иепостоянцым) радиусом кривизны, а выходной коллиматор выполнен подвжцым с возможностью есо перемещения в диапазоне углов, предельно ограниченном касательными к изогнутым кристаллограф)гческим плоскостям в точках их исрсссчецця с вхс),.иой и выходной поверхностями моиокристалла.Принцип работы предлагаемого устройства заключается в следующем.Дви)кение рсг 5 тивистской час типы с энергией Е по искривленнымрдектори 5 м вызывает электромагиитиос излучеиие, 1 дстота которого...

Номер патента: 867135

Опубликовано: 15.04.1982

Автор: Корнилов

МПК: G01J 5/02

Метки: излучения, приемник, тепловой

...форму.На чертеже изображено осевое се.ениеприемника излучения. Он содержит приемный элемент 1, полость термостата 2, пространство 3, заполненное экранами, пространство 4, свободное от экранов. Стрелкой обозначен входящий пучок излучения.15 Имеющий минимальную теплоемкостьприемный элемент 1 вогнут и зачерчен снизу, снабжен датчиками температуры, фиксирован (например, с помощью нитей) 20 внутри полости термостата 2, представляющего собой обычно массивный медный блок, В области 3 чертежа, т. е. сверху и сбоку приемного элемента, преимущественно параллельно ему и друг другу, на расстоянии 25 1 - 2 мм друг от друга и от приемного элемента расположены тонкие экр-ны, ии .ощие металлизированную поверхность, Пунктиром на чертеже обозначена...

Номер патента: 869496

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Воробьев, Розун, Таратин

МПК: G21K 1/06

Метки: излучения, электромагнитного

...позитроны, имеют значительно большие длины каналирования по сравнению с электронами и могут с большей эффективностью быть использованы .-,ля получения квазисинхротроннопо электромагнитного излучения при каналировании в изогнутых монокристаллах, На фиг.показано сечение монокристаллической мишени плоскостью ХОЯ; на фиг, 2 - общий вид мишени.Пучок релятивистских позитронов Р направляю. по касательиоГ (на фиг. 1) к изогнутым кристаллографическим плоскостям монокристалла кремния в точке выхода их на облучаемую поверхность в пределах критического угла каналирования ф= (Л е/др Е) - /, где дрмежплос. костное расстояние, Л - атомный номер кристалла, Минимальный радиус кривизны изгиба кристалла, для которого еще возможен эффект каналирования,...

Номер патента: 921582

Опубликовано: 23.04.1982

Авторы: Мелиц, Тролль

МПК: A62B 18/02

Метки: воздействия, головы, защиты, излучения, теплового

...На фиг. 1 изображено устройство для защиты головы от воздействия теплового излучения; на фиг. 2 - сечение А - А на фиг. 1.Устройство состоит из маски 1 со смотровым окном 2, закрытым металлической сеткой 3, по внешнему периметру которой установлена перфорированная труба 4 с отверстиями, направленными под углом 30 - 60, к плоскости смотрового окна 2 в сторону от маски 1. Перфорированная труба 4 соединена с трубой 5 принудительного подвода воздуха, в которой также имеются отверстия, направленные параллельно металлической сетке 3. К маске примыкает чехол 6, выполненный из огнеупорного материала.Устройство работает следующим образом. По трубе 5 принудительного подвода воздуха направляется поток свежего, охлажденного воздуха под маску 1 для...

Номер патента: 922528

Опубликовано: 23.04.1982

Авторы: Ишанин, Мальцева, Польщиков

МПК: G01J 1/04

Метки: излучения, приемник

...защищенным от. действий внешних электромагнитных помех, что дает возможность расширить Еобласть применения приемника.На чертеже представлена схемалредлагаемого приемника,Предлагаемый приемник излучениявключает поглощающий передний элект зрод .1, закрепленный на измеритель"ной кварцевой пластинке 2 -срезаКоторая через .второй (сигнальный)электрод 3 закреплена на дополнительной иэмернтельной кварцевой плас Втине 4 Х-среза, жестко закрепленнойчерез экранирующий электрод 5 натеплоотводящем демпфере 6, Электроды 1 и 5 заземлены, а электрод 3соединен с входом индикаторного уст- иройства. Устройство работает следующим образом,.При облучении лучистым потоком поглощающего переднего электрода 1 визмерительных кварцевых пластинах 2 зви 4...

Номер патента: 928175

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Грошев, Рукман, Шелемин

МПК: G01J 5/28

Метки: излучения, импульсного, мощности, плотности, регистрации

...начала з а пи си в моменты прихода импульсов излучения. Двигатель 5 можетбыть выполнен как в виде аналогового,так и в виде дискретного (шаговоготипа, обтюратор 8 как механического типа,так и электронно-оптического,например жидкокристаллический и другойдиск 4 с п жидкокристаллическими панелями - как в виде полосного дискас отверстиями, в которые установленылюминофорные панели, так и в виде бабин или направляющих с лентой, на ко"торых установлены экраны, Необходимость в Ч жидкокристаллических панелях на диске 4 вызвана тем, что5 О люминофорные панели обладают инерционностью, и поэтому для повышения . точности измерения каждый новый импульс излучения приходит на ноаую ,( последующую) люминофорную панель в диске Устройство работает...

Номер патента: 713232

Опубликовано: 23.05.1982

Автор: Соллогуб

МПК: G01J 5/18

Метки: датчик, излучения, лазерного, термоэлектрический

...проволоки, а тонкостенная втулка - из меди манганина пли нержавеющей стали.Датчик работает следующим ооразом.При поглощении измеряемого излучения передним слоем трехслойной пластиггы возникает поток тепла через константановый слой, вызывающий перепад температур между его границами. Это приводит к возггикновецию термоэдс измеряемой индикаторным прибором 5. Совокупность медного кольца 6 и тонкостенной втулки 7 выполняет роль усредняющего устройства, обеспечивачцего независимость показаний от смешения лазерного пучка по азимуту. Независимость же показаний от радиального смещения лазерного пучка обеспечивается за счет выбора положения средней точки делителя 8 напряжения. Например, прн смещении средней точки делителя к центру пластины...

Номер патента: 780672

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Кузнецов, Слинько

МПК: G01T 1/16

Метки: акустического, детектирования, излучения, ионизирующего

...с понижением температуры ниже Т,. - температуры перехода в сверхпроводящее состояние. Это связано с тем, что если в нормальном металле возможен процесс поглощения фонона (кванта звукового колебания) ультразвуковой волны любой частоты, то в сверхпроводнике соответствующий процесс рождения фононом пары возбуждений при ТТ,. оказывается возможным только в случае, когда энергия фонона не меньше порогового значения, равного Аж=28(Т), где Ьвй энергия кванта звуковой волны 6. - .2- нормированная постоянная Планка; а частота звуковой волны; 2 Ь(Т) - удвоенная величина щели в энергетическом спектре нормальных электронов. При Ьа 2 Ь(Т) ультразвуковая волна поглощается лишь нормальными электронами, находящимися вне конденсата куперовских пар,...