Способ определения критической концентрации мицеллообразования поверхностно-активных веществ, применяемых при электроосаждении

СОЮЗ СОВЕТСНИХ ЦИАЛИСТИЧЕСК СПУБЛИК 1) С 01 Н 21 ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫПО ИЗОБРЕТЕНИЯМПРИ ПНТ СССР НОМИТЕТОТНЯТИЯМ БРЕТЕНИЬСТВУ ПИСАНИЕ 8 ТО и сиидтил Способ ующим зую ом овано дл ческих своиств веществ (ПАВ), деления критич еллообразовани ров ПАВ, п денни. Цель и ности спо На фиг висимости концентрац.1 и 2 приведческой пл вышение точ ны график отности о опти ии р тво(71) Институт коллоидной химии и химии воды им. А,В.Думанского(56) Таубман А.Б., Константинова В.В.,Крюкова А.С. Метод определения критической концентрации мицеллообразования поверхностно-активных веществ.Химия и технология топлив и масел,1960,3, с. 61 - 66,Наг 1 па И,Э., Кгхге 1 Н. апй Соггдп М.Ь. ЕНесс ой ш 1 се 11 е Гогшаг 1 опап где аЬзогргюп зресгга ой десу 1апс 1 с 1 ос 1 есу 1 р 1 гЫ 1 пшш 1 ос 11 пез,доцгпа 1 оЕ Со 11 оЫ Бс 1 епсе, ч. 6,1951,6, р, 576 - 583.(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИТИЧЕСКОЙКОНЦЕНТРАЦИИ ИИЦЕЛЛООБРАЗОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТНО-АКТИВНЫХ ВЕЩЕСТВ, ПРИМЕНЯЕМЫХ ПРИ ЭЛЕКТРООСАЖДЕНИИ Изобретение относится к измерительной технике и может быть испол дования физико-химиоверхностно-активных частности для опрекой концентрации ми- (ККМ) водных раствоемых при электроосажЯО 1219920(57) Изобретение относится к аналитической химии, в частности к определению критической концентрации мицеллообразования (ККМ) водных .растворовповерхностно-активных веществ, применяемых при электроосаждении. Цельизобретения - повьппение точности анализа. Для этого пробу разбавляют дистиллированной водой для получениярастворов различной концентрации, Затем растворы спектрофотометрируютпри 3 360 нм. По сравнению с эталонным раствором определяемого поверхностно-активного вещества, концентрация которого составляет 50-65 мас.%от его концентрации, применяемой приэлектроосаждении, ККМ определяют регистрацией зависимости оптическойплотности водных растворов вешествот концентрации его относительно эта-,лонного раствора. В этом случае относительная ошибка определения составляет + 5%. 3 табл., 2 ил,Регистрируют зависимость оптической плотности водных растворов ПАВ от концентрации относительно раствора исследуемого ПАВ, концентрация которого составляет 50 - 65% от его кон центрацш, используемой в электроосаж дении, и ККИ определяют по точке пере гиба на этой зависимости.Установлено, что на кривой зависимости оптической плотности от концент рации анионактивных карбоксилсодержа щих олигомерных ПАВ при использовании(в качестве эталонного) раствора определенной концентрации этого же ПАВ обнаружены точки перегибов, а значения концентраций, соответствующих точкам перегиба, являются величина 5 ми ККИ, Полученные ККМ находятся в удовлетворительном соответствии с данными, полученными известными методами,1 ОВ табл. 1 приведены значения ККМ ( ) для алкидно-эпоксидного олигомера ВЭП, измеренные различными .методами е15Как видно из данных табл. 1, использование предлагаемого способа дает возможность обнаружить четыре критические концентрации мицеллообразования для алкидно-эпоксидного олиго 20 мера ВЭП. Точность определения КИ 1 предлагаемым способом в параллельных опытах составляет + 5 , а отклонения данных, полученных при использовании предлагаемого способа н при25 применении других способов, составляет +10 ,П р и м е р 1. Используют 10 -ный водный раствор алкидно-эпоксидного олигомера ВЭП, применяемый в электроосаждении, Указанный исходный раствор анионактивного олигомерного ПАВ ВЭПразбавляют дистиллированной водой для получения растворов с различной концентрацией. Полученные растворы, подвергают спектрофотомет- З 5 рированию на приборе СФпри360 нм (т.