Способ обработки диэлектрической пластины в электромагнитном поле

( 9) В 66 1)5 ЧММ1=;- А ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ВИДЕТЕЛЬСТВУ АВТОРСКО ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(56) Авторское свидетельство СССРМ 1003388 кл. Н 05 В 6/64, 1981,Патент Великобритании В 1039224,кл. Н 05 Н, 1965.(54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЫ В ЭЛ Е КТРОМАГН ИТНОМ ПОЛЕ(57) Изобретение относится к технике СВЧнагрева. Цель изобретения - повышение качества при обработке диэлектрическойпластины с металлическим проводником слоем защитного фоторезиста, Способ обработки диэлектрической пластины в электромагнитном поле реализуется в устройстве, которое содержит токозаземленную пластину 1, на которой размещена . обрабатываемая диэлектрическая пластина 2 с проводником 3, дополнительную металлическую пластину 5, размещенную параллельно поверхности обрабатываемой диэлектрической пластины 2, слой защитного фоторезиста 4. При этом зазор между дополнительной металлической пластиной5 и поверхностью диэлектрической пластины 2 выбираются в зависимости от толщины и эффективной диэлектрической проницаемости обрабатываемой диэлектрической пластины. 1 ил., Заказ 1857 Тираж 502 ПодписноеВНИИПО Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Изобретение относится к технике СВЧ- нагрева и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности, в частности, при термодублении защитных фоторезистов.Цель изобретения - повышение качества при термообработке диэлектрической пластины с металлическим проводником и слоем фоторезиста, нанесенными на одну из ее поверхностей.На чертеже изображена конструкция устройства для осуществления предлагаемого способа.Устройство содержит заземленную металлическую пластину 1, на которой размещена обрабатываемая диэлектрическая ,пластина 2, на одну из поверхностей которой нанесен металлический проводник 3, выполняющий роль токонесущего проводника полосковой линии, и слой фоторезиста 4, дополнительную заземленную металлическую пластину 5, размещенную на расстоянии от диэлектрической пластины 2, определяемом выражениемь=ь/Кьгде 11 и й- соответственно толщина и эффективная диэлектрическая проницаемасть диэлектрической пластины 2.Способ осуществляют следующим образом,Обрабатываемую диэлектрическую пластину 2, установленную в кассете, образованной заземленной металлической пластиной 1 и дополнительной металлической пластиной 5, размещают в резонансную камеру микроволновой печи, например "Электроника". Затем подают питающее напряжение на магистрон, Между металлическим проводником,3 и металлическими пластинами 1 и 5 возбуждается поперечная электромагнитная волна типа квази ТЕМ, которая осуществляет равномерный нагрев диэлектрической пластины 2 и защитногослоя фоторезиста 4 за счет равномерногораспределения СВЧ-поля,Равномерность распределения поверх 5 ностного тока и температуры по объему обрабатываемой диэлектрической пластины 2обеспечивается в данной конструкции,представляющей собой как бы параллельное соединение двух линий передачи, одна10 из которых образована металлической пластиной 1, диэлектрической пластиной 2 иметаллическим проводником 3, а другая -металлической пластиной 5 и металлическим проводником 3. Выбранное расстоя 15 ние и обеспечивает выравниваниеповерхностных токов на верхней и нижнейповерхностях проводника 3.Способ позволяет повысить выход годных иэделий за счет оптимизации темпера 20 турно-временных параметров процесса. Формула изобретенияСпособ обработки диэлектрическойпластины в электромагнитном поле, включа 25 ющий размещение диэлектрической пластины на заземленной диэлектрическойпластине и воздействие на диэлектрическую пластину полем ТЕМ-волны, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью повышения30 качества при обработке диэлектрическойпластины с металлическим проводником ислоем фоторезиста, нанесенными на однуиз ее поверхностей параллельно поверхности диэлектрической пластины, на которую35 нанесен металлический проводник, устанавливают дополнительную заземленнуюметаллическую пластину на расстоянии и,удовлетворяющем условиюЬ=Ь/р,4 О где Ь 1 и е 1 - соответственно толщина и эффективная диэлектрическая проницаемостьдиэлектрической пластины.