Формирователь тока хранения

(51 1 С 7 в,цтг:т;., ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ вров 185 РУ 7 (эл схема А.А.,ые схезисторадно,НЕНИЯ к микр пользо , памят е надеж 4 ь ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬС(56) Микросхема памяти КМктрическая принципиальнаяПГФМ 3.487,067 ЭЗ) .Валиев К.А., ОрликовскийПолупроводниковые интегральмы памяти на биполярных траных структурах. - М.; Сов,1979, с. 118, рис. 4,26.(54) ФОРМИРОВАТЕЛЪ ТОКА ХРА(57) Изобретение относитсяэлектронике и может быть исно для построения микросхемЦель изобретения - повышени ности формирователя тока хранения .Поставленная цель достигается тем,что формирователь содержит элементсмещения, дифференциальный усилительэталонный элемент памяти, нагрузочные элементы 14, 15, блок 16 управления эталонным элементом памяти ссоответствующими связями. Неустойчи"вость эталонного элемента памятиприводит к повышению напряжения наколлекторе транзистора 10, котороепоступает на вход дифференциальногоусилителя, с выхода которого черезэлемент смещения передается на токозадающий элемент, В результате токозадающий элемент дает на выходе ток,зависящий от реального разброса коэффициентов усиления транзисторовэлементов памяти, 2 ил.Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для построения микросхем памяти.Цель изобретения - повышение надежности .формирователя.На фиг. 1 представлена электрнчес"кая схема формирователя со строкойэлементов памяти, на которые он работает на фиг. 2 - схема блока упра 10вления .эталонным элементом памяти.Формирователь тока хранения содержит токозадающий элемент на транзисторе 1 и резисторе 2, элементсмещения на транзисторе 3, резисторе4 и генераторе 5 тока, дифференциальный усилитель, состоящий из генератора 6 тока, транзисторов 7 и 8,резистора 9, эталонный элемент памя-ти, состоящий из запоминающих тран, зисторов 10 и 11 нормирующего транзистора 12, генератора 13 тока; нагрузочные элементы 14 и 15, блок 16управления эталонным элементом памяти, состоящий из. трех источников17-19 опорного напряжения, опорныевходы 20 и 21, вход 22 выборки.Формирователь работает следующимобразом.Ток через элементы памяти однойстроки, протекающий по цепи: словар"ная шина, элемент памяти, шина хранения, транзистор 1, резистор 2,общая шина, зависит от напряженияна базе транзистора 1,. Резистор 4 игенератор 5 тока вместе с резисто"ром 9 и генератором 6 тока определяют напряжение базы транзистора 1 и,тем самым, исходный ток хранения элементов памяти одной строки, Следовательно, напряжение на. коллекторе40транзистора 8 определяет величинувыходного тока формирователя,Принцип управления током хранениястроки заключается в управлении напряжением на коллекторе транзистора 845дифференциального каскада путем сравнения напряжения опорного источника20 напряжения и напряжения на коллекторе транзистора 10 эталбнного элемента памяти. Транзисторы 10 и 12образуют плечо элемента, имеющеекоэффициент передачи тока, равный 1,и имитируют неустойчивость элементов памяти строки, в которой имеютсяэлементы памяти с асимметричными коэффициентами усиления транзисторныхструктур. Неустойчивость эталонногоэлемента выражается в повышении напряжения на коллекторе транзистора 10, что приводит к увеличению тока хранения строки элементов памяти, повышает их устойчивость, Блок 16 управления эталонным элементом предназначен для периодического установления ее в состояние, при котором транзистор 10 открыт.В предлагаемом примере изложен. один из случаев создания асимметрии по величине коэффициента усиления транзисторных структур, входящих в эталонный элемент памяти.,В общем случае коэффициент передачи. тока неустойчивого плеча может быть выбран произвольно и в соответствии с фактическим технологическим разбросом коэффициентов усиления. Следовательно, ток хранения статических элемен-. тов памяти строки выбирается в зависимости от фактического уровня технологии. Формула изобретенияформирователь тока хранения, содержащий токозадающий элемент, состоящий из транзистора, коллектор которого является выходом формирователя и резистора, первый вывод которого подключен к шине нулевого потенциала. формирователя, а второй вывод соединен с эмиттером транзистора о т - л и ч а ю щ и й с я, тем, что, с целью повышения надежности формирователя, он содержит элемент смещения, состоящий из транзистора, резистора и генератора тока, первый вывод которого подключен к шине нулевого потенциала формирователя, второй вывод соединен с базой транзистора токозадающего элемента и с первым выводом резистора элемента смещения, второй вывод которого соединен,с эмиттером транзистора элемента смещения, коллектор которого подключен к шине питания формирователя, дифференциальный усилитель, вькод которого соединен с базой транзистора элемента смещения, а первый вход является первым опорным входом формирователя, эталонный элемент памяти, состоящий иэ двух запоминающих транзисторов, коллекторы и базы которых соединены перекрестными связями, нормирующего транзистора, коллектор и база которого соединены с базой первого запоминающего транзистора, коллектор ко" торого соединен с вторым входом диф1453444 Составитель С, КоролСПатрушева Техред И,Дидык орректор А. Ворович Ред аказ 7290/48 Тираж 558 Подпис ноеНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 одственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная,ференциального усилителя, генераторатока, первый вывод которого подключен к шине нулевого потенциала формирователя, а второй вывод соединенс первыми эмиттерами запоминающихтранзисторов и эмиттером нормирующего транзистора, два нагрузочныхэлемента, первые выводы которых соединены и являются вторым опорнымвходом формирователя, а вторые выводы соединены с коллекторами первого и второго запоминающих транзисторов эталонного элемента памяти соответственно, блок управления эталонным элементом памяти, вход которогоявляется входом выборки формирователя, а выходы соединены с вторымиэмиттерами первого и второго запоминакщих транзисторов эталонного элемента памяти соответственно.