Способ получения автоэпитаксиального слоя кремния

Номер патента: 1616419

Опубликовано: 10.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/22

Метки: кремния, легирования, мышьяком, пленкообразующий, раствор

Пленкообразующий раствор для легирования кремния мышьяком, содержащий тетраэтоксисилан, этиловый спирт, ортомышьяковую кислоту и катализатор, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности поверхностного сопротивления и снижения разброса по глубине диффузионных слоев толщиной до 8 мкм, раствор дополнительно содержит воду, а в качестве катализатора используют азотную или соляную кислоты при следующем количественном соотношении компонентов, об.%:Тетраэтоксисилан - 16,0 - 26,0Этиловый спирт - 61,3 - 73,9Ортомышьяковая кислота - 3,1 - 6,8Азотная (соляная) кислота - 0,5 - 1,4Вода - 4,5 - 6,5

Номер патента: 1639341

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Енишерлова-Вельяшева, Русак

МПК: H01L 21/66

Метки: выявления, дефектов, кремния, поверхности

СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, включающий очистку поверхности кремния с ориентацией (100) и травление в составе, содержащем хромовый ангидрид, плавиковую кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения выявляемых типов микродефектов в тонких приповерхностных слоях, травление проводят в составе, дополнительно содержащем азотную кислоту, при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Хромовый ангидрид 15 - 32Плавиковая кислота (45%-ная) 4 - 25Азотная кислота (72%-ная) 8 - 50Вода 10 - 36время травления составляет 5 - 15 мин, при этом количество хромового ангидрида в зависимости от толщины обрабатываемого слоя составляет, мкм:Более 10 15 - 4010 - 2 40 - 50

Номер патента: 1819356

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Иванковский, Куницин, Меерталь, Остапчук, Стасюк, Фоминых

МПК: H01L 21/302

Метки: кремний-металлосодержащего, многослойных, селективного, слоя, структурах, травления

...подложке, например пластине кремния, создают диэлектрические изолирующие слои, например термически выращенную двуокись кремния (3102, нитрида кремния (3 за), фосфорно-силикатного стекла (ФСС) или их комбинации, на которых формируют кремний-металлсодержащий слой на основе кобальта (Со) и (или) титана (Т) путем, например, совместимого катодного распыления мишени из металла и мишени из кремния с последующим отжигом наносимого слоя, либо в виде металл- кремниевого (кобальт-кремниевого или титан-кремниевого) сплава в виде резистивных слоев типа РС 3000 К(Со - 30, Я 1-707 ь), РС 2310 К (Соь, Т, 3-67) и других, например путем одновременно ионноплазменного распыления их из мишени, с содержанием металла в слое не более 40, после...

Номер патента: 682055

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Ломакина, Милешко, Чистяков

МПК: H01L 21/469

Метки: кремния, легирования, мышьяком, оксидной, пленки, электролит

Электролит для легирования окисной пленки кремния мышьяком, содержащий азотную кислоту и этиленгликоль, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости результатов легирования и увеличения срока годности электролита, дополнительно он содержит ортомышьяковую кислоту, а компоненты взяты в следующем соотношении, об.%:Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 4 - 5Ортомышьяковая кислота (уд. вес 2,26 г/см3) - 0,5 - 10Этиленгликоль - Остальное

Номер патента: 1730051

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Ефименко, Мацкивский, Чередников

МПК: C02F 3/14

Метки: активного, воде, глубины, ила, нахождения, слоя

...по фиксированным горизонтам концентрациюрастворенного кислорода. Для измерения концентрации используют, например, кислородомер, датчик которого опускают на глубину либо равномерно с заданной скоростью, либо с остановками на заданных глубинах (в зависимости от инерционности датчика), Одновременно при опускании датчика регистрируют глубину погружения датчика и показания прибора, т.е. величину концентрации растворенного кислорода на соответствующей глубине. Для каждой пары соседних по измерению горизонтов вычисляют разность в значении концентрации растворенного кислорода, В результате этих измерений и по вычисленным разностям значений концентраций кислорода определяют глубину нахождения слоя активного ила. Эту глубину устанавливаютпо...