Патенты с меткой «импульсов12»

Номер патента: 326723

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Дтснтно, Сергеев

МПК: H03K 5/12

Метки: длительности, изменения, импульсов12, спада

...является повышени надежности устройства. Это достигается тем, что диод ус подключен своим первым выводом че денсатор к эмиттеру транзистора и ч зистор к точке соединения коллекто зистора с одним из выводов колл обмотки трансформатора, другой вь торой соединен с резистором нагру вторым выводом диода. На чертеже приведена принципиальна схема устройства. Т;образное звено 1, обесп мирование длительности сп резистора 2, диода 3 и конде Подключается звено 1 слВ момент открывания транзистора 6 разрядный ток конденсатора 4 течет через резистор 2 и транзистор 6, благодаря этому уменьшается пиковое значение тока, а следо вательно, и перегрузка транзистора б. Одновременно уменьшается влияние емкости на передний фронт импульса. В режиме...

Номер патента: 399049

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H03K 3/64

Метки: генератор, импульсов12, пачки

...1 и 8. Постояиня Врезсии зарядя кондсцсятаря 9 выаи 1 эяетс я э е н ь ш е Й, 11 с э и а с т О я ц ц я 51 В 1 э е м е н ц к 0 н д е исатора 2, в результате чсга при соответствующем соат ошецц. сопротивлений делителя 3 и 4 при цодячс итания эмиттерцый переход 1- транзистаэя О стяется закрытым. ПО эере заряда коцдсцсятаря 2 и 9 аоратцос напряжецис на эмиттерцом церсходе транзистора 5 изменится, в начала зарядя ко,децсяторов оцо воз 1 э яста ет, я 3 я тс. уъ 1 енш яетсй. После ТОГО как 2Напряже 1 гис ця ээгиттерном переходе транзистора 5 псрейдег 1 е 1 эсз нулевое зцачснце и станет полоэкителыыэ 1, транзисторы 5 и 6, охвячснныс цалаж 11 тельцсй обратной связыа, вклО- чаются ц переходят в состояние насыщения;25 прц этом конденсатор 2...