Тиристор

Номер патента: 1749953

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Виноградов, Дехтяр, Казакова, Савваитова, Сагалович

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, кремнии, примеси

...первому облучению образца при его одновременном линейном нагреве . до 300 С получена информация о точечных и структурных дефектах поверхности, в том числе и свободных связях, т.е. облучение светом с энергией фотона выше фотоэлектрической, работы выхода электрона, но ниже энергии связи кремний - водород позволяет освободить электроны, ток которйх изменяется с ростом температуры, при этом связи кремний - водород не нарушаются.Благодаря охлаждению образца до начальной температуры, при которой образец облучают светом с энергией фотона, равной .энергии разрыва связи кремний - водород, выделяется водород и образуется большое количество оборванных свободных связей. Благодаря третьему облучению образцапри линейном нагреве до ЗОООС...

Номер патента: 1756827

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Изидинов, Назаров, Разяпов

МПК: G01R 1/00

Метки: анализа, вторично, ионного, количественного, кремния, лазерного, масс-спектрометрического, образцов, основе, поверхности, примесей, создания, сравнения, структур

...и (2)величинами концентрации примеси в интервале 10-10 5 мас.0 в исходном расгворе.Предлагаемый способ характеризуютследующие свойства:простота операций, общедоступностьлабораторного оборудования и оснасткидля создания ОС;простота и точность регулирования впределах не менее 4 порядков содержайиястандартизируемого элемента-примеси;возможность высокой точности прогнозирования содержания примеси и направлейного его изменения на основе простогосоотношения, параметры которого мотутбыть найдены путем простых расчетоввследствие высокой восп роизводймостисвойств матрицы из СПК;тонкая структура и равномерное распределение микропор (обусловливает равномерное распределение примеси пообъему СПК);большая толщина СПК (100 - 200 мкм);что позволяет...

Номер патента: 1526514

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова

МПК: H01L 21/66

Метки: кремнии, примесей, профиля, распределения

Способ определения профиля распределения примесей в кремнии, основанный на измерении С-V-характеристик с использованием переменного тестового сигнала при послойном анодном растворении кремния и определении концентрации примеси по калибровочной зависимости минимальной емкости от концентрации после каждого этапа анодного растворения, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона определяемых концентраций примеси в сторону больших значений, измерение C-V-характеристик производят при частоте тестового сигнала в пределах 10 - 40 Гц.

Номер патента: 1400376

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Локтаев, Нисневич, Пайвель

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, источника, кремний, пленкообразующих, поверхностного, приготовления, примесей, растворов

Способ приготовления пленкообразующих растворов для получения поверхностного источника диффузии примесей в кремний, содержащих органический растворитель, воду, катализатор гидролиза тетраэтоксисилана, соединения легирующих примесей и тетраэтоксисилан, включающий растворение части компонентов, включая тетраэтоксисилан; гидролиз тетраэтоксисилана и растворение оставшихся компонентов в растворе гидролизованного тетраэтоксисилана, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров диффузионных слоев за счет повышения вязкости растворов, раствор гидролизованного тетраэтоксисилана перемешивают, нагревая до температуры 50 - 90oC, пока его объем не уменьшится в 1,2 - 2,5 раза.

Номер патента: 2004313

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Ремизов, Сула, Чеков

МПК: B01D 53/02, G05D 27/00

Метки: адсорбента, адсорбционно-десорбционного, газа, примесей, процесса, регенерации, термовакуумной, циклического

...Текущая информация о параметрах, характеризующих адсорбционно-десарбционный процесс,. с аналого-циФровых преобразователей: 9 с заданной частотой регистрации поступает в ЭВ ".110 и загисываетсл в файл тг;ущих данных 11. Длл каждого адсарбера системы очистки арганизуетсясвай Файл, куда записывается инФормация а текущем режиме десарбции и предшествующем ему режиме адсорбции и таким образам фармируетсл массив образной базы данных 12, В блоке формирования диагностических образов 13 по извлекаемой из базы данных 12 инфар 200431351015 речисленной комбинаций параметров, 20характеризующих ход адсорбционно-десорбционного процесса в каждом из адсорбе 3035 При неизменных управляющих воздействиях, например, когда темп разогрева ад сорбента...