Логический элемент “не”

ОПИСАНИЕ- ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик/4 Н 0 с при нием зая Говрларвтввквыб коактвСовета Мккквтров ИоРоо долам каобрвтвккЯк открытЯЯ45) Дата опубликования описания 29,1077) Автор изобретени М.Хотя нститут электронного машиностроен 54) ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ Изобретение относится к импульсной технике.Известен логический элемент НЕ,держащий последовательно включенны активный МДП-транзистор с обогащением и нагрузочный МДП-транзистор, точка соединения которых служит выходом схемы, конденсатор, одной своей обкладкой подключенный к затвору нагрузочного МДП-транзистора, и МДП-транзистор, исток которого соединен с затвором нагрузочного МДП-транзистора, а затвор и сток подключены к источнику питания.Этот логический элемент не обеспечивает надлежащего быстродействия.Известен также логический элемент НЕ, содержащий активный МДП-транзистор с обогащением, соединенный по" следовательно с нагрузочным МДП-тран" 2 т зистором, причем точки их соединения подключены к выходу элемента, зарядный МДП-транзистор, исток которого соединен непосредственно с затвором нагрузочного МДП-транзистора и через конденсатор - со входом элемента, а затвор и сток подключены к источнику питания 23 .Известный логический зле обеспечивает необходимой дл со-.е го МДПникомдополдиненногопол ни мент неительно 71) Заявитель Москов стн задержки выходного импульса относительно входного.Дель изобретения - увеличение длительности задержки выходного импульсаотносительно входного и амплитуды выходного логического сигнала,Это достигается тем, что в логический элемент НЕ, содержащий активный МДП-транзистор с обогащением,соединенный последовательно с.нагрузочным ЩП-транзистором, причем точки нх соединения подключены к выходуэлемента, зарядный МДП-транзистор,исток которого соединен непоср,дственно с затвором нагрузочного МДП-транзистора и через конденсатор - совходом. элемента, а затвор и сток подключены к источнику питания, введеныдва дополнительных МДП-транзистора,исток первого дополнительного МДПтранзистора соединен со входом элемента, его сток соединен с затвором,активного МДП- транзистора с обогащением а затвор первого дополнительнО-транзистора соединен с источпитания, причем затвор второгокительного МДП-транзистора сое-,со стоком первого дополнительтранзистора, сток второго дотельного МДП-транзистора под 573884Формула изобретения ключен к затвору нагрузочцого МДПтранзистора, а исток второго дополнительного МДП-транзистора соединенс общей шиной, параллельно нагрузоч -ному МДП-транзистору включен третий5дополнительный МДП-транзистор, затворкоторого соединен с источником питания.1 а чертеже приведена принципиальная схема элемента.Элемент содержит активный МДП-транзистор с обогащением 1, нагрузочныйМДИ-транзистор 2, конденсатор 3, заряжающий МДП-транзистор 4, дополнительные МЩ-транзисторы 5, б, дополнительный нагрузочный МДП-транзистор7, На вход 8 поданы входные импульсы.,выходной сигнал снимается с выходаИсточники сигналов на чертеже не показаны,Элемент работает следующим образом.ОКогда на входе действует напряжениелогического нуля ,- у, гдепороговое напряжение МДП-структуры, МДП-транзисторы 1, б закрыты,а напряжение логической единицы 25на выходе 9 инвертора составляетЕ - 2 11 д, При этом МДП-транзистор 4находится на границе запирания, а конденсатор 3 заряжен до напряжения блиэ -кого к Е - У (для определенности 30рассмариваюотся МДП-транзисторы с каналом 1( -типа, для )1 -канальных приборов все напряжения отрицательные),При поступлении ступенчатого отпирающего входного сигнала МДП-транзистор 4 запирается. Поскольку МДП-транзистор 5 обладает определенным сопротивлением, фронт нарастания напряжения на затворах МДП-транзисторов 1, боказывается задержанным относительноположительного фронта входного сигнала, Поэтому на начальном этапе переходно.