Одобецкий

Номер патента: 1688375

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Одобецкий, Осадчук, Паламарчук, Семеренко

МПК: H03B 5/00, H03C 3/36

Метки: автогенератор, оптически, управляемый

...3 иэ-за отсутствия пастаяннога смещения на стов полевого фатотранзистора 6, т,е, тянущего поля в структуре исток - сток. Изобретение относится к радиотехникеи может быть использовано для полученияуправляемых по частоте гармонических колебаний,Цель изобретения - расширение диапазона перестройки частоты.На чертеже представлена структурнаяэлектрическая схема оптически управляемого автогенератора,Оптически управляемый автогенератор 10содержит регулируемый источник оптического излучения 1, автогенератор 2 на активном элементе, оптически управляемыйдвухполюсник 3, источник управляемого постояннога напряжения 4, конденсатор 5, полевой фатотранэистар 6, автогенератар 2содержит блокировэчные катушки индуктивности 7, 8, конденсаторы 9,...

Номер патента: 1610334

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Новиков, Одобецкий, Панибрацкий, Старовойтов

МПК: G01L 21/10

Метки: вакуумметр

...излучения на выходе волоконного световода 4 в эквивалентное приращение емкости р+- и-р+структуры канала, Генератор гармонических колебаний выполнен на основе двухзатворного транзистора 7, вкотором первая катушка 13 индуктивности совместно с конденсаторами 8,9 и 10, а также емкостью канала Фототранзистора 6 образует колебательныйконтур, резисторы 15-17 задают режим"работы полевого двухзатворного транзистора 7 по постоянному напряжению,вторая катушка 14 индуктивности обеспечивает развязку источника 5 питанияпреобразователя (не показан) и высокочастотного сигнала на стоке двухзатворного транзистора 7, пятый конденсатор 12 служит для выделения переменного напряжения на выходе вакууммета, второй конденсатор 9 предотвращает воздействие...

Номер патента: 1599683

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Новиков, Одобецкий, Осадчук

МПК: G01L 11/00

Метки: давления

...12 и 13 рабтают в режиме высокочастотного смещения (цепи питания по постоянному току и напряжению отсутствуют). Они включены в тракт распространения СВЧ сигнала. Под действием оптического излучения изменяется их реактивное сопротивление, что в рассматриваемой схеме их включения позволяет преобразовать интенсивность излучения в фазовый сдвиг сигналов. Начальный фазовый сдвиг на входе регистрирующего устройства 18, вызванный различной интенсивностью излучения на выходах первого и второго волоконных световодов 10 и 11, устраняется выбором длины и волнового сопротивления 15 линии 16 согласования. Изменение давленияв измерительной камере 1 вызывает изменение прогиба мембраны 4, следствием чего является изменение деформации...

Номер патента: 1594356

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Волынец, Одобецкий, Осадчук, Стронский

МПК: G01J 1/44

Метки: фотопреобразователь

...емкости. МДП-транзистор 4 в схеме гетеродина-смесителя 2 включен аналогичным образом и выполняет при этом функцию термокомпенсирующего элемента, для чего его характеристики выбираются идентичными МДП- фототранзистору 3. Первая катушка 21 индуктивности и третий конденсатор 9 в цепи первого двухзатворного МДП-транзистора 5 образуют колебательный контур, резонансная частота которого зависит от величины эквивалентной емкости МДП-фототранзистора 3 и определяет выходную частоту измерительного генератора 1. Резисторы 28 - 30 предназначены для задания режима по постоянному напряжению первого двухзатворного МДП-транзистора 5. Пятый конденсатор 11 и третья катушка 23 индуктивности образуют резонансный контур для выделения разностной...

Номер патента: 1525507

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Новиков, Одобецкий, Осадчук

МПК: G01L 11/00, G01L 11/02, G01L 21/10 ...

Метки: вакуумметрический

...на основе реактивного МДП-Фототранэистора 11, связанногос выходом генератора высокой частоты8 (фиг,3), Кристалл легированного полупроводника 5 (например,арсенида галлия) может иметь диаметр порядка 1 мм 40и толщину,0,01-1 мм, слой металла 10(например.алюминия) толщиной 0,1 мкм,Соединение световодов 3 и 4 с кристаллом 5 может быть выполнено с помощью эпоксидной смолы, либо оптичес" 45кого клея,Устройство работает следующим образом.Кристалл легированного полупроводника разогревается током источника 7.и имеет температуру, зависящую от из"меряемого давления в объеме 6, С повьппением температуры кристалла 5 сме"щается полоса фундаментального поглощения в сторону длинных волн, Поэтому при определенной интенсивностиизлучения источника 1 на...

