Полупроводниковый ключ

О П И С А Н И Е пц 437221ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоваесюаСоциалистических Респубпик(51) М. Кл. Н 031 с 17/60 Государственный комитет Совета Министров СССР ео делам нзооретеннй и открытий(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЯ КЛЮЧ Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в дискретных фазовых устройствах и в системах многоканальной связи для коммутации высокочастотных синусоидальных и импульсных сигналов в электрических цепях.Известны полупроводниковые ключи, содержащие последовательно соединенные эмиттерные повторители, причем база транзистора первого эмиттерного повторителя подсоединена к шине питания через два последовательно соединенных резистора, и схему коммутации сигнала, состоящую из коммутирующего транзистора и сложного инвертора, выполненного на двух транзисторах, коллекторы которых через резисторы соединены с шиной питания, эмиттер первого транзистора через диод соединен с базой второго транзистора сложного инвертора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а между базой и эмиттером второго транзистора сложного инвертора включен резистор, при этом коллектор коммутирующего транзистора подсоединен к базе транзистора второго эмиттерного повторителя, эмиттер подсоединен к общей шине, а база - к коллекгору второго транзистора сложного инвертора,Однако известные ключи характеризуются недостаточной температурной компенсацией,Целью изобретения является улучшение температурной компенсации,Для этого база первого транзистора сложного инвертора подключена к точке соединения двух резисторов, включенных между базой транзистора первого эмиттерного повторителя 5 и шиной питания.Изобретение пояснено чертежом.На чертеже приведена принципиальная электрическая схема ключа.Полупроводниковый ключ содержит схему 10 прохождения сигнала, выполненную на транзисторах 1 - 3, включенных по схеме эмиттерных повторителей, и схему коммутации сигнала, состоящую из коммутирующего транзистора 4 и сложного инвертора, выполненного 15 на транзисторах 5, б и диоде 7. Режим работы транзисторов задается резистор а ми 8 - 17.Полупроводниковый ключ работает следую щим образом,При подаче на сигнальный вход синусоидального или импульсного сигнала, а на вход управления - высокого уровня напряжения транзисторы 5 и б открыты, а транзистор 4 за крыт и входной сигнал проходит через транзисторы 1 - 3 на выход.При подаче на вход управления низкогоуровня напряжения транзисторы 5, 6 закрываются, а транзистор 4 открывается и шунти рует базовую цепь транзистора 2, что приво437221 Предмет изобретения Составитель А. Шевьевктор А. Зиньковскнй Техред А. Дроздова Корректор А. Степанов Заказ 3446/18ЦНИИП Лоз 109венного комитет лам изобретений , Ж, Раугпска ПодписноеСР Тираж 811Совета Министроткрытийнаб., д. 4/5 Изд сударс по д Москвпография, пр. Сапунова,дит к запиранию транзистора 2 и, соотвегственно, транзистора 3.В этом случае входной сигнал не проходит на выход ключа.Температурная компенсация выходного сигнала осуществляется за счет трех температурно-зависимых элементов р - п-переходов база - эмиттер транзисторов 5, 6 и диода 7. Полупроводниковый ключ, содержащий последовательно соединенные эмиттерные повторители, причем база транзистора первого эмиттерного повторителя подсоединена к шине питания через два последовательно соединенных резистора, и схему коммутации сигнала, состоящую из коммутирующего транзистора и сложного инвертора, выполненного на двух транзисторах, коллекторы которых через резисторы соединены с шиной питания, эмиттер первого транзистора через диод соединен с базой второго транзистора сложного инвер тора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а между базой и эмиттером второго транзистора сложного инвертора включен резистор, при этом коллектор коммутирующего транзистора подсоединен к базе транзистора 10 ьторого эмиттерного повторителя, эмиттер подсоединен к общей шине, а база - к коллектору второго транзистора сложного инвертора, отличающийся тем, что, с целью улучшения температурной компенсации, база первого 15 транзистора сложного инвертора через резистор подключена к точке соединения двух ре зисторов, включенных между базой транзистора первого эмиттерного повторителя и шиной питания.