Рекурсивно-однородная структура
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
78 Союз Соеетскиз Социалистическил РеспубликЗависимое от авт. свидетельства-М. Кл. б 061 7/00 Заявлено 19 Х.1970 ( 1445061/18-24)с присоединением заявки-ПриоритетОпубликовано 22,11,1973. Бюллетень12Дата опубликования описания 26,И.1973 Комитет по делам изобретениЯ и открытиЯ при Совете Министров СССРУДК 681.323(088.8) Авторы изобретения В. А, Торгашев, В. И. Андрианов и Л. И. Бердников Заявитель РЕКУРСИВНО-ОДНОРОДНАЯ СТРУКТУРА Изобретение относится к области вычислительной техники и предназначено для построения надежных высокопроизводительных вычислительных машин на базе микроэлектроники.Известны однородные вычислительные структуры, которые используют принцип однотипности ячеек и регулярности связей между ними во всей сети, составляющей вычислительное устройство,В подобных устройствах из-за их сложности и соответственно с увеличением размеров однородной сети растет число внешних выводов. При наличии магистральных шин в однородной сети увеличивается также число связей, приходящихся на каждый элемент, или время пересылки информации между отдельными участками однородной сети в случае отсутствия магистральных шин. Это накладывает ограничения на возможности миниатюризации однородной сети, связанные с увеличением числа выводов, и на максимальные размеры вычислительного устройства.Предложенная структура отличается тем, что участки каждого т-го уровня содержат участки однородной структуры (1 - 1) -го уровня, соединенные одинаково.Это позволяет повысить эффективность использования однородных сетей в вычислительных устройствах на регулярной основе с любым числом элементов сети и при любом достижимом уровне интеграции компонентов микроэлектронных схем с сохраненнем всех преимуществ однородных вычисли 5 тельных устройств.Схема рекурсивно-однородной структурыпоказана на фиг. 1, 2 и 3,На фиг. 1 ячейки (типа ячеек машины Холланда) расположены в узлах двухмерной10 однородной сети размером 4 Х 4. Эта сетьобразуетпервую рекурсию. Каждый из элементов сети с выводами 1 - 1 б непосредственно связан с соседними и при помощи шин сэлементами соответствующего столбца и15 строки сети. Внешними выводами первой рекурсии служат свободные выводы угловыхэлементов.Первая рекурсия является элементом одномерной однородной сети (фиг. 2) разме 20 ром 1 Х 4, соответствующей второй рекурсии,Все элементы второй рекурсии соединенымежду, собой с помощью восьми шин. Внешние выводы этой рекурсии - восемь свободных выводов верхнего элемента (первая ре 25 кур сия) .Вторая рекурсия является элементамидвухмерной сети размером 4 Х 4 (фиг. 3),соответствующей третьей рекурсии. Каждаявторая рекурсия связана в этой сети с со 30 седней, а горизонтальными и вертикальнымишинами - с рекурсиями второго типа соответствующих столбцов и строк.Предположим, что все последующие четные рекурсии подобны рекурсиям второго типа, а все нечетные - рекурсиям третьего типа.Тогда при любом числе исходных элементарных вычислительных устройств (типа ячеек машины Холланда), равном 4, где и - суммарное число измерений во всех рекурсиях, количество параллельно соединенных элементов в двухмерной рекурсии равно 8, а в одномерной - 4.Максимальная задержка сигналов ввода информации через внешние выводы и при пересылке из элемента в любой другой элемент внутри устройства составляет п 1, для одвомерной сети и 2 п 1, для двухмерной сети, где 1 - задержка, сигнала при прохождении 5 через один элемент,Предмет изобретенияРекурсивно-однородная структура, содер жащая однотипные элементы, соединенные вучастки однородной структуры, отличающаяся тем, что, с целью повышения быстродействия, участки каждого -го уровня содержат участки однородной, структуры ( - 1) -го 15 уровня, соединенные одинаковым образом.371578 1 г фlР,7 Редактор И. Грузова Заказ 1661/11 Изд,1254 Тираж 647 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 Составитель В. Бакулин Техред Т. Курилко Корректоры: В. Петрова и А, Николаева
СмотретьЗаявка
1445061
В. А. Торгашев, В. И. Андрианов, Л. И. Бердников
МПК / Метки
МПК: G06F 7/00
Метки: рекурсивно-однородная, структура
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-371578-rekursivno-odnorodnaya-struktura.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Рекурсивно-однородная структура</a>
Способ определения типа проводимости слоев полупроводниковых структур
Номер патента: 1045313
Опубликовано: 30.09.1983
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: полупроводниковых, проводимости, слоев, структур, типа
...цншии компоцецтцв, мсГ.(Г:П.)явиковая к 31 слОтс 2,0-;Вода Остальцое а тип проводимости ццредслякт из соотццшеия линейных размеров образовавшихся ямок, причем меньшие размеры ямок соотвлствуют слоям р-типы, ы большие п-типа.На фиг. 1 приведена диаграммы, цокызыБаюшд 51 ОГряничеци 51 15)смени т")ЯБ 1 ец 3)я. П,101 НОСТИ ТЦКЯ И КЦЦЦ(сЦТРЯЦИИ 1)пасЗИКОВЦИ кислоты цри рса,тизации изобрстеция; цы фи 2 х 3 крсс)цтц рафия ск(кы эпитыксиалыкй л руктуры р-и-п тица Ны фи. 3 м и к р О ф ц т 0 Г 1) я ф и и я м ц к т р а Б, ) с ц и я д Г 1 я п,1 ы стин с рызг)ичный т)Г 1 цм прцвц,ихО(ти рызц удсльцым сспрц)3 Гзг)сиисм.На фиг. 1 осизцачсно: область 1 фцрми- Г)овация коричневой пленки цы ццвсрхцост; скоса, которая це позволяет цаблкдать ях)к 1,...
