Способ электролитического осаждения пленок на основе магнитотвердых сплавов

Номер патента: 496335

Авторы: Хансюрген, Хельмут

ZIP архив

Текст

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДНИЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспубликс присоединением заяв 31) МРС 236/1605 ооударстоонный ноетеСоната Инннстров СССРно дамам нзобретоннйн открытнй) УДК21. 3 57.7 6(088 5) Дата опубликован нсания 13 Р 476 Авторы изобретениы Хансюрген Мюдл ер- иттман пышут Енч н ное предприятиер Виссеншафтен Дер ДДРГДР(54 Б ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНО НА ОСНОВЕ МАГНИТОТВЕРДЫХ СПЛАВОВк осажрдыхфосфор заплот носза- плотнон- действу о тока ть анодно ть катодн где ка я плот тодного оженный спосушествляют сл образом.ие магнитотве тся и мации получ рдые пле осажден ленкаеют электролитическимушественно на осно соединен Изобретение относится к технологии на,несения покрытий, а именно дениюпленок на основе магнитотве сплавов,преимущественно кобальт - , кобальтникель -фосфорИзвестен способ электролитическогоосаждения пленок на основе магнитотвердых сплавов, преимушественно, кобальт -фосфор, кобальт-никель - фосфор, иа электролита, содержащего хлориды или сульфа-,ты исходных металлов.Однако получаемые известным способоммагнитотвердые пленки обладают малоймагнитной твердостью. Максимально достижимая коэрцитивная сила составляет примерно 800 Э,Остаточная индукция относится к индукции насышения в лучшем случае как 0,6 т 1,С такими магнитными свойствами пленок трудно осушествить плотное накопление информации,Целью изобретения являе овышениеплотности накопления инфор п Для этого в электролит вводят добавку тетраацетата динатрийдигидроэтилендиамина в количестве 2 - 30 г/л и процесс осаж дения ведут при рН 2,5 - 6 с использованием импульсного тока прямоугольной формы с частотой 2-10 1 ц, амплитуда которого изменяется от,отрицательйого до положительного знатения со скважностью импул сов 2-4 по уравнению 1. =Т-где Т - время длительности периода,- время длительности катодного импульса, при действуюшей плотности катодного токаравной 0,5 - 7 А/-м2 и плотности анодного тока т определяемой ин уреннениифН е р е1 та и фосфора или кобальта - никеля - фос фора, на гибкую подложку, в частности наполиэфирную ленту, Для этого покрытуюметаллическим слоем несущую подложкупомешают в электролитическую ванну, содержашую электролит в виде раствора со-,лей металлов.Подложка служит катодом, для чегсее присоединяют металлическим слоем к отрицательному полюсу источника тоха и протягивают через ванну с постояннойскоростью. В электролит добавляют от2 до 30 г/л тетраацетвт динатрийгидроэтилендивмина и поддерживают известнымобразом значение рН в пределах от 2,5до 6.Для электродитического покрытия применяют импульсный ток прямоугольнойформы частотой от 2 до 10 Гц, амплитуда которого изменяется ототрицательных к положительным, значениям, скважность )импульсов,лежащая в пределах от 2 до 4,описывается уравнениемуи)Т-где Т - время длительности периода,- время длительности квтодного 1 и мпульса при действующей плотности ка-2 и 1 тодного токаравной 0,5- 7 А/дм 1 и плотности анодного тока, определяемой иэ уравненияюк т/дД, 2)и-3.Тгде-плотность анодного тока,ф - пдотность катодного тока,- действующая плотность катодного тока.