Способ определения диэлектрической проницаемости

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИК Д С 01 К 27 0 ЕН нии свой бретения иссл Цель в ди триков,вляется повы рукцияагаемый ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЬПИЯМГ 1 РИ ГННТ СССР К АВТОИЯОмУ СВЙДЕ(71) Вильнюсский государственный университет п. В,Капсукаса (72) Ю,Ю,Вайткус, Й,Й,Кутра Р.С,Мастейка, В.Ю.Мединис М,Б.Пят раускас и Р.Г.Томашюнас(56) Автсрское свидетельство СССР Ф 1385091, кл, С 01 К 27/26, 1985.Авторское свидетельство СССР Ф 1218343 кл. С 01 К 27/26, 1984, (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ 1 ТРОНИЦАЕМОСТИ(57) Изобретение относится к ради техническим измерениям параметров д электриков с помощью микрополосков линии и может быть использовано при Изобретение относится к радиотехническим измерениям параметров диэлектриков с помощью микрополосковойлинии.Целью изобретения является повышение точности и увеличение частотного диапазона измерений,На чертеже приведена констустройства, реализующая,предлспособ.Устройство содержит исследуемыйобразец 1, Формирующий фотопровод 2, зондируюший фотопроводник 3,металлизированные полоски 4-7,Способ определения диэлектрической проницаемости осуществляют следующим образом. лие точности и увеличение частотногодиапазона измерений, Способ определения диэлектрической проницаемостизаключается в возбуждении электромагнитных колебаний в исследуемомобразце, определении скорости распространения этих колебаний с дальнейшим вычислением диэлектрическойпроницаемости, Возбуждая электромагнитные колебания путем облученияультракоротким оптическим импульсомисследуемый образец с предварительно нанесенными на него Формирующимии зондирующими фотопроводниками, определяют диэлектрическую проницаемость с высокой точностью в децимиллиметровом диапазоне длин волн, 1 ил. На исследуемый образец 1 наноситСЬ ся формирующий 2 и зондирующий 3 фотопроводники, например поликристаллические Сс 18 е, металлизированные полоски 4 - 7, например алюминиевые. фф Металлизированные полоски 4 и 6 образуют микрополосковую линию, закс" роченную на противоположном от Формирующего фотопроводника 2 конце, Металлизированные полоски 5 и 7 с общей шиной б являются контактными площадками для зондирующего и формирую- вайа щего фотопроводников соответственноК металлизированным полоскам 7 и 6подключается постоянное напряжение величиной 100 В., Формирующий фото" проводник 2 облучается ультракорот 1 б 5 1237ким Оптическим импухЬсом 1 длительность определяется требуемым чястотным,циапазоном), вследствие чего в микрополосковую линию посылаетсяг электромагнитный импульс, который,О.д 2 мимо зондирующего фотопровод- НИКЯ Э, ДОСтИГаЕт ЗаКОРОЧЕННЫй Кг 2 - . линии, отражается от него и возвращается обратно, Для считывания элек1 О тпомагнитного импульса. проходящего мимо зондирующего фотопроводника 3, осуществляется облучение фотопровод" ника з ультракоротким оптическим им - пульсом. Изерение времени распрос. -5 ранения электромагнитного импульса От зо 11 пиРУОЩОГО 120 топРОБОДт,н 1 КЯ -2 ДО хонЦЯ лныл и обратно производится КОРРЕГ 2 ЦИОНН 1:т МЕТОДОМ С ПОМОЩ;Ю СИС.У 112 явлен:ярегист 1 Яцп". Пя Ос- (2"Е МИКрОЗБ 1 ПО 1 тэП 11 О 2 ч -2 Я Е-"времени ряспрсстрапения .:22 ектро., Яг 1 ИТНОГО ИМПУЛЬСЯ П ИЗБЕСТОй ДЛПЕ 1 т 2 ЕЗКЯ .ПГКРОПОЛОСКОВОЙ ЛИНИИ ОПРЕ.;Е- тется фазовая скоросл 2 р Чуу ПО формул 1 м 25С С: 1-1+ 2 Р - 1, тЭ110 ) -. вгде с - скорость светя в; Вободном пространстье , , " эф., Е 1, тЕКТИВНЯЯ ДИЭЛЕК 1 Р 1 ЧЕСгал ПР 2 НИЦЯСмость. .,1, - диэлектрическая проницяе.Ость 11 - толщина образца 1шири- .Я МИКРОПОЛОСКДВОй ЛИНИИ) В 1 ЧС 3 тгяЕТ;, я ди эл ектрическяя про 11 цаемос гь Г,3511 реимуществОм предлягясмого спо- С;,.2 Я ОПРЕДтЕЛЕНИЯ ДИЭЛЕКтРИЧЕСКОй проницаемости является увеличение точности, обусловленное независимо- стью от ширины и длинны исследуемого образца, а увеличение частотного диапазона в сторону уменьшения длины волны (децимиллиметровый диапазон длин волн) обусловлено возможностью применения электромагнитных колебаний с длиной волны менее 1 мм, Таким образом, способ позволяет технически легко осуществить исследования температурной и частотной зависимости диэлектрической проницаемости образца.Формула изобретенияСпособ определения диэлектрической проницаемости, заключающийся в то 1, что возбуждаот в исследуемом образце электромагнитные колебания, определяют скорости их распространения и то результатам измерений диэлектричес . кую проницаемость, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью повьшения точности и увеличения частотного диапазона измерений, в исследуемом образце с предварительно нанесенными формирующим и зондирующим электромагнитные колебания фотопроводниками Осуществляют возбуждение электромагнитных колебаний посредством облучения ультракоротким оптическим импульсом формирующий фотопроводник, а определение времени распространения электромагнитных колебаний осуществляют от зондирующего фотопроводника до конца исследуемого образца и об" ратно.