Долговременное запоминающее устройство

Номер патента: 321860

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Свердлов

МПК: G11C 11/08

Метки: 0-сзная, ii•, г-ьня, запоминающего, накопитель, устройства, чггпг

...к средним параметрам запоминающих элементов платы. Предмет изобретенияНакопитель запоминающего устройства с 0 непосредственной выборкой, выполцецный ца обретение относится к области запомина.х устройств. Известен накопитель запоминающего устройства с непосредственной выборкой, выполненный на магнитных элементах, например на ферритовых платах, содержащих рабочие и компенсационные элементы, прошитые разрядными проводниками, подключенными к информационным входам усилителей считывания. В этом устройстве разрядный проводник, проходящий через отверстия компенсационных элементов, соединяется с дополнительными входами усилителей считывания. Образованный таким образом компенсационный разряд накопителя имеет те же параметры, что и рабочие...

Номер патента: 575698

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Мартынюк, Самофалов, Харламов

МПК: G11C 11/22

Метки: возбуждения, запоминающего, многовходового, пьезотрансформаторного, элемента

...секции возбуждения 5 запоминающегоэлемента относительно акранирующегоэлектрода 6, который через алемент связи7 например ключевой элемент, подсоединенк шине 8 нулевого потенциала, одновременно прикладываются противофазные импульсы напряжения одновременно прикладываются противофаэные импульсы напряжения,т.е. к электроду 3 прикладывается импульснапряжения положительной полярности 13 ((фиг, 2, ), а к алектроду 4 - импульснапряжения отрицательной полярности Гу(фиг. 2, ). На основании явления обратного пьезоэлектрического эффекта под возьдействием этих импульсов напряжения сегнетоалектрическая пьезокерамика секции5 испытывает импульсную деформацию.Направление и степень деформации участков пьеэокеремики секции возбуждения 5,расположенных...

Номер патента: 466547

Опубликовано: 05.04.1975

Авторы: Дюмин, Сергеев

МПК: G11C 11/02

Метки: запоминающего, запоминающий, накопителя, трансформатор, устройства

...бортика секции расположены по два опорных выступа 10, за которые при намоткезацепляется провод выходной обмотки. Чтобы провод не спадал, секции разделены бортиками. С одной стороны керны не имеют бортиков, и через свободные места переходит провод из секции в секцию, с этой же стороныпроходит желобок, по которому возвращаетсяпровод обмотки.На торце керна расположен со смещениемотносительно центра паз для сердечника, исключающий попадание посторонних предметовмежду сердечниками.В основании стойки выполнены паз длявстречного сердечника, паз для перехода провода обмотки с керна на керн, два паза дляхвостовиков пружин и два фиксирующих выступа от проворота стойки на установочнойплате, Прямоугольный паз и проходное отверстие в основании...

Номер патента: 1043740

Опубликовано: 23.09.1983

Автор: Эйнгорин

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающего, многомерный, накопитель, устройства

...подключению адресных шин 1-й группы 1-й и 1-йматриц ( 1=2, 3, , М; у=1, 2,Й); 0 - допустимое число нескомпенсировавных сигналов адресной селекции, .возбуждающих невыбранный запоминающий элемент матрицы, Н(2"На фиг, 1 представлена структурная схема многомерного накопителя;на фиг. 2 - конфигурация адресныхшин для случая п=5,.в=3,На структурной схеме многомерно"го накопителя Б,1, Б, , Б 1Бц - матрицы накопителя емкостьюию каждая; 1,,К - группыадресных шин матрицы накопителя;1. 3п - адресные шины.Адресные шины групп 1,К матрицы Б 1 соединены с шинами управления согласно или встречно всоответствии со значением коэффициен;тов а Д-й строки таблицы. //э //,содержащей к столбцов н й строк,при 1 с 2 сК и 1 ьй, Каждая строка таб".лицы имеет М 1...

Номер патента: 1531169

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Прокопенко, Сидоренко, Хцынский, Ярандин

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

...эа счет туннельного пробоя конденсатора 2 происходит накопление положительного заряда на обкладках 5,т.е, высокого логического уровня("1"). В момент времени гоканчивается, действие высоковольтного сигнала стирания, а в момент с 4 производится отключение выбранных элементов5 153116 1 памяти, В течение интервала времени с -г.4 происходит разряд шины 24 на вход 30, находящийся под нулевым потенциалом, а шины 22 на вход 36, также находящийся в это время под нулевым потенциалом, Начиная с момента времени сз до момента времени происходит повторение цикла стирания, в течение которого элемент 1 10 памяти и другие элементы 1 данной секции накопителя оказываются полу- выбранными по входу 34, а в течение интервала времени с-г они полуныбраны по...