H01L 11/00 — H01L 11/00

Номер патента: 464033

Опубликовано: 15.03.1975

Авторы: Карцо-Сысоев, Чашников, Шуман

МПК: H01L 11/00

Метки: тиристор

...база выполнена на основе кремния р-типа с концентрацией акцепторной примеси 10" - 104 см в , а узкая база, по которой осуществляется управление, выполнена и-типа путем диффузии донорной примеси с поверхностной концентрацией 10" - 10" см - . Лавинная инжекция, являясь самым быстрым механизмом переключения тиристоров, в структурах с высокоомной базой р-типа осуществляется при меньших напряжениях и на большем участке переходной характеристики, чем в структурах с высокоомной базой и-типа. Поэтому такие структу, ры обладают меньшим временем нарастаниятока (временем включения). Тиристоры с высокоомной р-базой при прочих равных параметрах имеют длительность переходного процесса включения в 2 - 3 раза меньшую, чем тиристоры с...