Способ получения цеолита типа, содержащего марганец в структуре
Номер патента: 1137077
Опубликовано: 30.01.1985
МПК: C01B 39/14
Метки: марганец, содержащего, структуре, типа, цеолита
...типа А вобразце 98,0 . Примеси(гель и небольшое количество цеолита типа филлипсита) составляют 2 Х. Линии с межплоскостными расстояниями 0,505; 0,386;0,316; 0,269 нм относятся к филлипситу,3 11Для определения граничных значений вьдержки смеси растворов гидроксида натрия и силиката натрия, атакже реакционной смеси до гидротермальной обработки были полученыреакционные смеси, идентичные описанному примеру.Данные о выходе целевого продуктас кристаллической структурой, вданном случае цеолита типа А, егочистоте, цвете в зависимости отвремени вьдержки смеси растворовгидрокснда натрия и силиката натрия,а также в зависимости от временивыдержки реакционной смеси до гидротермальной обработки приведены втаблице.О вхождении переходного металлав...
Способ получения сверхпроводящих керамических покрытий типа купратов с перовскитной структурой
Номер патента: 1728307
Опубликовано: 23.04.1992
Авторы: Ипатов, Рычагов, Свалов, Сытников, Томенко, Трубицына
МПК: C23C 16/40, C25D 11/02, C25D 3/38, C25D 5/00, C25D 5/50
Метки: керамических, купратов, перовскитной, покрытий, сверхпроводящих, структурой, типа
...термически неустойчивые соли висмута, кальция и стронция, а термодиффузионный отжиг проводят при 780 - 850 С,Окисный слой на изделиях с покрытиями из меди или сплавов меди получают электро- химическим оксидированием в щелочном электролите 800 - 1200 г/л КОН при 110 - 140 С и плотности тока 0,2 - 5,0 А/дм, что позволяет сформировать объемно развитую ориентированную преимущественно в перпендикулярном поверхности направлении структуру. Оксидное покрытие пропитывают раствором или расплавом солей металлов, дополняющих состав купратов.Для этого берут неорганические или органические соединения элементов И - Ч групп, разлагающиеся с образованием оксидов и карбонатов при температурах до 600 С.В частности могут быть использованы нитраты,...
Способ получения сверхпроводящих керамических покрытий типа купратов с перовскитной структурой
Номер патента: 1830396
Опубликовано: 30.07.1993
Авторы: Дозорцев, Ипатов, Рычагов, Сытников, Яшнов
МПК: C23C 18/38, C25D 15/00, C25D 5/50
Метки: керамических, купратов, перовскитной, покрытий, сверхпроводящих, структурой, типа
...в течение 3,5 часа при пульсирующем перемешивании.Композиционное покрытие системы СоВ 1-Яг-Са-О сначала отжигали при 780 С на воздухе 48 ч,.а затем - в.кислороде при 850 С в течение 2 ч. Композиционное покрытие У-Ва-Сц-О отжигали 24 ч на воздухе при 950 С и в кислороде 8 ч при 900 С,П р и м е р 2, Для получения купратного покрытия УВагСиз 07-х электрохимическим методом на плоскую подложку из сплавасеребра с палладием (5 мас.оь) осаждали композиционное покрытие СизУо,г - окись бария - окись иттрия. Покрытие наносили из электролита, содержащего, г/л; сернокислая медь (водная) 120, сульфат аммония 60. сульфат натрия (водный) 60, этилендиамин 60, иттрийаммонийэтилендиаминтетраацетат 35, медненный порошок ВагУо,60 э,2 с размером частиц 1 мкм...
Однородная коммутирующая сеть
Номер патента: 1309033
Опубликовано: 07.05.1987
Автор: Ильин
МПК: G06F 15/163
Метки: коммутирующая, однородная, сеть
...на то разрешение от Е-го управляющего входа 15 уровень "0"., на котором закрывает также Е-й вентиль И 2, изолируя Е-й информационный вход 17 группы коммутирующей сети, к которому подключен выход коммутирующего процессорного элемента, оказавшегося неисправным.Воздействие другой пары управляющих сигналов 15 и 16, соответствующих вышедшему из строя процессорному элементу, приведет к изменению режимов передачи. информации в последовательности ячеек 6, отсчитываемых аналогичным образом с той лишь разницей, что если ячейки 6 первого столбца уже изменили режим передачи информации, то такие же изменения .режимов возникнут и в соседних ячейках 6 второго столбца.Таким образом, получены представленные на фиг. 4 и 5 в качестве примеров схемы...
Предыдущий патент: Устройство для сигнализации о наличии свободных
Следующий патент: Всесоюзная; п л т-” gt; amp; -5 •. -ir-r if: . патиlt; й1»-: . д; ., гс и.: , библ; -ю i; , . a •, vjii-c: is-xv. -i. v.;: ; ., -u
Случайный патент: Устройство обнаружения детонаций и коррекции момента искрообразования для двигателя внутреннего сгорания