Патенты с меткой «мицеллообразования»

Способ определения второй критической концентрации мицеллообразования ионогенных пав

Загрузка...

Номер патента: 926577

Опубликовано: 07.05.1982

Авторы: Зайцев, Кучер, Сердюк

МПК: G01N 13/00, G01N 27/26

Метки: второй, ионогенных, концентрации, критической, мицеллообразования, пав

...(1)0где С - расстояние (м), на котороеперемещается окрашенная граница за время й (С),д " расстояние между электродаоми, м;0 - напряжение постоянного тока,В.По результатам расчета строится15кри ва я зав исимости зле кт рофорети чесхой подвижности от концентрации ПАВ,минимум на кривой ККМ.П р и м е р 1, В 0-образную трубку прибора Кена последовательно помещают растворы цетилпиридиний хлорида (ЦПХ) с концентрацией 0,010,22 .моль/л (рН 3, 5), добавляя краситель Судан Й (0,01 г); О = 200 В;д = 0,35 м, С помощью секундомераопределяют скорость движения окрашенной границы (м/с) и по формуле (1)рассчитывают значения электрофорети,ческой подвижности. Результаты измерений представлены на фиг. 1.ККМ ЦПХ соответствует минимуму на30кривой и...

Способ определения критической концентрации мицеллообразования в коллоидных растворах

Загрузка...

Номер патента: 1048393

Опубликовано: 15.10.1983

Авторы: Дейнега, Демченко, Лобастова, Лутченко, Шилов

МПК: G01N 27/22

Метки: коллоидных, концентрации, критической, мицеллообразования, растворах

...в регистрации электрической емкос ти .в процессе старения водного растг вора 705 при одной концентрации; изменяют концентрацию дисперсной фа зы в углеводородной среде и одновременно измеряют электрическую емкость Йю установления ее пОстоянной величины, по которой определяют критичес" кую концентрацию мицеллообразования, 60Полученные значения;электрической емкости от концентрации дисперсной фазы наносят на график С.=1(Ю и по очке излома на кривой определяют точку критической концентрациимицелообразования углеводородного раствора.П р и м е р., Путем разбавления 1 мас.Ъ раствора стеарата марганца ксилолом получают ряд растворов с различными концентрациями дисперсной фазы. Затем кажцую пробу исследуемого раствора помещают в ячейку для...

Способ определения критической концентрации мицеллообразования ионогенных пав

Загрузка...

Номер патента: 1260750

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Контуш, Лопатенко, Малярова

МПК: G01N 13/00

Метки: ионогенных, концентрации, критической, мицеллообразования, пав

...в Осторону малых концентраций,На фиг. 1 изображена схема устройства, реализующего предлагаемыйспособ; на фиг. 2 - концентрационные зависимости величины заряда капель,В устройстве конец иглы 1 находится в поле электромагнита 2 и пеориодически касается поверхностираствора ПАВ в капилляре 3.Из вытягиваемой жидкой перемычки 4 образуется капля 5. Для измерения заряда капель их направляютв электрически изолированный сбор"ник 6, с которого измеряют ток на 25землю чувствительным электрометром 7,П р и м е р . Раствор додецил;сульфата натрия концентрации5 10 4 моль/л заливают в капилляр 3и добиваются образования монодис Оперсных капель, Поскольку все каплив цепочке капель одинаково заряжены,заряд одной капли определяют по формуле Зависимость...

Способ определения критической концентрации мицеллообразования растворов

Загрузка...

Номер патента: 1567941

Опубликовано: 30.05.1990

Авторы: Исаев, Лыков, Словецкий, Таратин, Фролова

МПК: G01N 21/78

Метки: концентрации, критической, мицеллообразования, растворов

...Вноси 1 кзлит ль ь,) и цск фаз л до сс чаыце 1 с, л Гмвт кллся 1 дцьс С.МЕ.И ГГе СЛ.11 ЕИЯ;)З,.ННЬХ КОНЦЕН Граций о;1 в.:- ой дисц рсои фазы и,)ис. Герое чл; род И ползл 1 серию колл; идны. сссей, к,ццсчтраци.оторых близки к ККМ и леж;т по обегор, ы от цее. Приг. товленны. ко.Лс идные зс)в,ры выдержи ваагко 1 орое вр мя для выпадения нз; и(л а(: ии, и(а,лиии и, и, к(р,., у, Ги(;)ниии,(м и нелл избытк ц красителя, затем центрифугируют. (: корость центрофугировац(ля подбирают таким образом, чтобы, не разрушая коллоидцых растворов, освободиться от избытка красителя, несолюбилизи рова нного мицеллами и находящегося в дисперсионной среде во взвешенном состоянии. Полученные экспериментальные точки зависимости Оптической плоности коллоидных...

Способ определения критической концентрации мицеллообразования поверхностно-активных веществ, применяемых при электроосаждении

Загрузка...

Номер патента: 1719970

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Рында, Тертых

МПК: G01N 21/78

Метки: веществ, концентрации, критической, мицеллообразования, поверхностно-активных, применяемых, электроосаждении

...области спектра). В связи с мутностью растворов (особенно высококонцентрированных) оптическую плотность изме 40 ряют в кювете толщиной (1) 0,1 см. В качестве эталонного раствора берут раствор 6%-ной концентрации, что составляет 60% от исходной концентрации. Его оптическую плотность условно при 45 нимают за ноль. Если в качестве нулевого применяется стандартный раствор с концентрацией меньше концентрации исследуемого раствора ПАВ, оптическая плотность исследуемого раствора изме ряется относительно эталонного и ее записывают со знаком +". В тех случаях, когда концентрация исследуемого раствора меньше концентрации раствора сравнения, в качестве последнего 55 берут исследуемый раствор ПАВ, а затем уже измеряют относительно него...