Импульсный ток способствует изменению состояния между катодным покрытием и переносом частиц к аноду, причем оседает тонкий кристаллический слой, создаюший условия для образования необ ходимых магнитных свойств. Изменение частоты, скввжности и действующей или катодной плотности тока оказывает влияние на освждаюшийся слой, изменением тонкого мвгнитотвердого слоя можно добиться максимального значения коэрцитивной силы, отношения оствточчой индукции или оптимального значения обоих парвметров. К электролиту добавляют 10 г/л тетра-ацетагв динвтрийдигидроэтилендиамина иустанавливают значение рН для хлоридныхвани чаще всего равным 3,5, а для сульФфвтных Вани рааиым 5,5,йюаф Целесообразно вести процесс при частоте ог 4 Гц, скважности импульсов не ниже 3, с действуошей плотностью тока не,ниже 1,5 А/дм , Целесообразно вести5 процесс при температре электролитическойванны от 15 до 30 С, оптимальная температура 22 С,Существо изобретения поясняется следующим примером.10 Обмедненную с одной стороны полиэфирную пленку шириной около 6 мм помешаютв электролитическую ванну. Присоединяяськ отрицательному полюсу источника тока,она служит катодом.ф Электролит имеет следующий состав:100 г/л Со 80 . 7 Н О чистая450 г/л Я 16030 г/дйаН РО, Н О 2 2 225 г/л (ЙН 4) 6 О10 г/л тетраацетатв динатрийдигидроо,.метилендиаминв и температуру 20 С, Значение рН устанавливают равным 5,5.В качестве источника питания применяют прибор с электронной стабилизациейпо току, выдающий прямоугольные отрицательный и положительный импульсы. ИмпульсЗОный ток имеет частоту 4 Гц и скввжчостьс отношением 4: 1. Действующую плотностьтока выбирают равной 1,5 А/дм 2, а катодную плотность равной 10,5 А/дм, По2уравнеппо (2) устанавливают плоуость 3анодного токаравной 34,5 А/дм . Послевключения импульсного тока лента непрерывно со скоростью 23,4 см/мин протягивается через ванну. При этом нв обмедненную подложку осаждается слой соединения 40кобальт- никель- фосфор толщиной 0,1 мкм,Этот слой имеет коэрцитивную силу, равную 1530 Э, и отношение остаточной индукции, равное 0,76, При нанесении покрыъ 43тия при помощи постоянного тока из тако 1 го же электролита осаждается слой с коэрцитивной силой, равной 800 Э, при отношении остаточной индукции, рави м 0,6.60Формула изобретенияСпособ электролитического осажденияпленок на основе магнитотвердых сплавов, преимущественно кобальт - фосфор, кобальт - никель - фосфор, из электролита, содержащего хлориды и сульфаты исходных металлов, о т л и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью повышения плотности накопления информации пленка:1 и, в элеигролит вводят добавку тетраацетата пииатрийдиизл. м 1/ф тнрви Ф 66 попнсное Заказ 2601 ИИИИПИ Г ос 1 дарственного комитета Совета Министров СССР ио делам изобретений и открытий Москва, 11303, Раушская наб., 4 филиал ГГ 1 Г 1 Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 гидроэтиленпиамина в количестве 2-30 г/л и процесс осаждения вед 1 т при рН 2,5- 6 с испольэованием импульсного тока прямоугольной формы с частотой 2 - 10 Ги, амплитуда которого изменяется от отрицательного до положительного значения со схважиостью импульсов 2 - 4 по уравнениюМУТ-где Т - время длительности периода,- время длительности катодного импульса при действующей йлот-Г . ности катодно 2 го тока 4 вной0,5-7 А/дм т и плотности анод-ного тока, определяемой из уравнения б Х ,: - "ф - "Ефп 3,Т где 1 -плотность анодного тока,.И И 1 - действуюшая плотность катодЙ ного тока.

Смотреть

Заявка

1877321, 26.01.1973

АКАДЕМИ ДЕР ВИССЕНШАФТЕН ДЕР ДДР

ХАНСЮРГЕН МЮЛЛЕР-ДИТТММАН, ХЕЛЬМУТ ЕНЧ

МПК / Метки

МПК: C23B 5/32

Метки: магнитотвердых, осаждения, основе, пленок, сплавов, электролитического

Опубликовано: 25.12.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-496335-sposob-ehlektroliticheskogo-osazhdeniya-plenok-na-osnove-magnitotverdykh-splavov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ электролитического осаждения пленок на основе магнитотвердых сплавов</a>

Похожие патенты