Огнеупорный материал

Номер патента: 1074402

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: "пьер, Анджело, Джузеппе, Пауль

МПК: C04B 35/591

Метки: кремния, нитрида, основе

...занный материал можно с успехом подвергать обработке спеканием согласнопредлагаемому способу, получая, такимобразом, материал с улучшенными прочностью и плотностью, причем конечная плотность этого материала близка к теоретическому значению (3,18 г/см ).3Операции уплотнениякремниевого порошка и аэотирования могут быть осуществлены согласно любому известному способу. 30П р и м е р 1, Из кремнийнитридного порошка, средний размер частиц которого составляет 5 мк, содержащий 5 весокиси магния и 2 вес. железа, отформовывают прессовку, плот ность которой равна 2 г/см 3, путем холодного изостатического прессования. Эту прессовку покрывают защитным 40 порошком следующего весового состава: 50 нитрида кремния, 43 нитрида бора, 5 окиси магния и 2...

Номер патента: 336854

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Иностранна, Иностранцы, Роланд

МПК: C04B 35/584, C22C 29/00

Метки: кремния, нитрида

...которого находится в пределах С 1 -336854 Предмет изобретения Составитель Н. Семенова Техред Л, Евдонов Корректор Т, Гревцова Редактор Н. Корченко Заказ 1495/7 Изд.609 Тираж 448 Подписное Ц 1.1 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 2 мк, предпочтительно 1 лтк, Затем атмосферу заменяют смесью силана и аммиака в избыточном количестве водорода с целью отложения слоя нцтрцда кремния. Применяя такую атмосферу и поддерживая температуру печи на уровне 1000 С, производят отложение покрытия ццтрида кремния со скоростьюо100 А/лин. Процесс отложения, продолжают до тех пор, пока не будет создан слой цитрида кремния толщиной 1 лтк ца углеродных...

Номер патента: 1454157

Опубликовано: 27.01.1995

Автор: Денисюк

МПК: H01L 21/225

Метки: бора, диффузии, источников, нитрида, основе, планарных, твердых

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПЛАНАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ БОРА НА ОСНОВЕ НИТРИДА БОРА, включающий приготовление диффузанта путем смешивания порошков нитрида бора и наполнителя, нанесение диффузанта на кремниевую пластину и спекание в окислительной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня легирования полупроводников из твердых планарных источников при 725 - 975oС при производстве интегральных микросхем, в качестве наполнителя диффузант содержит порошок кремния при следующем соотношении компонентов диффузанта, мас.ч.:Нитрид бора - 85 - 95Порошок кремния - 5 - 15а спекание проводят при 975 - 1050oС в течение 30 - 60 мин.

Номер патента: 749293

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Булгаков, Косоплеткин, Красножон, Толстых

МПК: H01L 21/306

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

СПОСОБ ИОННО-ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИ И НИТРИДА КРЕМНИЯ в потоке фторсодержащих ионов и электронов, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности травления по отношению к кремнию, травление проводят в потоке положительных ионов фтористого водорода и продуктов диссоциации аммиака.

Номер патента: 1718302

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Корешков, Красницкий, Петрашкевич, Сарычев, Турцевич, Химко

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, нитрида, пленки, формирования

...в аммиаке не позволяет существенно уменьшить уровень механических напряжений в пленках и улучшить их зарядовые характеристики, что обуславливает снижение качества нитрида кремния. При толщине подслоя более 200 нм не удается провести выравнивание свойств пленки по всей толщине, т.е. примыкающий к подложке слой обогащен 31, следовательно, ухудшаются диэлектрические свойства: снижается электрическая прочность (уменьшаются пробивные напряжения), ухудшаются зарядовые характеристики при повышенных механических напряжениях, В конечном итоге указанные пленки характеризуются низким качеством.При осаждении подслоя из смеси 9 Н 4 - МНз - Иг при соотношении меньше, чем 1: 4; 15, наблюдается осаждение пленок с повышенным содержанием оборванных...