Способ изготовления магнитодиэлектрических
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е 34331 ОИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сова Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 05,Ч.1969 ( 1329644/2с присоединением заявкиПриоритет Н 011 106 Н ОП 308 В 221 1/00 В 2213 16 Комитет по делам иаобретений и открыти при Совете Министров СССРт Ч К 621,318.122.621,762. ,04:621,762.5 (088.8) публиковано 22.И.1972. Бюллетень20 ата опубликования описания 28.И 11.1972 Авторыизобретения Ю. М. АльтГ. В В, П. Гераськов, Ю, Г, Кирьяиов, А. С. Сахоролев, В. Г. Сыркин и И, С. Толмасский аявите СПОСОБ ИЗГО ЕНИЯ МАГНИТО СЕРДЕЧ Н ИКОВ ТРИЧЕСКИХ Изобретение относится к способу изготовления магнитодиэлектрических сердечниковна основе карбонильного железа, применяемых в радиоэлектронной аппаратуре.Известен способ изготовления магнитодиэлектрических сердечников на основе карбонильного железа, при котором ферромагнитные частицы подвергают двойной изоляции:сначала в фосфорной кислоте, а затем - различными полимерными искусственными смолами; прессование производят при давлении4 - 6 тсм, а низкотемпературную термообработку - в инертной среде при температуре,обеспечивающей поли мер изацию диэлектрика. 15Предложенный способ отличается от известного тем, что, с целью упрощения технологического процесса, в качестве связующеговещества применяют низковязкий м оном ер,выбранный из группы, содержащей алкилен-, 20оксиалкилендиметакрилат в количестве 3 -6 вес. %, а прессованные заготовки подвергают термообработке при 75 - 90 С,Процесс изготовления магнитодиэлектрических сердечников предлагаемым способом 25включает растворение дициклогексила пероксидикарбоната динитрилазоизомасляной кислоты в мономерном связующем - алкилен- или оксиалкплендиметакрилате при слабом перемешивании при комнатной температуре в течение 1 - 2 лан, введение навсски карбонильного железа нужной марки с первичной изоляцией в мономернос связующее после обработки фосфорной кислотой при ручном перемешивании, холодное прессование полученной композиции при давлении 1 - 6 т/см, выдерживание сердечников в среде инертного газа (азот, углекислый газ, аргон) или в вакууме (1 лтм рт. ст.) при 75 - 90 С в течение 30 - 40 лтин.Использование мономеров для получения наполненных полимеров позволяет исключить из технологии растворитель, сократить время смешения с наполнителем за счет его хорошего смачивания, исключить выделение низкомолекулярных продуктов во время поли- конденсации и отверждения, При использовании предложенного способа снижается энергоемкость технологического процесса.Сравнительные испытания магнитных свойств изделий, получаемых на основе фенолформальдегидных и акрилатных связующих, показывает, что в последнем случае они выше (см. табл.)3,04 2,96 1,55 3,00 1,92 2,09 1,11 2,08 3,14 3,01 1,60 3,04 1,86 2,00 1,10 2,02 Р Р Р Пс Предмет изобретения Составитель В. Нарва Техред Т. УсковаРедактор Л, Струве Корректор Е. Исакова Заказ 2588/3 Изд. Мв НЗЗ Тираж 408 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 Способ изготовления магнитодиэлектрических сердечников на основе карбонильного железа, включающий изоляцию ферромагнитных частиц сначала фосфорной кислотой, а затем связующим веществом полимерного материала, прессование порошка и термообработку в инертной среде, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, в качестве связующего вещества применяют низковязкий мономер, выбранный 5 из группы, содержащей алкилен-, оксиалкилендиметакрилат в количестве 3 - 6 вес, %, а термообработку ведут при 75 - 90 С.
СмотретьЗаявка
1329644
Ю. М. Альтер, В. П. Гераськов, Ю. Г. Кирь нов, А. С. Сахиев, Г. В. Королев, В. Г. Сыркин, И. С. Толмасский
МПК / Метки
МПК: B22F 1/00, B22F 3/16, H01F 1/00
Метки: магнитодиэлектрических
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-343310-sposob-izgotovleniya-magnitodiehlektricheskikh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления магнитодиэлектрических</a>
Предыдущий патент: Запоминающий элемент на моп-транзисторах
Следующий патент: 343311
Случайный патент: Валковый питатель