го:процесса разность потенциалов между обкладками конденсатора 3сохраняется неизменной (равной Е - О ) 45о 1и все приращение напряжения на входепередается, так как разряжающий МДПтранзистор б закрыт, аемкость конденсатора 3 выбирается значительнобольшей паразитных емкостей схемы.Поскольку активный МДП-транзистор 1вначале также закрыт, напряжение навыходе повышается после увеличениянапряжения на затворе нагрузочногоМДП-транзистора 2, стремясь к уровнюЕ. По мере нарастания напряжения назатворе МДП-транзистора б конденсатор3 начинает разряжаться через него,причем постоянная времени разрядаопределяется сопротивлением этоготранзистора и величиной емкости конденсатора 3, а конечный уровеньотношением сопротивлений МДП-транзисторов 4 и б; одновременно с этимпадает сопротивление активного МДПтранзистора 1, В результате рост напряжения на выходе сна ала замедляется, а затем напряжение спадает доуровня логического нуля, определяемого отношением сопротивлений активного 1 и нагрузочного 2 транзи -сторон, причем длительность спада определяется сопротивлением МДП-тран -зистора 1 и емкостью нагрузочных схем(не показаны), подключенных к инвертору, Таким образом, время задержкивыходного сигнала относительно входного отпирающего сигнала представляетсобой промежуток времени, в течениекоторого напряжение на выходе превышает первоначальный уровень логической единицы, оно зависит от постоянной времени разряда последовательно включенных конденсатора 3 иМДП-транзистора б,При поступлении на вход схемы ступенчатого запирающего сигнала конденсатор заряжается через МДП-транзистора 4 до напряжения близкого к Г -УОдновременно с этим входные емкостиМДП-транзисторов 1,5 разряжаются через МДП-транзистор 5 (что приводит ких запиранию), а напряжение на выходе повышается до уровня логическойедцаицы .Элемент позволяет обеспечить задержку выходного сигнала относительновходного отпирающего сигнала, котораячасто требуется при построении встроенных МДП-формирователей тактовых импульсов, управляющих динамическимисхемами со структурой МДП (в частности, приборами с зарядовой связью) .При этом практически не увеличиваетсядлительность фронтов нарастания р спада выходного сигнала (то есть практически не ухудшается быстродействиеинвертора),1. Логический элемент НЕ, содержащий активный МДП-транзистор с обогащением, соединенный последовательно с нагрузочным МДП-транзистором, причем точки их соединения подключены к выходу элемента, зарядный МДП- транзистор, исток которого соединен непосредственно с затвором загрузочного МДП-транзистора и через конденсатор - со входом элемента, а затвор и сток подключены к источнику питания, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения длительности задержки выходного импульса относительно входного, в него введены два дополнительных МДП-транзистора, исток первого дополнительного МДП-транзи.- стора соединен со входом элемента, его сток соединен с затвором активного МДП-транзистора с обогащением, а затвор первого дополнительцого МДП- транзистора соединен с источником пи573884 Составитель Т.Арткхедактод В. Раакккова Текред Н.акдреекук Короектор к декккк Подписное тета Совета Мини ений и открытий кокая наб, д. 4 / 1065комиобреРау аэ 3777/42 Тирам11 Н 11 ПИ Госу дар ст венногопо делам иэ113035 Москва жв СССР фоЖ МФилиал ИИП Патент, г. У:кгороде улЪ=Ироектцаят тания, причем затвор второго цопол -нительцого МДП-транзистора соединенсо стоком первого дополнительноготранзистора, сток второго дополнительного МДИ-транзистора подключен к затвору нагруэочного МДП-транзистора, аисток второго дополнительного МДПтранзистора соединен с общей шиной. 2, Этемецт ИЕ по и. 1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, чт.,с целью увели ения амплитуды выходного логического сигнала, параллельно нагрузочному МДП-транзистору включен третий дополнительный МДП-транзистор, затвор которого соединен с источником питания.