Устройство для изменения длительности спада импульсов12

Номер патента: 1630564

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Асессоров, Велигура

МПК: H01L 21/18

Метки: балластными, многоэмиттерных, мощных, резисторами, свч-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ С БАЛЛАСТНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ, включающий создание в многокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эмиттеров, формирование покрытия из диоксида кремния, нанесение на покрытие тонкопленочного резистивного слоя, создание резистивных элементов, вскрытие контактных окон к областям базы и эмиттера, формирование металлизации, наращивание защитного диэлектрического покрытия, травление окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик транзисторов, одновременно с созданием резистивных элементов изготавливают тестовый резистор, измеряют его сопротивление, по значению...

Номер патента: 616695

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Васильев, Захаров, Кознев, Малышев

МПК: H02M 1/08

Метки: силовым, транзистором

...источника отпирвющего напра 30жениа через второй резистор - к эмиттеру силового транзистора и через третийдиод - к бвэе вспомогательного транзистора, а еторичнва обмотка источника. звнирвющего напраженианомкпюченв к первому.резисторуНа чертеже показана схема предложенного устройства дла управлениясиловымтранзистором,СЬо содержит силовой транзистор 1, вбазе которого подключены последовательно соединенные диод 2 и вторичная обмотка 3 выходного трвнсформегора 4,источник отцирвющего напряжения 5. Вто.Рой вывод обмотки отпирающего сигнала3 ноцключен к эмиттеру силового транзистора 1 через резистор 6, Вторичнаиобмотка 7 выходного трансформатора 8источника эвпиржощего напряжения Эподключена к базе силового транзистора1 через диод 10....

Номер патента: 866742

Опубликовано: 23.09.1981

Автор: Новиков

МПК: H03K 17/60

Метки: транзистором

...через диод 7 с ныводом электронного ключа 8, управляющий вход которого соединея с дополнительным выходом блока 9 управления. Второи вы 40 вод электронного ключа 8 соединен с шиной дополнительного источника питания +Е )Кроме того, имеются ограничительный резистор 10, диод 11, дополнитель ные диоды 12, 13 и конденсатор 14.Одноименные выводы обмоток трансформатора 3 обозначены точками.В момент времени йо с выхода блока 9 управления на базу транзистора 6 50 поступает импульс, насыщающий этот транзистор. Одновременно импульс, поступающий с дополнительного выхода блока 9 управления на управляющий вход ключа 8, отпирает этот ключ, Кон в 55 денсатор 14 быстро заряжается через диод 13 и резистор 10. После запирания в момент временитранзистора 6...

Номер патента: 900406

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Гончаров, Остапенко

МПК: H03F 3/20

Метки: мощности, транзисторах, усилитель

...25Устройство работает следующим образом,Рассмотрим рабату одной диагоналиусилителя мощности (другая диагональработает аналогично). На схеме выделен один канал коммутатора на транзисторах 7, 11, 17 и резисторах 25,29, 35, 44, 52 и 55, 49, другие каналы выполнены аналогично. Параллельно нагрузке 66 подключен резис -тинный делитель из резисторов 49, 52,55, при этом соотношение резистороввыбрано так, что при достижении выходным напряжением величины несколько меньшей напряжения источника 63,начинает открываться транзистор 17 40и потенциал его коллектора возрастает, что недет к отпиранию транзистора 11 и, как следствие, к отпираниютранзистора 7. При этом потенциалколлектора транзистора 7 повышается, 4так как подключается сумма источников...

Номер патента: 982030

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Андреев, Баранов, Валитов, Волков, Зельцер, Каширин, Пестрякова

МПК: G06G 7/62

Метки: биполярного, модель, транзистора

...переменный резистор, ксцшекторный щвывод первого транзистора объединен сбазовым вывопом второго транзистораи яьпяется базовым выводом моделиэмиттерные выводы обоих транзисторовобъединены, а ксдлекторный вывод второго 2 зтранзистора является коплекторным выводом модели, дополнительно введен диод,анод которого соединен с объединеннымиэмиттерными выводами транзисторов, акатод является эмиттерным выводом мо- ЗйделивНа чертеже представлена схема темпе-,ратурной модели биполярного транзистора,Модель состоит из транзистора 1, вбазовую цепь которого включен переменный резистор 2 одновременно включенный в базовую цепь транзистора 3, эмигтеры транзисторов, 1 и 3 соединены санодом диода 4, катод которого являетсяэмиттером модели 3, коллектор...