Элемент памяти

(54) (57) вано Бюл. М 39е конструкторское биппленной автоматикироизводственного оибор"в и Ю.В.Захаров(0888)свидетельство СССРН 03 К 19/088,1983импульсов гЕ 5.107О 1984,бъе- та СУДАРСТВЕНКЫЙ КОМИТЕТ СО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ ТОРСНОМУСВИДЕТ(71) Специальнро систем проЧебоксарскогодинеиия "Промп(56) АвторскоеУ 1106021, кл.Интегратор33, М., ИЗТА,1 ЕМЕНТ ПАМЯТИИзобретение относится к обласоматики и может быть испольэо в устроиствах для сохранения,информации при перерывах напряжения пиния. Цель изобретения состоит в расширении области применения элемента памяти за счет обеспечения возможности записи информации сигналами меньшей мощности. Для достижения этой цели в элемент памяти, содержащий трансформатор, выполненный на сердечнике с прямоугольной петлей гистерезиса, транзистор, согласующий и нагрузочный резисторы, введен конденсатор, а вход записи через согласующий резистор соединен с базой транзистора. 1 ил.1265854 2Изобретение относится к автомати- под воздействием импульса тока, проке и может быть использовано в уст- текающего по обмотке считывания,серройствах для сохранения информации дечник перемагничивается от значения при перерывах напряжения питания. +Вг до -Вг и на обмотке записи возЦель изобретения - расширение об никает импульс ЭДС, который через ласти применения элемента памяти эа . конденсатор 5 прикладывается между счет возможности записи сигналами базой и на выходе 8 ЭП возменьшей мощности. никает единичный импульс, Если заНа чертеже представлена принципи- пись информации не производилась,то альная схема элемента памяти. 10 сердечник трансформатора имеет намагЭлемент памяти (ЭП) содержит транс- ниченность -Вг, и под воздействием форматор 1, выполненный на сердечни- импульса тока, протекающего по обмотке с прямоугольной петлей гистереэи- ке считывания, перемагничивания серса, с обмотками записи и считывания, дечника не происходит, а значит и не усилительный транзистор 2, согласую возникает импульс на выходе элемента щий 3 и нагрузочный 4 резисторы и фор- памяти.сирующий конденсатор 5. Показаны также входы 6 записи и считывания 7 и Формула изобретения выход 8 ЭП.20Элемент памяти работает в двух режимах: записи и считывания.В исходном состоянии сигнал на входе ЭП имеет высокий потенциал, а цепь обмотки считывания обесточена.В этом случае транзистор 2 закрыт и на выходе ЭП присутствует сигнал логического "О".Режим записи. Запись логической "1" в ЭН осуществляется подачей на 30 вход записи 6 отрицательного импульса, который через резистор 3 поступает на базу транзистора 2, открывая его.Ток, протекающий через обмотку записи трансформатора 1, транзистор 2 и резистор 4, перемагничивает сердечник трансформатора от значения намагниченности -Вг до +Вг. После отключения напряжения питания намагниченность сердечника сохраняется. 40 Режим считывания, Считывание информации из ЭП производится подачей прямоугольного импульса на обмотку 7 считывания. Если предварительно была произведена запись логической "1",то сердечник имеет намагниченность +Вт; Элемент памяти, содержащий трансформатор, выполненный на сердечникес прямоугольной петлей гистерезиса собмоткой считывания и записи,.усилительный транзистор, согласующий инагрузочный резисторы, причем одинвывод согласующего резистора является входом записи элемента памяти,один вывод нагрузочного резисторасоединен с шиной нулевого потенциала,а другой - с коллектором усилительного транзистора и является выходомэлемента памяти, эмиттер усилительного транзистора соединен с одним выводом обмотки записи, другой вывод которого соединен с шиной питания, выводы обмотки считывания являются входами считывания элемента памяти,о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью расширения области примененияэлемента памяти эа счет уменьшениямощности сигналов записи, в него введен форсирующий конденсатор, один вывод которого соединен с базой усилительного транзистора, а другой - сшиной питания, другой вывод согласующего резистора соединен с базой усилительного транзистора,1265854 Составитель А.ДерюгинТехред Л.Сердюкова ектор М.Максимиш Ред ор П.К се Заказ 5672/51 Тираж 543 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4