Патенты с меткой «границе»

Номер патента: 1672503

Опубликовано: 23.08.1991

Автор: Хилажев

МПК: G08G 1/01

Метки: границе, движением, двух, магистралей, пропускными, различными, способностями, средств, транспортных

...с 20большей пропускной способностьюИз треугольника СУД, отображаю 1 цегопроцесс приближения задней транспортной единицы к идуцей впереди при услооквии, что у задней ;рднспортной едини,ы 2 1сохранится скоросгь 1/1. имеемЧ = гДЕ Ч 1 т аО(4)Чмэкс = Ч 1Выражение (4) определяет значениецредельнои скорости Чмэс движения транспортноо потока на магистрали с большей 351 ропускной способностью. Если скоростьдвижения потока Ч нд участке, имеющембольшую пропускную способность, будетбольше предепьнои величины Чмэкс, то нарднице участков образуется очередь, т е 40возникает зд 1 орТаким образом, для исключения возможности образования затора на границедвух магистралей, имеющий разную пропускную способность, необходимо поддерживать на первом участке,...

Номер патента: 1693462

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Прусов, Филяев

МПК: G01N 13/02

Метки: границе, натяжения, поверхностного, рабочего, твердым, электрода, электролитом

...И К-. четного пластин раооче:о электрода 2 с (.сразцом 1 твердого элек Гролггга.Такил) Образом в обра(це 1 твердог. элекгг)Глита Возникаю л)ехаические ко 6- бания, Меха .ические колебания знтитель- нО усгглив 3 Отся, Рсли ус 1 агавливаюг ЧВС ОТУ Иотс)ЧНИКВ Ггсгоек,8.НОО Гака 1,а 41, - тоту акусто,инхрониэма, ас п:та:;устсСИНХРОНИЗМа В Дан;4 ОМ СЛУЧаЕ Ог РЕДЕЛЯЕтов по формуле: тс: И 2;1,Где- Чаг.;тгд ГЛ ОКУСтОСИ,Хро; Исг.а,гц;Ъ СКОРОСТЬ ЗВУКа 13 ГсВ(1.ДОМ ЗЛ 6 КТРОЛ Л- те, см/с;ГЛОвсСТО 53 НИЕ МеК;гУ ПДсгстиОМИ алек" трода на Г 10 верхног;ти злект Вол"та, см,В этОм случае зкус 4 181 кгеОлебания, ИЗЛУЧВСМЫ 6 На МЕ 4;(чс)ЗНОй ГРВНИ)46 КаКДги ПлаотИНЫ 416 ТНОГО И НЕЧЕтногО РЯДВ РВ 1 01- го электрода с твер 15 ьи лектг)олг том, нахо- ДЯся В...

Номер патента: 1429848

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Веденеев, Гольдман, Ждан, Кузнецов

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, диэлектрик, параметров, пограничных, раздела, состояний, —полупроводник

...при котором заполнение ПСстановится сильно неравновесным. Обед"30няющий изгиб зон , где о - зарядзэлектрона;- потенциал, соответствующий обедняющему изгибу зон, устанавливают (меняя полевое, напряжение)примерно равным половине запрещеннойЗБзоны полупроводника Е. Точное значение о д можно найти, например, из измерений вйсокочастотной емкости цепизатвор - подложка. Ее величина С (наединицу площади структуры) связана с дошириной слоя пространственного зарядаЧ соотношением 45 65С С - переменные интегрирования;С - решение уравнения47%и Ъеет + иС Сгде 2 - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника;Со - емкость единицы площади диэлектрика.При этом(р =гиц И Чгде Б - концентрация легирующей приРмеси (ее значение...

Номер патента: 1827693

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бестаев, Мошников, Томаев

МПК: H01L 21/66

Метки: гомогенности, границе, изменения, области, проводимости, соединений, температуры, типа

...о парах лигатуры соста 30 35 40 45 50 55 длиной 150 мм, которую предварительно подвергали травлению, затем термообрабатыоали о вакууме, создавали давление 10мм. рт. ст, и затем отпаивали, Процесс вы-. ращивания занимал 4 - 5 дней, Условия выращивания были следующие: температура роста 860 - 925 С, градиент температуры 3 - 10 С. На плоском своде ампулы, как правило, о конце процесса роста получали 5 -7. кристаллов с формой правильного параллелепипеда и с линейными размерами 3 х 3 х 2 мм.Состав полученных монокристаллов РЬо,дзЗпо,отЯе определяли методом локального рентгеновского анализа. Однородность по электрофизическим свойствам контролировали с помощью нестационарного термозондооого анализа. Для кристаллов была характерна высокая...

Номер патента: 1459443

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Прусов, Филяев

МПК: G01N 27/417

Метки: границе, исследования, межфазного, слоя, твердого, электродом, электролита

Устройство для исследования межфазного слоя на границе твердого электролита с электродом, содержащее пластину твердого электролита с симметрично расположенными на ней рабочими и вспомогательными электродами, избирательный усилитель, соединенный с катушками индуктивности, рабочими электродами и регистрирующим прибором, источник линейно нарастающего напряжения, соединенный с вспомогательными электродами, с катушками индуктивности, отличающееся тем, что, с целью повышения информативности измерений и увеличения их точности и достоверности за счет обеспечения возможности одновременного измерения упругого заряжения и поверхностного натяжения, оно дополнительно содержит возбуждающие электроды,...

Номер патента: 1309650

Опубликовано: 27.07.1999

Авторы: Акбаев, Габченко, Коган, Корн, Орт, Цой, Шапиро

МПК: E21C 41/22

Метки: границе, закладкой, защитной, корки, образования, рудной

Способ образования защитной рудной корки на границе с закладкой, включающий бурение в камерах взрывных скважин, заряжание скважин ВВ, взрывание рудного массива скважинами и формирование временного слоя руды на границе с закладкой, отличающийся тем, что, с целью более полного извлечения руды в камерах второй очереди при разработке крепких руд, при бурении скважин измеряют интенсивность излучения акустических импульсов рудным массивом, фиксируют границу зоны резкого уменьшения указанной интенсивности излучения импульсов, а заряжание скважин осуществляют до границы этой зоны.

Номер патента: 1499637

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Антоненко, Ждан, Сульженко, Сумарока

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, мдп-структур, параметров, пограничных, полупроводник-диэлектрик, состояний

Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник - диэлектрик МДП-структур, включающий последовательную подачу на исследуемую структуру, находящуюся при температуре Tо, напряжения, обеспечивающего предельное заполнение пограничных состояний полупроводника основными носителями заряда, и обедняющего напряжения, нагрев структуры по окончании релаксации тока с постоянной скоростью при поддержании постоянства высокочастотной емкости структуры и снятие температурной зависимости вытекающего неравновесного тока jн(Т), отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения...

Номер патента: 1662298

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Зеленин, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/66

Метки: величины, границе, локальных, механических, напряжений, образцов, приготовления, раздела

Способ приготовления образцов для контроля величины локальных механических напряжений на границе раздела Si - SiO 2, заключающийся в том, что пленку оксида кремния отделяют от подложки путем травления кремния в смеси водорода и хлористого водорода через сформированные методом фотолитографии окна в оксиде кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет повышения скорости травления, травление осуществляют при температуре 950-1220°С при концентрации хлористого водорода 0,5-10 об.%.