Сложный инвертор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 537446
Авторы: Осинский, Тявловский
Текст
Сома Советских Социалистических Республик(51) М. Кл,- Н заявки осударствеииыи комитет света Министров СССР(23) ПриоритетОпубликовано 30,11,76. Бюллете 621,382 (088.8) 4 по делам изобретений и открытийписания 02.12.76 ата опубликования Авторыизобретен В. И, Осинский и К. Л. Тявловски(71) Заявитель ники АН Белорусской ССР ститут эл 54) СЛОЖНЫЙ ИНВЕРТО в предлагаем чающий диод но с выходны включен меж анзистора и иго 3Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике.Известны сложные инверторы, содержащие входной и два выходных транзистора, база первого из которых соединена с коллектором, а база второго с эмиттером входного транзистора.Известные сложные инверторы имеют сравнительно небольшое быстродействие.Целью изобретения является увеличение 10 быстродействия инвертор а.Это достигается тем, что ый инвертор введен оптрон, излу которого включен последователь ми транзисторами, а фотодиод ду 15 базой второго выходного тр общей шиной.На чертеже изображена схема предлагаемого сложного инвертора с логическим элементом, например многоэмиттерным транзис тором 1 с выходами 2, выход которого соед нен с базой входного транзистора 3 сложно инвертора. Эмиттер входного транзистора соединен с базой второго транзистора 4, а коллектор транзистора 3 соединен с базой 25 первого выходного транзистора 5. Излучающий диод 6 включен последовательно с выходными транзисторами 4 и 5, а фотодиод 7, образующий с излучающим диодом 6 оптронную пару, включен между базой транзистора 4 30 и общей шиной. Резистор 8 служит для ограничения тока выходных транзисторов 4 и 5. Выходом 9 сложного инвертора является место соединения коллектора транзистора 4 и катода излучающего диода 6,Работа инвертора заключается в следующем,Если хотя бы на один из входов 2 логического элемента действует низкий уровень напряжения, то многоэмиттерный транзистор 1 открыт, транзисторы 3 и 4 закрыты, а транзистор 5 открыт. Ток через излучающий диод 6 мал, и сопротивление фотодиода 7 велико. Логический элемент выключен, а напряжение на его выходе 9 соответствует высокому уровню. Таким образом логический элемент выполняет функцию И - НЕ, Для включения элемента необходимо, чтобы на все входы 2 был подан высокий уровень напряжения. При этом многоэмиттерный транзистор 1 переходит в инверсную область, транзисторы 3 и 4 открываются, а транзистор 5 закрыт. На выходе схемы устанавливается низкий уровень напряжения. Таким образом, логический элемент выполняет функцию И - НЕ. Как во время, переходного процесса включения логического элемента, так и во включенном состоянии ток через излучающий диод 6 остается мал, а сопротивление фотодиода 7 велико. Поэтому весь эмиттерный ток транзистора 3 течет в ба
СмотретьЗаявка
1999361, 15.02.1974
ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОНИКИ АН БЕЛОРУССКОЙ ССР
ОСИНСКИЙ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ, ТЯВЛОВСКИЙ КОНСТАНТИН ЛЕОНИДОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H03K 19/40
Опубликовано: 30.11.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-537446-slozhnyjj-invertor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сложный инвертор</a>
Схема смещения перехода база-эмиттер транзистора
Номер патента: 586858
Опубликовано: 30.12.1977
Автор: Адель
МПК: H03F 3/34
Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора
...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...
Инвертор на транзисторно-транзисторных логических элементах
Номер патента: 645280
Опубликовано: 30.01.1979
Авторы: Махарадзе, Сургуладзе
МПК: H03K 19/00
Метки: инвертор, логических, транзисторно-транзисторных, элементах
...обрВ момент включения питания, евходную шину 13 не подано управлянапряжение, транзистор 1 заперт, а нзу транзистора 7 подается запирающилевой потенциал, Емкость нагрузкижается через резистор 10 и транзистоткрытое состояние которого поддержется током, поступающим в базу тратора 5 через резистор 3 от источниктания, При этом диод 8 заперт, так каанод оказывается под отрицательнымтенциалом по отношению к катоду.После заряда емкости нагрузки наде 9 устанавливается высокий потенциЗО если нагрузка не имеет активной со3ляющей, схема практически не потребляетмощности.При поступлении на входную шину 13положительного импульса транзистор 1 отпирается, и потенциал его коллектора начинает уменьшаться. Наступает момент,когда переходы эмиттер -...
Однофазный инвертор с самовозбуждением
Номер патента: 1427527
Опубликовано: 30.09.1988
Автор: Самосейко
МПК: H02M 7/515
Метки: инвертор, однофазный, самовозбуждением
...18 от источника питания через дроссель 12, резистор 13, резистор 17, диоды 7-10 до нап; 1 жения при котором ток, про" текающий по управляющему. электроду не достигнет значения, достаточного для включения тиристора 14. После включения тиристора 14 конденсатор 18 .разряжается через диод 16 и тиристор 4,а в управляющие электроды тиристоров 1-4 поступает импульс тока от"источника питания по цепи; дцоссель 12, - резистор 13 - тиристор 14- диоды 7-10. При этом открываютсятиристоры 4 и 3, после отпирания кото-;рых в цепи тиристора 4 прикладывает" ся отрицательное напряжение конденсатора 5 и он закрывается.Конденсатор 5 перезаряжается от источника питания через дроссель 12, тиристоры 3 и 4. После перехода напряжения на конденсаторе 5...
Логический элемент на нормально открытых полевых транзисторах
Номер патента: 1530059
Опубликовано: 15.09.1994
Авторы: Адамов, Кравченко, Соляков, Хлыбов, Щетинин
МПК: H03K 19/094
Метки: логический, нормально, открытых, полевых, транзисторах, элемент
ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ НА НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ с барьерным переходом, состоящий из входного инвертора, содержащего включенные последовательно между общей шиной и шиной положительного напряжения питания первый переключающий транзистор, затвор которого соединен с входом логического элемента, и первый нагрузочный транзистор, и выходного истокового повторителя, содержащего включенные последовательно между шинами положительного и отрицательного напряжений питания второй переключающий транзистор, затвор которого соединен со стоком первого переключающего транзистора, диоды сдвига уровня выходного сигнала и второй нагрузочный транзистор, сток которого соединен с выходом логического элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения...
Устройство для защиты параллельно включенных транзисторов
Номер патента: 711656
Опубликовано: 25.01.1980
Автор: Девонисский
МПК: H02H 7/10
Метки: включенных, защиты, параллельно, транзисторов
...из-за отсутствия защиты при простое переходов коллектор-база транзисторов.Целью изобретения является повышение надежности.Это достигается тем, что, устрой ство для защиты снабжено дополнительными предохранителями, включенными в цепи баз транзисторов. Принципиальная схемприведена на чертеже.Устройство состоит из пано включенных триодов 1, вэмиттеров которых включеныпредохранители 2, а в цепьтриодов включены плавкие пртели, 3,При нормальном состоянии элементсхемы все полупроводниковые триодывключены параллельно. Плавкие предохранители 2 выполняют роль сопротивлений, улучшающих равномерностьраспределения тока между триодами.5 При выходе из строя любого изтриодов 1 происходит либо обрыв цепи, либо короткое замыкание междуцепями, что...
Предыдущий патент: Адаптивный дельта-модулятор с автоматической установкой шагов квантования в холостом канале
Следующий патент: Реверсивный счетчик импульсов
Случайный патент: Головка для плоской обработки поверхностей