Элемент памяти

Номер патента: 1831966

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Дворников, Любый

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, интегральный, транзистор

1. ИНТЕГРАЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с изолированными областями второго типа проводимости, в которой сформированы области базы, коллектора и эмиттера с омическими контактами, коммутирующие шины, отличающийся тем, что, с целью обеспечения программируемости параметров для аналоговых схем, эмиттер выполнен в виде (m n + 1) дискретных областей, где m 1,2,3,n 1,2,3, одна из которых расположена в центре, а остальные по n-радиальным направлениям симметрично относительно центра эмиттера, к каждой из которых сформированы омические контакты, и между ними по радиальным направлениям расположено не менее n омических...

Номер патента: 1005607

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Борисов, Гурфинкель, Сергеев

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку с областями эмиттера первого типа проводимости, включающего высоколегированный и слаболегированный участки, базы второго типа проводимости, включающей высоколегированный пассивный участок, который охватывает слаболегированный активный участок, а также коллектора, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления мощности на частоте свыше 104 Гц, в активном участке области базы сформирована дополнительная высоколегированная зона того же типа проводимости, которая охватывает активный участок базы и примыкает к пассивному участку области базы, при этом проекция слаболегированного участка области базы на поверхность подложки размещена в пределах проекции...

Номер патента: 1034191

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Косоусов, Максимов, Петричкович

МПК: H03K 19/23

Метки: комплементарных, махоритарный, мдп, транзисторах, управляемый, элемент

...и 4, при этом параллельно транзистору 3 подключен третий-канальный транзистор 5.Вторая ветвь содержит последовательно включенные И -канальные чет-. вертый и пятый транзисторы б и 7 и шестой й-канальный транзистор 8, подключенный параллельно пятому транзистору 7, и включена между выНедостатком элемента являетсянизкое быстродействие, обусловленноебольшой паразитной емкостью выходной шины, образуемой стоками шестиМДП-транзисторов.Цель изобретения - повышениебыстродействия управляемого мажори-тарного элемента.Для достижения поставленной целив управляемом мажоритарном элементе 10 на комплементарных МДП-транзисторах,содержащем первую ветвь, включенную между шиной питания и выходнойшиной и состоящую из последовательно включенных первого и...

Номер патента: 1827146

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, защитой, мощный, перенапряжения, транзистор

1. Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с плавающей базой, выполненной в одной полупроводниковой подложке так, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная область стабилитрона омически соединена с базовой областью рабочей транзисторной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости к вторичному пробою при обратном смещении базы без изменения его временных и электрических параметров за счет изменения ширины и уменьшения дефектности активной базы защитного стабилитрона и прилегающей к ней области коллектора, ширина активной базы стабилитрона больше ширины активной базы рабочей транзисторной структуры, а степень...

Номер патента: 865081

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Галузо, Матсон

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, интегральный, транзистор

...рекомбинациопных и инжекционных составляющих тока базы,При малых напряжениях на эмиттерйом переходе, что равносильно режиму малых токов, доля рекомбинационных составляющих в суммарном токе базы становится более существенной, чаще всего бывает больше инжекционной, Последнее вызывает уменьшение коэффициента передачи тока,Наличие в устройстве по изобретению дополнительного слоя 8, отделяющего пассивную зону базы от поверхности, снижает вероятность процесса рекомбинации поскольку в этом случае исключается возможность встречи на поверхности кристалла основных и неосновных носителей заряда (электронов и дырок), Для обеспечения непосредственного контакта к базе дополнительный слой покрывает всю поверхность пассивной базы за исключением ее...