Способ изготовления трафаретов

Номер патента: 1611158

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Генцелев, Самойлиди

МПК: G03F 7/20, H01L 21/312

Метки: маске, подложки, проводящего, рисунка, рисунком, совмещения

...поверхности другого совмещаемого обьекта ортогонально оси прецессии первого угол между плоскостями, а следовательно, и емкость конденсатора, будут постоянными по времени, цто позволяет использовать для измеоений мостиковую схему.Схема 9 узла контроля непараллельности рабочих поверхностей маски 1 и подложки 2 и микрозазора между ними постоянно следит за меняющейся емкостью конденсатора и совместно с блоком 3 обработки и управления вырабатывает и подает управляющие сигналы на двигатели б, добиваясь при этом такого положения подложки 2, когда величина электрической емкости конденсатора равна определенной наперед заданной велицине (эталонной емкости) и величина ее изменений отклонений от эталонной величины) за период прецессии ми...

Номер патента: 235346

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Аболтинь, Слава

МПК: G01D 13/12, G01P 1/08

Метки: шкал

...и заодно со шкалой технологические выступы 3, 5 имеющие в расширенной нижнеи части полость 4, соответствующую по форме концу 5 выступа. Выступы 3 соединяются со шкалой 1 при помощи одной или нескольких (в данном случае трех) перемычек б.10 После нанесения на обратной стороне шкалы слоя 7 рисунка шкалы вставляются в специальный контейнер для сушки и транспортировки. Они устанавливаются так, чтобы полости 4 выступов 3 нижней шкалы (фиг. 2) 15 вставлялись на соответствующие выступы 8контейнера 9.Следующие шкалы вставляются на выступыпредыдущих. Для предотвращения неустойчивости в боковом направлении при достаточно 20 высоком пакете контейнер может иметь боковые направляющие 10.После обработки таким образом в контейнере шкалы...

Номер патента: 959020

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Гоман, Жуков, Павликов, Шадурский

МПК: G03B 27/02

Метки: двустороннего, подложки, совмещения, шаблонов, экспонирования

...5, закрепленный на подвижном осветителе 3, микроскоп б, ме ханиэм коррекции 7, расположенный на основании 1, держатели 8 и 9, размещенные на крестовом столе 2 и имеющие воэможность независимого вертикаьного перемещений, шаблоны 10 и 10 11, подложку 12 и держатель 13 шаблона 10Устройство работает следующим образом.Фотошаблон 10 крепится вакУУмом 5 на держателе 13, установленном на механизме коррекции 7. Шаблон 11 устанавливается на .столик фиксации 5. Держатель 8 поднимается до контакта с шаблоном 11, Происходит включение вакуума на держателе 8, затем выключение вакуума на столике 5. Таким образом, шаблон 11 оказывается закрепленным на держателе 8. Далее держатель 8 йЬднимается до контакта25 шаблонов 10 и,11 и происходит их...

Номер патента: 1286319

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Еременко, Светкин

МПК: B21D 22/02

Метки: гибки, п-образных, штамп

...и прижим 8 занимает крайнее верхнее положение, при котором поверхность его рабочего торца находится на одном уровне с зеркалом матрицы 6.;на зеркало матрицы 6 по трафарету 7 укладывается плоская заготовка. Затем листоштамповочный пресс, на котором установлен штамп, включается в работу, при этом управляющая электросхема пресса одновременно подключает электр- питание к намагничивающей обмотке 9 и между прижимом 8 и находящейся с ним в контакте плоской заготовкой возникает сила притяжения, надежно удерживающая заготовку от сдвига на прижиме 8 как перед началом гибки в период приближения пуансона 2, так и в процессе гибки ее пуансоном 2 при дальнейшем смыкании штампа. В момент соприкосновения пуансона 2 с плоской заготовкой между...

Номер патента: 1575829

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Алейникова, Сутырин, Хриткин

МПК: H01L 21/26

Метки: диэлектрических, линейных, пластинах, полупроводниковых, структур, субмикронных, формирования

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЛИНЕЙНЫХ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИНАХ, включающий нанесение маскирующего покрытия на поверхность пластины, создание окон в маске литографией и травление ленточным пучком ионов, большая ось поперечного сечения которого расположена перпендикулярно направлению перемещения пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур за счет уменьшения бокового растравливания, пластины в процессе травления ориентируют так, чтобы линейные субмикронные структуры были расположены перпендикулярно большой оси поперечного сечения пучка.