Способ обработки полимерной пленки

Номер патента: 1095234

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Афтеньев, Горшенин, Силантьев

МПК: G11C 11/14

Метки: исследования, источник, магнитных, магнитоодноосных, магнитооптического, пленок, полей, управляющих, устройства

...полей для исследования магнитоодноосных пленок, содержащий источник постоянного магнитного поля, выполненный в виде двух постоянных магнитов, и источник ортогональных магнитных полей, направленных 10 параллельно плоскости пленки, выполненный в виде двух катушек индуктивности 1.Недостатком этого источника управляющих магнитных полей является трудность магнитооптического исследования пленок,Наиболее близким техническим решением к изобретению является источник управляющих магнитных полей для устройства магнитооптического исследования магнитоодноосных пленок, содержащий две двухконтурные катушки для создания ортогональных 20 магнитных полей в плоскости пленки и двух- контурную катушку для создания магнитного поля, нормального к плоскости...

Номер патента: 1575246

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Алексеев, Кузьмин, Мельничук, Рыжов, Сыркин, Толмасский, Трыков, Уэльский, Хацернов

МПК: H01F 10/14, H01F 41/20

Метки: газ, железа, магнитотвердых, основе, пентакарбонила, пленок

...компонентов. Во всех случаях были получены пленки толщиной 0,1 мкм, Магнитные1575246 Таблиц э 1 Магнитные свойства Состав исходной смеси,мас .Пример Изменение парамет ов, Т е(СО)5 (СБН 5)2 Ге НС,М/м 02 Кп Л Вг Л Нс 2,95 0,99 4,90 0,79 5,20 4,88 0,992 0,98 0,97 4,91 5,00 4,99 4,96 1,9 2,1 1,2 2,1 2,4 2,7 3,2 2,5 3,1 1,9 1,7 1,3 3,2 1,81 2,10 1,61 1,89 1,28 1,17 1,82 1,96 1,70 1,48 1,32 1,47 1,45 76,1 64,1 92,0 50,8 93,1 92,1 51,2 58,1 52,1 91,0 87,6 79,3 80,1 0,05 0,01 0,10 0,01 0,10 0,12 0,008 0,01 0,02 0,10 0,01 0,02 0,05 97,0 95,0 99,2 94,7 95,0 99,0 99,01 99,01 94,99 94,99 94,99 94,99 2,1 2,7 1,8 2,4 2,8 2,9 З,О 2,6 3,7 4,1 2,4 2,7 2,9 0,88 0,91 0,81 0,86 0,66 0,57 0,85 0,86 0,81 0,80 . 0,81 0,80 0,78 1 2 3 5 б 7 8 9 10 12 13 60-95...

Номер патента: 1608747

Опубликовано: 23.11.1990

Автор: Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: анизотропии, магнитной, магнитных, пленке, полей, эффективных

...критической напряженности постоянного магнитного поля Нлк , по которой судят о компонентах эффективных магнитных полей, имеющих различную физическую природу.Сущность изобретения заключается в следующем.Известно, что согласно результату классической теории Стонера-Вольфарта перемагничивание магнитных пленок вращением векторов намагниченности должно происходить при достижении критерия, который для магнитоодноосных пленок можно записатьв виде Н /з+Н/= (4 к - 4 дМ ) /, и 8 где Н и Ни в компоненты магнитного поля,перпендикулярная и параллельная плоскости пленки соответственно;Н - поле одноосной анизотропии;4 лМ - намагниченность насыщения, Для данного случая это условие может быть переписано в виде=(Н 4 М )ф,где выделены перпендикулярная...

Номер патента: 1765847

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: анизотропии, магнитного, магнитной, одноосной, пленке, поля, эффективного

...во время действия импуль- (Я сного магнитного поля Ни, изменяют напря- ф женность внешнего магнитного поля Н = Ни ф - Нсм и определяют зависимость Р " от Н, по которой судят об эффективном магнитном поле однооснои анизотропии в магнитной пленке путем экстраполяции этой зависи- ф мости до пересечения с осью абсцисс,Изобретение поясняется чертежом, где приведена зависимость Р от Н, а также зависимость х от Н, по которой определяют эффективное магнитное поле одноосной анизотропии в прототипе, Здесь х - время перемагничивания магнитной пленки. На чертеже видно, что при экстраполяции кри1765847 но, что экстраполяция обеих кривых даетзначение эффективного магнитного поляодноосной анизотропии равное 108 Э,у оГн, РЗаказ 3387 Тираж Подписное...

Номер патента: 983600

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Аболтиньш, Дзилюмс, Нетунаева, Ярополова

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, поля, топографирования

...токи оказывают реакцию на магнитное поле иизменяют добротность контура, в который подключен виток. Таким образом,25величина добротности, показываемаяизмерителем добротности 2, зависитот концентрации свободных носителейзарядов в полупроводнике. Затем вихревые токи усиЛивают лучом света,падающим на полупроводник. от сканирующего .источника 4 света.Устройство работает следующим образом.При освещенииполупроводника 3 врезультате внутреннего Фотоэффектавозникают избыточные свободные носители заряда. Увеличение концентрациисвободных носителей зарядов усиливает вихревые токи, что, как было описано выше, изменяет добротность катушки. Усиление вихревых токов осуществляют в локальных областях. Лучсвета сканирует поверхность полупроводника 3. Там,...