Номер патента: 1511601

Опубликовано: 30.09.1989

Авторы: Одобецкий, Осадчук, Яремчук

МПК: G01J 1/44

Метки: датчик, излучения, оптического, теплового

...контур, образо;ванный параллелыым соединением перехода сток в ист реактивного МДП-фототранзистора 3 и фотодиодов 1 и 2, находится под воздействием определенного фиксированного значения теплового (оптического) излучения, в результате чего на выходе источника 10питания имеется напряжение определенной величины, которому соответствует определенная активная проводимость первого 1 и второго 2 фотодиодов реактивного МДП-фототранзистора3 и МДП-транзистора 4, а на выходедатчика присутствуют гармоническиеколебания, определяемые резонанснойчастотой укаэанного измерительногоколебатепьного контура, которая, всвою очередь, зависит от начальныхзначений эквивалентной индуктивностиперехода исток - сток реактивногоМДП-фототранзистора 3 и емкости...

Номер патента: 1511600

Опубликовано: 30.09.1989

Авторы: Одобецкий, Осадчук

МПК: G01J 1/44

Метки: излучения, регистрации

...5 выЬран таким, что генерируемая Фотоприемником 1 постоянная составллющал Фото-ЭДС практически не поступает на вход регистрирующего 40 прибора 6, следствием чего являетсл отсутствие полезной информации на выходе устройства. В последующий момент времени в измеряемом потоке излучения, поступающем на вход фотоприемника 1, помимо постоянной составляющей появляется переменная составляющая, обусловленная модулированным определенной частотой информационным световым потоком (причем частота модуляции превышает предельную частоту ге 50 нерации реактивного ИДП-фототранзистора 2), что приводит к появлению переменной составляющей электрического сигнала в цепи Фотоприемника 1, частота изменения которой равна резонанс ной частоте...

Номер патента: 1451559

Опубликовано: 15.01.1989

Авторы: Одобецкий, Осадчук, Яремчук

МПК: G01K 11/20, G01K 7/01

Метки: температуры

...с резкимир-п,переходами (в линейных переходахнапряжение инверсии зависит от частоты переменного сигнала), однакопри этом необходимо экспериментальноопределить температурную зависимостьхарактера реактивности и построитьграфик, аналогичный графику на фиг,2.Все элементы устройства для измерения температуры стандартны. Дляего практической реализации можнорекомендовать следующий комплектаппаратуры: светодиоды АЛ 102 В, генератор высокой частоты Г 4-106, источник напряжения П 36"4, резисторыИЛТ (номиналы выбирать в соответствии с вышеизложенными принципами),конденсатор 0,1 мкФ, катушка индук-тивности,10 мГ.Устройство работает следуюшимобразом.Пусть в начальный момент временисветодиоды Р- Р и находятся в контролируемом объеме 3 при...

Номер патента: 1448221

Опубликовано: 30.12.1988

Авторы: Одобецкий, Осадчук, Яремчук

МПК: G01K 7/22

Метки: температур, экстремальных

...на фиг.2,Все элементы датчика экстремальныхтемператур стандартны. Для его практической реализации можно использовать следующий комплект аппаратуры:светодиод АЛ 102 В, генератор высокой частоты Г 4-106, источник управляющего напряжения П 36, конденсатор0,1 мкф, катушку индуктивности10 мГн.Устройство работает следующим образом.Пусть в начальный момент временисветодиод 1 находится в термостатируемом объеме 2 при некоторой начальной температуре Тн, которой соответствует напряжение инверсии П(согласно фиг.2), На выходе генератора 3имеются колебания определенной частоты. Для определенности предположим, что на светодиоде 1 с помощьюисточника 6 управляющего напряжениязадано напряжение Бдц которозусоответствует температура Т ;...

Номер патента: 1406667

Опубликовано: 30.06.1988

Авторы: Одобецкий, Осадчук

МПК: H01P 1/18

Метки: фазовращатель

...содержит первый и Второй отрезкии 2 полосковой линии, первый, второй и третий ргп-диоды 3, 4 и 5, транзистор 6, резистор 7, источники 8, 9 и 10 света, упрдвляк)щие параметрами первого, Второго и третьего р 1 п-диодов 3, 4 и 5.Фдлоцращатель работает следую(цим об. рдзоч.Б 11(рвыЙ ОтрезокВВОдится КОлебд. ци, которое, пройдя еп, (росту)гает цд эчцтгер трдц ситора 6. д с коллектора тр;или- тора 6 Во второй отрезок 2 и ддле цд выход. 1 ри этом цд Выходе ко)гес)лис цри(ИртаЕт Оцрсдс.(ццЫй фаЗОВЫй С.(ВИГР и ЦЗ МЕЦЕЦ ЦЦ ИГГЦ(.И ВЦОСтИ ИСтОЧ НИКОВ 8, 1 и 111 цлчццк) я параметры первого, второго и тргьего рп-,(иодов 3, 4 и 5 и, КДК СЛДСГВИ, ИЛМЕЦЯКГСЯ ЧОДУЛИ И фДЗЫ кодффицицтОВ передачи первого и Второго О) р кон 1 и 2 и...

