Способ контроля за распределением примеси в холодных ловушках примесей жидкометаллических
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 371617
Текст
371617 ОПИСАНИИ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Саеетских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваМ, Кл. 6 21 с 17 у 00 Заявлено 17,111.1971 ( 1636056/26-25)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 22.11,1973. Бюллетень12Дата опубликования описания 16 У,1973 Комитет по делам изоаретений и открытий при Совете Министров СССР(088.8) Авторыизобретения ф. А. Козлов и Ю, П, Налимов Заявитель СПОСОБ КОНТРОЛЯ ЗА РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ ПРИМЕСИ В ХОЛОДНЫХ ЛОВУШКАХ ПРИМЕСЕЙ ЖИДКОМЕТАЛЛИЧЕСКИХ КОНТУРОВПредмет изобретения Изобретение относится к способам контроля за распределением примеси жидкометаллического теплоносителя в холодных ловушках примесей жидкометаллических контуров.Известные способы контроля за распределением примеси в холодных ховушках по поглощению гамма-излучения требуют предварительной тарировки, а в условиях сложного конструкционного профиля холодных ловушек затруднен выбор точек нулевого отсчета в каждой из контролируемых зон ловушки.Цель изобретения - устранение предварительной тарировки и расширение диапазона плотностей, контролируемых датчиком.Цель достигается путем компенсации интенсивности колл и миров анного пучка гамма- квантов, при которой изменения интенсивности пучка гамма-квантов, прошедшего через ловушку, за счет изменения концентрации примеси в промеряемой зоне компенсируют изменением толщины экрана с известными плотностью и массовым коэффициентом поглощения, помещаемого на пути коллимированного пучка гамма-квантов таким образом, что сигнал ца выходе датчика остается постоянным, и об изменении распределения (концентрации) примеси судят по изменению толщины экрана,На чертеже приведена схема устройства, позволяющего реализовать предлагаемый способ. Устройство содержит блок 1 коллимированного источника, экран 2 переменной толщины, холодную ловушку 3 примесей металлического теплоносителя, датчик 4 с компенсационной 5 схемой измерения.Способ осуществляется следующим образом.Сначала производят последовательные измерения в фиксированных точках ловушки, через которую прокачивается чистый металличе ский теплоноситель, затем по мере накопленияпримеси или ее перераспределения в объеме ловушки проводят повторные замеры в тех же условиях (геометрических и тепловых). При повторных измерениях вырьированием толщи ны экрана добиваются на выходе датчика сигнала одинакового по величине с сигналом, полученным при измерениях в условиях чистого теплоносителя.Разницу толщины экрана при этих измере ниях пересчитывают в изменение концентрации примеси в контролируемой зоне ловушки (при условии, что известны плотности и массовые коэффициенты поглощения материала экрана, теплоносителя и примеси).25 Способ контроля за распределением приме 30 си в холодных ловушках примесей жидкоме371617 Составитель А. Исаев Техред Т. Курилко Корректор Н Аук Редактор И, Орлова Заказ 1324/16 Изд,216 Тираж о 23 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, 5 К, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 таллических контуров по степени поглощения проходящего через ловушку гамма-излучения, отлииаюиийси тем, что, с целью устранения предварительной тарировки метода, расширения диапазона плотностей, контролируемых датчиком с компенсационной схемой измерения, и упрощения выбора точек нулевого отсчета, распределение примеси определяют компенсационным методом, при котором измепение сигнала на выходе датчика за счет изменения концентрации примеси в контролируемой зоне ловушки компенсируют изменением толщины экрана из материала с известными 5 плотностью и массовым коэффициентом поглощения, помещаемого между коллимированпым источником гамма-излучения и корпусом ловушки, и по изменению толщины экрана судят об изменении концентрации примеси,
СмотретьЗаявка
1636056
МПК / Метки
МПК: G21C 17/00, G21C 17/025
Метки: жидкометаллических, ловушках, примесей, примеси, распределением, холодных
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-371617-sposob-kontrolya-za-raspredeleniem-primesi-v-kholodnykh-lovushkakh-primesejj-zhidkometallicheskikh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля за распределением примеси в холодных ловушках примесей жидкометаллических</a>
Способ измерения распределения примесей в тонких пленках
Номер патента: 346663
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: G01N 31/02
Метки: пленках, примесей, распределения, тонких
...заключающийся в активировации нейтронами материала образца поэтапным травлением и измерением активности полученного раствора по отношению к активности образца сравнения,Недостаток известного способа - ограниченное число материалов исследования вследствие трудности контроля травления.Предлагаемый способ дает возможность определить распределение примесей в достаточно тонких пленках 50 А, расширить класс исследуемых материалов и может быть применен при экспериментальном изучении распределения примеси в тонких пленках и многослойных тонкопленочных системах.Процесс измерения заключается в том, что исследуемую тонкую пленку с распределенной в ней примесью помещают в электролитцческую ванну, к емам которой подают напряжение, и измеряя разницу...
Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в кремниевых эпитаксиальных структурах
Номер патента: 1728900
Опубликовано: 23.04.1992
Авторы: Абрамов, Гурова, Макеев
МПК: H01L 21/26
Метки: концентрации, кремниевых, легирующей, примеси, профиля, структурах, эпитаксиальных
...график распределения концентрации носителей заряда+для структур типа и - и - и, иллюстрирующий предлагаемый способ,П р и м е р. Измерение профиля концентрации мышьяка осуществляют на электрохимическом профилометре в кремниевыхструктурах и - и - и, изготовленных методом газофазной эпитаксии. Травление и измерение емкости проводят в стандартнойячейке, состоящей из резервуара для электролита и прижимного устройства, создающего контакт к обратной стороне образца.В качестве электролита используют 2-З ный водный раствор НЕ:НМОз:Н 202=1:1:1,В процессе травления к барьеру Шотткиприкладывают напряжение смещения 1-2В, измеряемая плотность тока травления1-3 мА/см . Измеряют емкость барьераШоттки полупроводник-электролит при напряжении...
Способ локального определения концентрации окрашивающей примеси в кристаллах
Номер патента: 872976
Опубликовано: 15.10.1981
Авторы: Белая, Добровинская, Литвинов
МПК: G01J 1/52
Метки: концентрации, кристаллах, локального, окрашивающей, примеси
...в отдельных точках исследуемоге и нулевого образца пересчитывают по характеристической кривой и определяют значение логарифмов интенсивности нулевого 2 ф 0 и исследуемого образца Вф, Зная отношение 1 ф/1 фо и предварительно построив градуировочную кривую 193 /3910=(с) для образцов с извествеличину отношения,д 3/930 для образцов с известной концентрацией каксуммарного хрома, так и хрома, изоморфко входящего в кристалл, строятградуировочную зависимость 192/фо=,=Г(с) см, черт. Для определения концентрации хрома в исследуемом образцепроводят те же операции, что и припостроении градуировочной кривой.1 о Исследуемый образец и нулевой образецодновременно фотографируют на микроскопе МИМна отражение. На эту жеплевку впечатывают...
Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках
Номер патента: 1499634
Опубликовано: 20.07.1995
Авторы: Абатуров, Елкин, Кротова, Мишук, Плесков, Сахарова
МПК: H01L 21/66
Метки: концентрации, легирующей, полупроводниках, примеси, профиля
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ, включающий формирование контакта к полупроводнику, воздействие на структуру возбуждающим высокочастотным электрическим сигналом и постоянным напряжением смещения и измерение возникающего сигнала отклика, по параметрам которого судят о профиле концентрации примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и разрешающей способности измерения профиля, обеспечения возможности исследования высокоомных полупроводников и упрощения, в качестве возбуждающего сигнала используют амплитудно-модулированный высокочастотный гармонический сигнал тока через образец и измеряют амплитуду сигнала отклика в виде демодулированного напряжения на образце.
Способ определения концентрации глубоких примесей в полупроводниках
Номер патента: 867239
Опубликовано: 07.07.1983
Авторы: Банная, Веселова, Гершензон
МПК: H01L 21/66
Метки: глубоких, концентрации, полупроводниках, примесей
...электронов,и дырок равны и определяются из измеренийб а й = й й,оф р а10ЬМ =М (5)Во Затем определена концентрация заряженных мелких доноров и акцепторов. с помощью стандартных статистических )формул,пойо 9 )й=3 8 10 смпфи ="- =й 8 10 В смр )б 2 -3где п = й екр 8 10 см (для Се:5 Ь)Предлагаемый метод пригоден в случае, когда механизм рекомбинации носителей через глубокие центры является преобладающим, В Се это условие выполняется, если концентрация свобод-з. ных носителей меньше, чем 10 см ,апримесей й -, йа меньше, чем 10 фсм. 20П р и м е р , Определена концентрация глубоких примесей в образце гер 3 -5мания, содержащем 1,310 см сурьмы и1,1 10 сминдия. На фиг. 1 представлена зависимость В(С) полученная для 25этого образца. В точке С = С...
Предыдущий патент: Долговременное запоминающее устройство
Следующий патент: Способ получения электроизоляционного
Случайный патент: Устройство для преобразования кодов с одного языка на другой