Преобразователь давления
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
)и иц,),Л ВЛ изме рить 1 авлеЕНИЯ ител ьастсти я п хфиг,1 ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗО ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ1404852 формула изобретения А-А фиг, 2 Фиг.З Изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам давления.Целью изобретения является расширение частотного диапазона преобразования давления путем повышения резонансной частоты собственных механических колебаний упругого элемента.На фиг. 1 представлен кристалл датчика, сформированный при помощи одностороннего профилирования кремниевой подложки ориентации (100), вид со стороны травления; на фиг. 2 - разрез А - А на фиг. 1; на фиг, 3 - кристалл, изометрия; на фиг. 4 - то же, с выемками, изготовленными с планарной стороны; на фиг, 5 - то же, с несколькими выемками.Кристалл изготовлен в виде толстого основания 1, в котором сформирована тонкая мембрана 2, на которой расположены жесткие выступы 3. В едином технологическом цикле с формированием тонкой мембраны 2 в жестких выступах 3 изготовлены выемки 4 в виде усеченной пирамиды, грани которой соответствуют кристаллографическим плоскостями 111. Между выступами 3 и между основанием 1 и выступами 3 с планарной стороны кристалла расположены тензорезисторы 5, изготовленные с помощью диффузии или ионного легирования подложки.Кристалл (фиг. 4) изготовлен с выемками в жестких выступах, выполненными с планарной стороны. Поскольку жесткие выступы на мембране с наружной стороны также огранены плоскостями 1111, то такая конструкция по сравнению с указанной обеспечивает лучшие инерционные и частотные свойства упругого элемента.В кристалле упругого элемента, в жестких выступах 3 выполнено несколько выемок 4 (фиг. 5). При наличии воздействия давления измеряемой среды на кристалл упругого элемента происходит деформация тонких гибких участков мембраны 2, заключенных между жесткими выступами 3 и между жесткими выступами и жестким основанием 1. Преобразование деформации изгиба в выходной электрический сигнал происходит с помощью расположенных на планарной стороне кристалла тензорезисторов 5, меняющих в зависимости от величины внешнего механического воздействия свой номинал,Преобразователь давления, содержащийсформированную в монокристаллической кремниевой пластине мембрану с жесткими выступами и тензорезисторы, расположенные на мембране, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного диапазона преобразо вания, в каждом жестком выступе мембраны выполнена по крайней мере одна выемка, глубина Н которой удовлетворяет со- отношению Н=В - й,где В - толщина пластины;Составитель И.Техред И. Верес Тираж 847 ного комитета СССР по осква, Ж - 35, Раушс графическое предприяти Редактор И. ШуллаЗаказ 3092/43ВНИИПИ Государстве13035, МПроизв:.дственно-поли НевскийКоррПодиделам изоб 1 текая наб., л.
СмотретьЗаявка
4104968, 09.06.1986
МОСКОВСКИЙ ИНЖЕНЕРНО-ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
ВАГАНОВ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ, СЛУЧАК ИГОРЬ ИОСИФОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01L 9/04
Метки: давления
Опубликовано: 23.06.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1404852-preobrazovatel-davleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Преобразователь давления</a>
Предыдущий патент: Пьезорезистор для измерения напряженного состояния внутри массива модели горных выработок
Следующий патент: Датчик давления
Случайный патент: Способ получения оксида цинка