Дзилюмс

Номер патента: 983600

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Аболтиньш, Дзилюмс, Нетунаева, Ярополова

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитного, поля, топографирования

...токи оказывают реакцию на магнитное поле иизменяют добротность контура, в который подключен виток. Таким образом,25величина добротности, показываемаяизмерителем добротности 2, зависитот концентрации свободных носителейзарядов в полупроводнике. Затем вихревые токи усиЛивают лучом света,падающим на полупроводник. от сканирующего .источника 4 света.Устройство работает следующим образом.При освещенииполупроводника 3 врезультате внутреннего Фотоэффектавозникают избыточные свободные носители заряда. Увеличение концентрациисвободных носителей зарядов усиливает вихревые токи, что, как было описано выше, изменяет добротность катушки. Усиление вихревых токов осуществляют в локальных областях. Лучсвета сканирует поверхность полупроводника 3. Там,...

Номер патента: 535608

Опубликовано: 15.11.1976

Авторы: Аболтинь, Дзилюмс

МПК: H01G 7/00

Метки: конденсатор, полупроводниковый

...полей, а также появления избыточных носителей тока в полупроводнике. етение отнооится к области радиотехчастности к конструированию полу- иковых конденсаторов.тны полупроводниковые ,конденсатоержащие слои полупроводника, дика, металла и выводы.о, известные конденсаторы облад тельным по ширине диапазоном и м кости.изобретения - расширение диапазона ия емкости конденсатора - доститаетчто полупроводниковый слой расположду металличеакими слоями, разде- и диэлектриком, а выводы подсоедиполупроводниковому слою. ают змеормула изобретения водниковый конден полупроводника, д тводы, отличающ расширения диапа конденсатора, пололожен между азделенными диэле соединены к полу Полупрощий,слоиталла и вьс цельюемкостислой ра,спслоями, рводы...

Номер патента: 451132

Опубликовано: 25.11.1974

Авторы: Аболтинь, Дзилюмс

МПК: H01F 21/08

Метки: индуктивности, катушка, переменной, управляемая, электрически

...также дополнительные катушки, управляющие изменением индуктивности.Цель изобретения - упрощение конструкции путем исключения использования сер, дечников и дополнительных обмоток управ ления,Это достигается тем, что вблизи катушки индуктивности располагается детальиз полупроводникового материала, напри- мер, в форме пластины, через которую про-ф пускается электрический сигнал определе ной величины и закономерноОти изменения.На чертеже изображена предложенная катушка.Катушка индуктивности содержит об. мотку 1, размещенную в каркасе 2 и снабженную выводами 3, служащими для подключения катушки индуктивности в необходимую схему. Вблизи катушки индуктивности расположена деталь 4 из полупроводникового материала, выполненная, например, в форме...

Номер патента: 313071

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Григулис, Дзилюмс, Эриньш

МПК: G01B 7/06

Метки: покрытия, приборов, толщины, эталонирования

...приборов для контолщины покрытия, заключающийся в то токовихревой датчик прибора распот над основой и производят соответстие регулировки электрических режимов ях прибора, отличающийся тем, что, с повышения точности эталонирования, арительно до регулировки на основу намаксимальную толщину покрытия. О троля том, ч лагаю вующ в цеп целью предв носят рисоединением заявки, К, Григулис, Э. П, Эринып зико-энергетическии институ Изобретение относится к контрольно-измерительной технике.Известен способ эталонирования приборов для контроля толщины покрытия на металлической основе, заключающийся в том, что токовихревой датчик прибора располагают над основой и производят соответствующие регулировки электрических режимов в цепях прибора....