Патенты опубликованные 20.06.2000

Номер патента: 552860

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Герасименко, Кузнецов, Лежейко, Любопытова, Смирнов, Эдельман

МПК: H01L 21/265

Метки: карбида, кремния, кубической, модификации, синтеза

Способ синтеза карбида кремния кубической модификации путем внедрения в подложку кремния, нагретую до температуры 600 - 650oC, ионов углерода при плотности тока 15 - 20 мка/см2, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллического карбида кремния в объеме подложки, содержащей внедренные атомы углерода, после внедрения проводят термообработку подложки при температуре 1100 - 1300oC.

Номер патента: 1243591

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Лисин

МПК: H03K 3/53

Метки: высоковольтных, генератор, импульсов, каскадный, мощных

Каскадный генератор мощных высоковольтных импульсов, содержащий зарядный блок и в каскадах конденсаторы, соединенные между собой последовательно, причем параллельно конденсаторам четных каскадов включены перезарядные цепи, каждая из которых выполнена в виде последовательно соединенных катушки индуктивности, перезарядного вентиля и разрядника, зарядные элементы, зарядные вентили, каждый из которых подключен соответственно одним из электродов к одному из выводов конденсатора соответствующего каскада, причем зарядные вентили включены через зарядные элементы согласно с зарядным блоком, соединенным с общей шиной, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной мощности, в него введен первый...

Номер патента: 1301275

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Лисин

МПК: H03K 3/53

Метки: высоковольтных, генератор, импульсов, наносекундных

Генератор высоковольтных наносекундных импульсов, содержащий зарядный блок, N двухступенчатых формирующих линий, первая и вторая ступени каждой из которых выполнены в виде отрезков коаксиального кабеля, коммутатор, первый вывод которого соединен с внутренним проводником отрезка коаксиального кабеля на входе первой ступени первой двухступенчатой формирующей линии, при этом отрезки коаксиальных кабелей первых ступеней двухступенчатых формирующих линий охвачены магнитопроводами из ферромагнитного материала, внутренние проводники отрезков коаксиального кабеля на выходе первой ступени и на входе второй ступени N-й двухступенчатой формирующей линии соединены между собой, а первый выходной вывод...

Номер патента: 1480684

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: H01L 23/18

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

Силовой полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую структуру, расположенную между токоподводами с мембранами и помещенную в изолирующий корпус, отличающийся тем, что, с целью повышения механической стойкости прибора при возникновении электрической дуги между токоподводами, на внутреннюю поверхность по крайней мере одного токоподвода с мембраной нанесен слой цинка или кадмия.

Номер патента: 1598721

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Гришутин, Ерошенков, Завьялов, Кондаурова, Мартынов, Соболева

МПК: H01B 17/26

Метки: вакуумный, ввод, высоковольтный

1. Высоковольтный вакуумный ввод, содержащий полый корпус в виде набора герметично соединенных между собой покрышек из изоляционного материала, расположенные в корпусе цилиндрические экраны, размещенный на корпусе резистивный делитель напряжения, систему охлаждения, токовводы и установленные по торцам корпуса фланцы, один из которых предназначен для крепления к корпусу вакуумной камеры, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности, он снабжен расположенными между покрышками разделяющими их кольцами с герметично соединенными обоймами, дополнительными наружными цилиндрическими экранами с равномерно расположенными по окружности штырями, соединенными с резистивным...

Номер патента: 1598818

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Молотков, Рогачев

МПК: H03H 9/145, H03H 9/42

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

Линия задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащая пьезоэлектрический звукопровод, на рабочей поверхности которого в общем акустическом канале размещены входной и выходной веерные встречно-штыревые преобразователи (ВШП) с переменными вдоль апертуры каждого преобразователя шириной каждого штыря и величиной зазора между соседними штырями, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения искажений обрабатываемого сигнала, штыри выполнены расщепленными, причем зазор между электродами каждого штыря выполнен в форме клина с шириной в любом сечении апертуры акустического канала, определяемой выражениемгде...

Номер патента: 1127466

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Болховитянов

МПК: H01L 21/208

Метки: алюминия, арсенида, галлия, наращивания, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия-алюминия на подложках бинарного соединения типа AIII - BV из жидкой фазы алюминий-галлий-мышьяк, содержащей 3 - 7 ат.% сурьмы, отличающийся тем, что, с целью улучшения кристаллического совершенства слоев арсенида галлия-алюминия на подложках фосфида галлия, поверхность подложек предварительно приводят в контакт на 5 - 10 мин с насыщенной жидкой фазой индий-сурьма при температуре 723 - 798 К.

Номер патента: 1127483

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Колоскова, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/316

Метки: алюмосиликатного, осаждения, пленок, раствор, стекла

Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла, содержащий растворитель - этиловый спирт 96o, тетраэтоксисилан, катализатор и азотнокислый алюминий(гидрат) с концентрацией в растворителе более 0,15 г/см3, отличающийся тем, что, с целью увеличения маскирующей способности пленки при диффузии бора и фосфора с поверхностной концентрацией более 1019см-3, отношение массы азотнокислого алюминия к массе тетраэтоксисилана берут равным 1,5 - 4,0, а компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%:Этиловый спирт 96o - 60 - 80Азотнокислый алюминий, гидрат - 15 - 32Тетраэтоксисилан - 5 - 10.

Номер патента: 1653511

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Витшас, Менахин, Рудой, Сорока

МПК: H01S 3/0977

Метки: газовый, лазер

Газовый лазер, содержащий расположенные в рабочей камере электроды основного разряда, подключенные к источнику питания, и вспомогательные электроды, изолированные от основного разряда и подключенные к источнику периодических импульсов, отличающийся тем, что, с целью увеличения мощности генерации, электроды основного разряда установлены между вспомогательными электродами, при этом вспомогательные электроды выполнены профилированными так, что расстояние l1 между ними в местах расположения основных электродов удовлетворяет следующему соотношению: l1 > l, где l - расстояние между вспомогательными электродами в зоне основного разряда.