Способ измерения распределения примесей в тонких пленках

Номер патента: 1671149

Опубликовано: 15.08.1991

Автор: Теруаки

МПК: B01L 3/02

Метки: жидкости, образцов, распределения

...10 20 25 30 35 40 45 50 55 чает сопротивление и повышается давление воздуха, идущего через трубки 7 и 11. Датчик 16 давления выявляет это увеличение давления и вырабатывает сигнал, подаваемый на многоходовой клапан 8. В ответ на этот сигнал клапан 8 отсоединяет трубку 7 от первого входа 9 и соединяет трубку 7 с вторым входом 10, тем самым подсоединяя трубку 7 к трубке 14. Затем поршень воздушного цилиндра 15 перемещается в направлении стрелки А, В результате этого сыворотка всасывается в распределительный наконечник 3. Одновременно переключатель 17 давления определяет, засорен наконечник 3 или нет, Когда определенное количество сыворотки введено в наконечник 3. поршень останавливается и в наконечнике 3 остается это количество...

Номер патента: 930055

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Берестов, Капралов, Кульбах

МПК: G01N 3/08

Метки: испытания, образцов, пленок, растяжение

...подложки иприкладывают с помощью испытательноймашины растягивающую нагрузку доее разрыва, при этом используют подложку из трех последовательно установленных частей, которые связываютмежду собой торцами с помощью легкоплавкого материала, закрепляют пленку на крайних частях подложки, апосле закрегления крайних частей3 930055подложки в захватах испытательноймашины нагревают подложку до расплав.ления легкоплавкого материала и удаляют ее среднюю часть.Способ осуществляется следующимобоазом,Подложку изготавливают из трех последовательно устанавливаемых частей 1-3, которые связывают междусобой торцами при помощи легкоплав окого материала, например склеечнойсмолы марки СН. На крайних частяхи 3 подложки закрепляют пленку 4.Затем крайние...

Номер патента: 1465739

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Головчанский, Марченко

МПК: G01N 1/28, G01N 23/225

Метки: исследований, кремниевой, микроскопических, нанесенных, образцов, пленок, поверхность, подложки, приготовления, электронно

...комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 3 14657 к мнатной температуре является насыщ иным),При температуре раствора менее Зф С увеличивается продолжительностьо процесса, а использование раствора с температурой более 80 С приводит к растворению,самой отделяемой пленки.В таблице приведены результаты р ализации способа приготовления о разцов при различных параметрах п оведения процесса.П р и м е р. Проводят отделенир пренки ниобия (%) толщиной 1000 А,апыленной на кремниевую подложку (100) в 453-ном растворе КОН при 65 С. Время отделения пленки составет около 5 мин при скорости растрения самой пленки .60-70 А/мин. осле отделения с помощью специальой сетки кусочки пленки помещают в стиллированную воду. Свертыванияки не...

Номер патента: 934320

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Грибников, Козловский, Романов

МПК: G01N 21/59

Метки: концентрации, нескомпенсированной, образце, одномерного, полупроводниковом, примеси, распределения

...ными либо иниектированными через контактили светом. Величина протекающего токадолжна быть такой, чтобы связанное с нимлокальное электрическое поле было значи тельно больше встроенного концентра ционного поля, связанного с неоднородным распределением нескомпенсированной примеси Ж (х), т.е. распределение неравновесных носителей р(х)должно быть дрейфовым. В этом случае З 0 .между локальными концентрациямир(х) и ДЕ (х) существует связь В связи с тем, что функция 2 медленно изменяется с координатой х, из формулы1) вытекает соотношение(3) гдеЬЭЮх) - локальная амплитуда отклонения концентрациинескомпенсированной при.меси от ее усредненнойвеличины,р(х) - усредненная на длиненескольких периодов неоднородности величинаконцентрации...

Номер патента: 1320659

Опубликовано: 30.06.1987

Авторы: Аникин, Дерюгин, Осадчев, Половинкин, Семенов

МПК: G01B 11/06

Метки: волноводной, пленки, распределения, толщины

...пучок 2 света от моно- хроматического источника 1 направляют через призму 3 на границу раздела призма 3 - слой 4 связи под углом, большим критического угла полного внутреннего отражения (ПВО). Толщина слоя 4 связи достаточно мала для того, цтобы ПВО частично нарушилось и часть световой энергии проникла (туннелировала) в волноводную пленку 5, возбудив в ней поверхностную волну. При этом между показателями преломления диэлектрических сред 3 - 5 должно выполняться соотношение п 4( п( пз Так как параллельная пленке составляющая волнового вектора падающего луча в призме 3 и собственная постоянная распространения поверхностной волны достаточно близки, то это возбуждение носит резонансный характерр.Нерасходящийся пучок 2 направлен на...