Способ создания противофильтрационного экрана

Номер патента: 1198569

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Куделькин, Набокин, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, ионно-имплантированного, однородности, пленке, слоя

...повысить чувствительность при контроле однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке, если регистрировать не поле коллапса ЦМД Но, а напряженность импульсного поля Ни, при котором начинается процесс вращения намагниченности.Предложенный способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке осуществляют следующим образом.На намагниченную до насыщения доменосодержащую пленку воздействуют импульсным магнитным полем.Регистрация вращения намагниченности обеспечивается использованием магнитооптического эффекта Фарадея для визуализации областей с обратной намагниченностью и применением импульсного лазера в качестве источника света для подсветки пленки в некоторый момент времени через 20 в 2...

Номер патента: 256347

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Глебов, Докукина, Трапезников

МПК: G01N 11/06

Метки: двусторонних, исследований, пленок, поверхностных, прибор, реологических, слоев

...конец которой закреплен в крутильной головке 9 с конусным отсчетом. Головка обеспечивает быстрые повороты кольца 1 на большие углы с помощью маховичка 10, повороты на малые углы с помощью червяка 11 и перемещение кольца 1 по вертикали с помощью микрометрической гайки 12. В арретире 18 установлена нагревательная спираль, предохраняющая зеркала 8 от запотевания. Термопара 14 предназначена для контроля тем пер атурь 1 р аствора.ь 1 ашка 5 закреплена на цснтрирующей план- шайбе 15, снабжешюй установочными винтами и смонтированной в расточке столика 16. Передача 17 со стопорными винтами 18 и 19 служит для вращения чашки от руки,или перемещения ее по вертикали для установки заданного уровня, Привод 20 содержит электродвигатель, корооку...

Номер патента: 789278

Опубликовано: 23.12.1980

Автор: Левушкин

МПК: B29D 7/20

Метки: пленок, полимерных, разделения, рукавных, слипшихся, слоев

...приемными эластичньлми (гуммированными)Валками 1,при этОм длинсе ВалкОВ должна быть больше или по. крайней мереравна суееемарной ширине сплющенныхрукавоь 9 а и 9 б, так как в противном случае в Выступающей части рукавов 9 а и 9 б Образуется воздушнаяподушка, которая будет препятствовать качественной намотке рулона.На одном из приемных эластичных Валков 1 расположены выступы 2, которыемогут быть выполнены путем наклеивания по окружности Валка 1 липкойпленки из полимерного материала, на пример полявинялхлорида. Высота выступов выбирается равной 0,5-2,0 толЕВЕНе сплюще:ного рукава 9. В местахнетличЕН выступОВ 2 рукаВа 9 а и 9 бсжимаются более плотно, в результате чего образуется полоса плотногосжатля, а воздух, отжимаясь,...

Номер патента: 100437

Опубликовано: 01.01.1955

Автор: Ворогушин

МПК: G01B 5/06

Метки: лакокрасочной, невысохшей, пленки, прибор, слоя, толщины

...соответствующие толщине пленки. Если же высота бортиков окажется большей, чем толщина пленки, то каток нс прикоснется к ней и она, таким образом, нс получит отпечатка делений шкалы. мст изобретения ПредПриборны слояпленки,что он вческоготричныена боков определения толщихшей лакокрасочной чающийся, тем, н в виде цилиндриимеющего эксценки и снабженного ерхности шкалой. для евыс отли шолне катка борти ой пов ОПИСАН Толщину слоя невысохшеи лакокрасочной пленки определяютобычно на глаз, что не дает возможности достаточно точно установить расход лакокрасочных материалов.Предлагаемый прибор, выполненный в виде цилиндрического катка,имеющего шкалу и эксцентричныебортики, позволяет точно определять толщину невысохшей лакокрасочной пленки.На...

Номер патента: 1371456

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Буляк, Плотников, Румак, Хатько, Шевчук, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, оксида, слоев, создания, тонких

Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водород при расходе кислорода и водорода, равном соответственно 30-75 и 15-68 об.%, последующий отжиг в инертном газе, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур путем уменьшения дефектности подзатворного диэлектрика, подслой окисла формируют последовательной выдержкой сначала в...