Способ диагностики интоксикации организма
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
) Изоб и може ани ескои л ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ.(71) Украинский институт усовершенствования врачей, Харьковскиймедицинский институт и Харьковскигосударственный университет(56) Джафаология, 19 ров А.К. Медицинская ради 61, т.71, Р 9, с. 38-45.Б ДИАГНОСТИКИ ИНТОКСИКАЦИИ тение относится к медицибыть использовано в клибораторной диагностике,хирургии, наркологии, токсикологии. елью изобретения является повыше ие точности, сокращение времени и упрощение диагностики интоксикации организма. Для этого в качестве биологического материала, подвергаемого исследованию, берут буккальный эпиталий, затем определяют электро- кинетическую подвижность его ядер путем подсчета количества подвижных ядер из 100 клеток (Х) и полученный результат сопоставляют с нормой по формуле 1 = 1 - Ир/И, где 1 - интегральный показатель интоксикации , организма, Ир - процент ядер буккального эпителия испытуемого, М- процент подвижных ядер в норме, со" ответствующий возрасту испытуемогоПри показателе интоксикации больше 0,25 диагностируют интоксикацию ор1425541 рального показателя больше 0,25 диагностируют интоксикацию организма.При использовании предлагаемого способа точность диагностики по сравнению с известным способом возрастает с 2824 до 88,85%, время исследования сокращается с 30 до 5 мин. 161=1н где 1 - интегральный показатепьинтоксикации организма;И - подвижные ядра у обследуеЕмого, %;М- подвижные ядра в норме, %, и при величине интегрального показателя больше 0,25 диагностируют интоксикацию организма. Составитель М.Позняк Техред И,Дидык Корректор С Черни Редактор Г,Волкова Заказ 47 б 1/40 Тираж 847 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграФическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к медицине и может быть использовано в клинической лабораторной диагностике при интоксикационной патологии, наркологии, токсикологии, акушерстве и гинекологии, в судебно-медицинской экспертизе.Целью изобретения является ловышение точности диагностики, ускорение и упрощение способа.Способ осуществляют следующим образом.После клинического обследования больному с помощью шпателя делают легкий соскоб эпителия внутренней поверхности щеки (буккального эпителия). Содержимое соскоба в капле водопроводной воды под покровными стеклами помещают в камеру для внутриклеточного микроэлектроФореза, установленную под объективом микроскопа.Визуально подсчитывают количество ,ядер буккального эпителия, оказав,шихся подвижными в электрическом поле из общего количества 100 клеток. Интегральный показатель интоксикации (1) определяют путем сопоставления подвижности ядер буккального эпителия исследуемого больного (Ы) с нормой (Ы), соответствующей биологическому возрасту по ФормулеЯ 81 = 1 --- и при величине интегМ 10 формула изобретения Способ диагностики интоксикацииорганизма путем исследования биологического материала, о т л и ч а - ю щ и й с я тем, что, с целью повы" шения точности диагностики, ускорения и упрощения способа, в качестве биологического материала используют 20 соскоб буккального эпителия, в котором определяют подвижность ядер в электрическом поле, рассчи ывают величину интегрального показателя по Формуле25
СмотретьЗаявка
3998495, 19.11.1985
УКРАИНСКИЙ ИНСТИТУТ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ ВРАЧЕЙ, ХАРЬКОВСКИЙ МЕДИЦИНСКИЙ ИНСТИТУТ, ХАРЬКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
СОСИН ИВАН КУЗЬМИЧ, БЕРЕСНЕВ АЛЕКСАНДР ВАСИЛЬЕВИЧ, ШАХБАЗОВ ВАЛЕРИЙ ГАЕВИЧ, ГУРЕВИЧ ЯКОВ ЛЬВОВИЧ, АТРАМЕНТОВА ЛЮБОВЬ АЛЕКСЕЕВНА, ВИТИН АЛЕКСАНДР АЛЕКСЕЕВИЧ, ПЕЛИХ ИРИНА ВЯЧЕСЛАВОВНА, БЕРЕСНЕВА ОЛЬГА АНАТОЛЬЕВНА
МПК / Метки
МПК: G01N 33/48
Метки: диагностики, интоксикации, организма
Опубликовано: 23.09.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1425541-sposob-diagnostiki-intoksikacii-organizma.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ диагностики интоксикации организма</a>
Способ многоуровневой металлизации больших интегральных схем
Номер патента: 598458
Опубликовано: 25.07.1979
Автор: Колешко
МПК: H01L 21/28
Метки: больших, интегральных, металлизации, многоуровневой, схем
...пленках алюминия о 1 снивастся из того, что данная примесь должна сконцентрироваться по границам зерен. Исходя из этого было установлено, что минимальная величина концентрации примесей, которую можно использовать для понижения электромиграции алюминия составляет, вес."/о. 5 с 1,66;0,003; гп 0,06;1.а 0,0001; Еп 1 О ; ТЬ, 1.у, Но, Ег Тгп,Ь 0,06; 1.п 0,07. Поэтому был определен средний нижний предел для всех РЗЭ 0,05 вес. о/,.М 1 кспмальная концентрация оценивается исходя из следующих соображений. Вопервых, рассматривается влияние процентного содержания легируюшего компонента на электропроводность пленки алюминия. Во-вторых, рассматривается поверхностная активность примеси и образование антикоррозионных поверхностных слоев, препятствуюп 1...