е. в ультрафиолетовой области спектра). В связи с мутностью растворов (особенно высококонцентрированных) оптическую плотность изме 40 ряют в кювете толщиной (1) 0,1 см. В качестве эталонного раствора берут раствор 6%-ной концентрации, что составляет 60% от исходной концентрации. Его оптическую плотность условно при 45 нимают за ноль. Если в качестве нулевого применяется стандартный раствор с концентрацией меньше концентрации исследуемого раствора ПАВ, оптическая плотность исследуемого раствора изме ряется относительно эталонного и ее записывают со знаком +". В тех случаях, когда концентрация исследуемого раствора меньше концентрации раствора сравнения, в качестве последнего 55 берут исследуемый раствор ПАВ, а затем уже измеряют относительно него оптическую плотность стандартного раствора сравнения, но записывают ее сознаком -". По полученным даннымстроится график зависимости оптической плотности от концентрации водногораствора карбоксилсодержащего олигомера (фиг.1), а по концентрационнымизломам находят значения критическихконцентраций мицеллообразования -ККМ, ККМ,), ККМ и ККМ 4 (фиг.1,табл. 1).П р и м е р 2. Применяемьп 1 вэлектроосаждении 12%-ный водный раствор анионактивного ПАВ карбоксилсодержащего олигомера резидрола ВА разбавляют дистиллированной водой дляполучения растворов с различной концентрацией. Оптическую плотность полученных растворов измеряют на спектрофотометре СФпри40 нм (т,е,в видимой области спектра) в кюветахтолщиной (1) 0,5 см (в связи с мутностью высококонцентрированных растворов). В качестве раствора сравненияберут раствор 6,5%-ной концентрации,что составляет 54,2 . от исходной концентрации,На фиг, 2 представлена зависимостьоптической плотности водных раствороврезидрола ВАот концентрации, Поперегибам кривой на этой зависимостиустановлено наличие четырех критических концентраций мицеллообразования.В табл. 2 представлены значенияККМ (%) для резидрола ВА, измеренные раэличнымн методами.Как видно из данных табл. 2, значения критических концентраций мицеллообразования, полученные предлагаемым способом, находятся в хорошем соответствии с данными по кондуктометрии.В табл. 3 приведены граничные значения ККМ ( ) для алкидно-эпоксидного олигомера ВЭП, измеренные спектрофотометрическнм методом ( Л =360 нм).Как видно из данных табл, 3, в заявляемом диапазоне концентраций эта-лонного раствора обнаруживается весь спектр критических концентраций мицеллообразования с точностью определения ошибки опыта + 5 . Запредельные снижения и повышения концентраций эталонного раствора не позволяют обнаружить весь набор критических концентраций мицелообразования: при за1719970 предельном снижении не обнаруживается Код, а при запредельном повышении - ККМ .Использование предлагаемого спосо 5 ба определения критической концентрации мицеллообразования обеспечивает по сравнению с известным способом (относительная ошибка + 10%) воэможность измерения всего спектра критических щ концентраций мицеллообразования карбоксилсодержащих олигомерных ПАВ, используемых в электроосаждении, с относительной ошибкой + 5%.Формула изобретения Таблица 1ККМ, % Способ Метод 111 1 Ч 1 1 11 8,5 0,7 3,5 5,5 Спектрофотометрия ( %= 360 нм) Предлагаемый Кондуктометрия 9,0 0,7 3,0 6,5 Известный О 7 3 5 6 5 8,5 Вискозиметрия Таблица 2 ККИ,1 Способ Метод Спектрофотометрия ( Й - 400 нм) Предлагаемый 1 еО ЗэО 6 э 5 9 эО Кондуктометрия Известный 1,0 3,0 7,0 9,0 Таблица 3 ККМ, % Г, концентрации мицеллообразования по верхностно-активных веществ, применяемых при электроосаждении, путем регистрации зависимости оптической плотности водных растворов поверхностноактивных веществ от концентрации поверхностно-активных веществ относительно эталонного раствора с последующим определением критической концентрации мицеллообразования по точкеперегиба, отличающийсятем, что, с целью повышения точностиспособа, в качестве эталонного раствора берут раствор определяемого поверхностно-активного вещества, концентрация которого составляет 50 -65 мас.% от его концентрации, применяемой при электроосажцении. 1 11 111 1 Ч-О,б О,в оставитепь С.Хованскаеехред М.Дьщык Корректор,ен тро едактор каэ 76 ИИПИ Го сн тиям при ГКНТ ССС4/5 с ударс енно 1303 енно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина,01 оизводс раж Под комитета по изобретениям и Москва, Ж, Раушская наб 5,5 8,5 5,5 8,5 5,5 8,5