Номер патента: 1385241

Опубликовано: 30.03.1988

Авторы: Одобецкий, Осадчук, Яремчук

МПК: H03C 3/12

Метки: гармонических, генератор, колебаний, управляемый

...эмиттерно-базового перехода транзистора 1, его активной и реактивной составляющих и одновременно проводимости фотодиода 2, что приводит к возрастанию реактивной составляющей полного сопротивления, которая имеет индуктивный характер при правильном выборе транзистора 1 (по его граничной частоте усиления), и ученьшение активной за счет шунтирующего эффекта фотодиодной структуры. В результате этого повышается добротность индуктивного элемента. Результатом этих изменений является повышение колебаний синусоидальной формы начальной максимальной частоты в колебательном контуре, затуханию которых препятствует цепь обратной связи: коллектор транзистора 1 - резистор.14 коллекторной цепи - конденсатор 15, и которые поступают на выход...

Номер патента: 1383111

Опубликовано: 23.03.1988

Авторы: Одобецкий, Осадчук, Яремчук

МПК: G01K 11/12

Метки: температуры

...устройства образован стоком 20 фототранзистора 6 и общей шиной,Устройство работает следующим образом.В начальный момент времени на выходе источника 3 управляющего напря жения имеется начальное напряжение определенной величины, которому соответствует определенная интенсивность излучения источника 2 излучения, а на выходе СВЧ-генератора 5 имеются 30 СВЧ-колебания определенной частоты. Излучение от источника 2 излучения проходит по волоконному световоду 1 (центральная часть которого, например, находится при комнатной температуре) и попадает на регистрирующий блок 4, вызывая тем самым начальное изменение полного сопротивления фототранэистора 6 и, как следствие, наблюдаемый на выходе устройства начальный фазовый сдвиг. Изменение (повьппение)...

Номер патента: 1383110

Опубликовано: 23.03.1988

Авторы: Одобецкий, Осадчук, Яремчук

МПК: G01K 7/01

Метки: температуры

...излучения термодиода 1зависит от температуры окружающейсреды, следствием чего является наличие определенного светового потока, передаваемого на регистрирующийблох 4, а именно на фототранзистор 4.Этому световому потоку соответствуетопределенная начальная резонанснаячастота колебательного контура, образованного вторым конденсатором 7и эмиттер-базовым переходом фототранзистора 4, и колебания определеннойчастоты на выходе оптически перестра иваемого генератора 3. Изменение (повышение) температуры окружающей среды вызывает изменение (уменьшение) интенсивности излучения термодиода 1, следствием чего является изменение (уменьшение) реактивной составляющей полного входного сопротивления фототранзистора 4, которая имеет индуктивный...

Номер патента: 1381344

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Одобецкий, Осадчук, Яремчук

МПК: G01K 7/01

Метки: датчик, температур, экстремальных

...Изменение (повышение) температуры вызывает изменение (увеличение) напряжения в базовой цепи термочувствительного СВЧ-транзистора 2 (фиг. 2, 1.11 - 11) за счет изменения (увеличения) обратного тока эми гтер-базового перехода СВЧ-транзистора 1, следствием чего является перемещение (А -+А фиг. 2) рабочей точки на вольт-амперной характеристике туннельного диода 3. При достижении температурой заданного значения (на фиг. 2,точка А) устройство оказывается в состоянии неустойчивого равновесия. Любое последующее изменение (повышение) температуры вызы 20 25 30 Формула изобретения 5 10 15 35 40 45 50 вает скачкообразное перемещение рабочей точки туннельного диода 3 (А-Б) за счет дальнейшего изменения (увеличения) напряжения в базовой цепи...

Номер патента: 1277253

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Одобецкий, Осадчук

МПК: H01F 1/18

Метки: фазовращатель

...Москва, Ж-,.35, Раушская наб д. 4/5 Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в устро"ствах, где необходим регулируемыйфазовый сдвиг.Цель изобретения - расширениеполосы рабочих частот и увеличениестабильности фазового сдвига.На чертеже приведена структурнаяэлектрическая схема предложенногофазовращателя,Фазовращатель содержит источник1 управляющего напряжения, источник2 излучения управляемой интенсивности, ри-фотодиод 3, транзистор 4,резистор 5 и конденсатор 6.Фазовращатель работает следующимобразом. Увеличение напряжения источника 1 управляющего напряжения увеличивает интенсивность излучения источника 2 излучения управляемои...