Способ изготовления токопроводящего рисунка интегральной микросхемы
Номер патента: 710116
Опубликовано: 15.01.1980
Авторы: Балтрушайтис, Садаускас
МПК: H05K 3/00
Метки: интегральной, микросхемы, рисунка, токопроводящего
...гальваническим способом наращивают медь.Технология способа состоит в следующем.Предварительноочищенную и глазурированную подлЬжку помещают в центрифугу и при скорости 2400-3000 об/мин наносят пипеткой раствор жидкого золота. Вращение поддерживают в течение 1 мин для удаления растворителей. Образовавшуюся пленку вжигают прио800 С, Затем пластину (подложку с золотым покрытием) в качестве катода подвешивают между анодами из нержа710116 Формула изобретения 20 толщина пленкизолота 2000-3000 А ее адгезия к подложке адгезия пленки меди к золотуудельное сопротивление токопроводящегорисунка 2200-300 кг/см 25 2100 кг/см 0,003 Ом/кВ ЗО Составитель Е,Хвощева Техред З.фанта Корректор М.Вигула Редактор Л.Янова Заказ 8776/52 Тираж 885 ПодписноеЦНИИПИ...
Способ контроля качества мдп интегральных схем с тестовыми транзисторами
Номер патента: 1408393
Опубликовано: 07.07.1988
Авторы: Латышев, Лисовский, Ломако
МПК: G01R 31/3181
Метки: интегральных, качества, мдп, схем, тестовыми, транзисторами
...без ошибок. При этих же лозах измеряют значения пороговых напряжений тестовых и- и р-канальных транзисторов. Циклы облучения - измерения параметров проводят до тех пор, пока це будет достИГНУто ЭНДЧЕНИЕ Я = Со. ЗДВИСИМОСтИ Г и П от лозы облучения (Р) испольгрЗУются Д 5151 пос ГРО ения ФУцк дни Го (11 с ) которая позволяет оценить качество схемотехпичес 1 со 1 о п 11 ое 1 стд. Нд фиг, 1-3 приведецы графики, логясцяющие предлагаемый способ.На фиг.1 показаны зависимости пороговых напряжений тестовых р-канальных транзисторов от дозы облучениядля схем 1 и 11. Указаны точки перехода линейной зависимости 1), (Р) кнелинейной, которые в нашем случаесоответствуют дозе = 10 Р. Видно,что изменение Б,р (Р) для схемы 11вьш 1 е, чем для схемы 1....
Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем
Номер патента: 1563516
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Ковалевский, Коваленко, Семенов, Турцевич
МПК: H01L 21/316
Метки: интегральных, многоуровневой, разводки, схем
Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем, включающий нанесение слоя алюминия на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, формирование рисунка нижнего уровня разводки, создание межуровневой изоляции последовательным нанесением первого слоя двуокиси кремния при 250-300°С и второго слоя двуокиси кремния, вскрытие контактных окон к нижнему уровню разводки и формирование верхнего уровня разводки из алюминия, термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и надежности разводки интегральных схем за счет уменьшения механических напряжений, первый слой двуокиси кремния наносят толщиной 0,15-0,25 мкм в плазме...
Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем
Номер патента: 1694015
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Воронин, Малышев, Мамедов, Солодуха, Турцевич
МПК: H01L 21/265
Метки: интегральных, многоуровневой, разводки, схем
Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем, включающий формирование на полупроводниковой подложке с активными и пассивными элементами слоя алюминия или его сплавов с микрорисунком нижнего уровня разводки, формирование межуровневой изоляции с контактными окнами к нижнему уровню, формирование слоя проводящего материала с микрорисунком верхнего уровня разводки, имплантацию ионов металлов в слой материала уровня с энергией 30-150 кэВ, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и увеличения надежности интегральных схем за счет уменьшения деградации параметров разводки, имплантацию в слой материала нижнего и/или верхнего уровня разводки проводят ионами металлов...