Логический инвертор

Номер патента: 1037809

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Диод Шоттки, содержащий эпитаксиальный слой полупроводника, расположенный на полуизолирующей подложке, сформированные к эпитаксиальному слою контакт с барьером Шоттки и омический контакт, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и снижения величины, рассеиваемой мощности, он дополнительно содержит управляющий электрод и диэлектрическую пленку, при этом в подложке под контактом Шоттки до эпитаксиального слоя выполнено углубление, в котором расположен управляющий электрод, изолированный от эпитаксиального слоя и подложки диэлектрической пленкой.

Номер патента: 1581142

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/82

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, потенциального, различную, схем, шоттки

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий создание в полупроводниковой подложке активных и пассивных элементов интегральной схемы, маскированных диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон к невыпрямляющим контактам и высокобарьерным диодам Шоттки, формирование на поверхности подложки во вскрытых окнах силицида платины, формирование фоторезистивной маски с окнами под низкобарьерные диоды Шоттки, вскрытие в окнах фоторезистивной маски поверхности полупроводниковой подложки, удаление фоторезистивной маски, нанесение барьерной и токопроводящей пленок и фотолитографию по ним для создания рисунка разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности...

Номер патента: 818372

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Игнатенко, Радионов, Снитовский

МПК: H01L 21/18

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов Шоттки, включающий выращивание высокоомной монокристаллической эпитаксиальной пленки n-типа проводимости на низкоомной кремниевой подложке n+-типа проводимости, создание на поверхности эпитаксиальной пленки р-слоя и формирование в нем охранного кольца, вытравление канавок на глубину большую, чем глубина р-слоя, термическое окисление пластины, вскрытие в окисле контактного окна, формирование металлического электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности металлизации путем улучшения планарности поверхности и снижения величины времени восстановления обратного сопротивления диода Шоттки путем уменьшения площади р-n перехода, на поверхности...

Номер патента: 1030887

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Владимирова, Иванченко, Климов, Самохвалов

МПК: H01L 29/47

Метки: диода, кольцом, охранным, шоттки

...с барьером Шоттки.Устранение утечек приводит к уменьшению абсолютной величины токов призаданном напряжении и к увеличению зависимости прямого тока от приложенного напряжения 2 3Однако этот способ довольно сло 50жен, а диоды, изготовленные этимспособом, имеют ограниченный частотный рабочий диапазон вследствиепараллельного включения емкости р-пперехода охранного кольца.Целью изобретения является упрощение изготовления и расширение частотного диапазона диода. 3Эта цель достигается тей, что согласно способу изготовления диода Шоттки с охранным кольцом, включающему нанесение на полупроводниковую пластину и-типа проводимости тылового омического контакта, формирование диэлектрического слоя и охранного кольца и электрохимическое осаждение...

Номер патента: 1217182

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Суртаев

МПК: H01L 21/265

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, формирование силицида металла в окнах и последующий высокотемпературный прогрев, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности диода за счет устранения бокового роста силицида, после фотолитографии по металлу, но до высокотемпературного прогрева участки металла над окислом облучают ионами N+2 дозой 1015 - 1016 ион/см2 с энергией, обеспечивающей пробег ионов на 0,50 - 0,75 толщины металла.