Способ изготовления токопроводящего рисунка интегральной микросхемы
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 710116
Авторы: Балтрушайтис, Садаускас
Текст
ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик(51)М. Кл. с присоединением заявки Йо Н 05 К 3/00 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОКОПРОВОДЯЦЕГО РИСУНКА ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ Изобретение относится к областимикроэлектроники и может быть использовано при изготовлении гибридных интегральных микросхем СВЧ-диапазона для получения высококачественного токопроводящего рисунка.Известен способ изготовления токопроводящего рисунка интегральноймикросхемы, заключающийся в том, чтона подложку методом трафаретной печа 10ти наносят пасту, содержащую мелкодисперсные порошки стекла и благородных металлов, дисперсированные ворганическом связующем материале,после чего подложку подвергают высокотемпературному обжигу 1,Также известен способ изготовления токопроводящего рисунка интегральной микросхемы, заключающийся в том, что очищенную в горячей хромовой кислоте подложку с постоянной скоростью погружают и вынимают из раствора металлоорганического соединения. После удаления растворителя металлоорганическое соединение разлагается при 315 С, при этом осажодается соответствующий металл, кото.рый затем вжигается в подложку при 530-760 С. Необходимый рисунок проводящих элементов микросхемы создают методом фотолитографии 2,Известные способы не позволяют получить токопроводящий рисунок микросхемы с достаточной электропроводимостью и адгезией к подложке.Целью изобретения является повышение электропроводимости и адгезионной прочности токопроводящего рисунка микросхемы.для достижения поставленной цели на очищенную подложку наносят раствор жидкого золота, а после его вжигания подложку с золотым покрытием подвергают поочередно катодно-анодной обработке, затем на золотое покрытие гальваническим способом наращивают медь.Технология способа состоит в следующем.Предварительноочищенную и глазурированную подлЬжку помещают в центрифугу и при скорости 2400-3000 об/мин наносят пипеткой раствор жидкого золота. Вращение поддерживают в течение 1 мин для удаления растворителей. Образовавшуюся пленку вжигают прио800 С, Затем пластину (подложку с золотым покрытием) в качестве катода подвешивают между анодами из нержа710116 Формула изобретения 20 толщина пленкизолота 2000-3000 А ее адгезия к подложке адгезия пленки меди к золотуудельное сопротивление токопроводящегорисунка 2200-300 кг/см 25 2100 кг/см 0,003 Ом/кВ ЗО Составитель Е,Хвощева Техред З.фанта Корректор М.Вигула Редактор Л.Янова Заказ 8776/52 Тираж 885 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул . Проектная, 4 веющей стали находящимися в электролите и подвергают катодно-анодной обработке при плотности тока 2 А/дм в течение 2-3 мин. После промывки в проточной воде проводят предварительное меднение в электролите при 45- 50 С и катодной плотности токаа 522 А/дм в течение 5 мин, Далее после промывки пластину помещают в другой электролит и проводят окончательное меднение, При комнатной температуре и катодной плотности тока 4 А/дм скорость наращивания меди составляет 25 мкм/час . В случае необходимости "на медное .покрытие может быть наложено защитное покрытие. Необходимый токопроводящий рисунок получают методом фотолитографии.Технические характеристики токо- проводящего рисунка микросхемы следующие:. Годовой экономический эффект приобъеме выпуска 100 тыс. микросхемсоставляет 208,7 тыс.руб. Способ изготовления токопроводящего рисунка интегральной микросхемы, включающий нанесение на очищенную подложку проводящего материала, его выжигание и Формирование токопроводящего рисунка методом фотолитографии, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения электропроводимости и адгезионной прочности, в качестве проводящего материала наносят раствор жидкого золота, а после его вжигания подложку с золотым покрытием подвергают поочередно катодно-анодной обработке, после чего на золотое покрытие гальваническим способом наращивают медь. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Микросхемы интегральные гибридные СВЧ-диапазона. Платы микрополосковые. Типовые технологические процессы, ОСТ 4 ГО.054.068 ред. 1-73. 2. Электрохимическая технология Врайт Е,Е. и др. т. 2, 262,1964.
СмотретьЗаявка
2431754, 20.12.1976
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8574
БАЛТРУШАЙТИС ВАЛЕНТИНАС БРОНЕВИЧ, САДАУСКАС КЕСТУТИС ВИТАУТО
МПК / Метки
МПК: H05K 3/00
Метки: интегральной, микросхемы, рисунка, токопроводящего
Опубликовано: 15.01.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-710116-sposob-izgotovleniya-tokoprovodyashhego-risunka-integralnojj-mikroskhemy.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления токопроводящего рисунка интегральной микросхемы</a>
Предыдущий патент: Устройство настройки режима работы циклотрона
Следующий патент: Гербицидный состав
Случайный патент: Привод рабочего органа манипулятора